Способ определения местоположения дефектов в изделиях

Союз СоветскииСоциалистическинРеспублик РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К 1) Дополнительное к авт, свид-ву -2) Заявлено 12.06.79 (21) 2778248/25-28 ки-01 1 Ч 29/О с присоединением за Гввударетвеннмй комитетриоритет -0.12.81. Бюллетень4ания описания 30,12.81 3) УДК 620.179Опубликовано Дата опублик о делам изввретени и атнрвтий(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕ ДЕФЕКТОВ В ИЗДЕЛИЯХ 1Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в ультразвуковой дефектоскопии для определения местоположения приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверхности.Известен способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключающийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно изменяют граничные условия в различных точках по поверхности изделия, регистрируют минимум этого сигнала и по нему определяют направление на дефект. ектов в изделиях со условленным отсутстповерхности сигнала.обеспечение возможверхностных дефектов м профилем поверхприповер сложным вием отрЦель ности кон в издели ности. ностных дефпрофилем, оженного отзобретения -троля припох со сложи достигается за счет того, чтооверхностные ультразвуковыеение граничных условий осумпфером поверхностных волнение дефекта определяют помпфера на поверхности издеувеличения амплитуды эхоенного от дефекта. Эта цель возбуждают п волны, измен ществляют де а местополож положению де лия в момент сигнала, отраж О ет быть использова определения место различной глубине трезков времени м -сигналами. Контро отраженным лучом ием отражающих по 15олоа контроля , в начале ри перемеже,в слуль по , чтоверх атель 1 пой дефект 2, ом изделии н. Схема содержит преобразо ерхностных волн, поверхности асположенный в контролируе , демпфер 4 поверхностных во о способа является неления местоположения Этот способ можлюбого типа волн ижения дефектов наделия с учетом озондирующим и эхоэтому способу ведутопределяется наличностей 1,Недостатком этовозможность опред На фиг. 1 представлена схем данным способом, соответственн контроля; на фиг. 2 - то же, щении демпфера; на фиг. 3 - т чае обнаружения дефекта.894555 Формула изобретения Составитель Т, Головкина Редактор Н. Гришанова Техред А. Бойкас Корректор Г. Огар Заказ 1476/71 Тираж 910 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Способ заключается в следующем.На контролируемое изделие устанавливают преобразователь 1 поверхностных волн. Возбуждают импульсы этих волн в контролируемом изделии 3 и принимают эхо-сигналы в случае наличия поверхностного дефекта 2. Перед преобразователем 1 располагают демпфер 4 поверхностных волн заданного размера, например порядка длины волны, и перемещают его поперек направления распространения волны до тех пор, пока не произойдет уменьшение величины сигнала отраженного от дефекта. Минимум этого сигнала будет соответствовать расположению демпфера на линии преобразователь - дефект. Затем демпфер перемещают по этой линии от преобразователя к дефекту. О местоположении дефекта судят по положению демпфера в момент увеЯичения сигнала. В случае наличия сигналовот нескольких дефектов, направления на них и их местоположения определяют последователь- НО, ОДНО За ДРУГИв 4.Использование этого способа позволяет определить приповерхностные дефекты в изделиях со сложным профилем поверхности при высокой точности и низкой трудоемкости. Способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключаю 5 щийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковойволны, принимают эхо-сигналы от дефекта,последовательно изменяют граничные условия в различных точках на поверхности1 Оизделия, регистрируют минимум этого сиг нала и по нему определяют направление надефект, отличающийся тем, что, с цельюобеспечения возможности контроля приповерхностных дефектов в изделиях со сложнымпрофилем поверхности, возбуждают поверхностные ультразвуковые волны, изменениеграничных условий осуществляют демпфером поверхностных волн, а местоположениедефекта определяют по положению демпфера на поверхности изделия в момент увеличения амплитуды эхо-сигнала, отраженного2 О от дефекта.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР по заявке2726768/25 - 28, кл. О 01 1 Ч 29/04,16.02,79 (прототип) .