Устройство для измерения деформаций изделия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 879295
Автор: Старостин
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет С 01 В 11/16 Госуаарствеииый коиите СССР ио аелам изобретений и открытий. (54) УСТРОЙС ФОРМАЦИИ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЗДЕЛИЯ Цель изобр что эталонный гофрированной риной каждого двух близлежащ мируемого рас подвижно отно хема предла На чертеже показана с гаемого устройства.Устройство содержит расположенные вдоль оптической оси источник 1 света, эталонный растр 2, выполнен- ный в виде гофрированной прозрачной пленки, деформируемый растр 3, нанесенный на поверхность изделия 4, н фотоприемник 5. Эталонный растр 2 расположен неподвижно. относительно фотоприемника 5. Полосы деформируемого растра 3 выполнены из материала с различными коэффициентами отражения, а их ширина выбрана попарно равной. Ширина полос растра 3 выполнена с уменьшением к участку иэделия где требуется большая точность измерений.Устройство работает следующим образом.При нагружении изделия 4 его поверхность деформируется. Это вызывает 1Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения деФормаций деталеймашин,5Известно устройство.для измерениядеформаций прозрачного изделия,содержащее расположенные вдоль оптичес-кой оси источник света, конденсор,первую эталонную сетку, линзу, оптическую систему и фотоприемник 1 .Однако известное устройство непозволяет измерять деформацию непрозрачных объектов.Наиболее близким по техническому 15решению к изобретению является устройство для измерения деформаций .изделия, содержащее расположенные вдольоптической оси источник света; эталонный растр,. выполненный. фотоспособом, 20деформируемый растр, нанесенный наизделие фотоспособом, и фотоприемник 121.Основным недостатком этого устройства является сложный процесс измерений, вызванный большой трудоемкостью изготовления и использованияэталонного растра,Целью изобретения является упрощение процесса измерений. 30 тения достигается тем,растр выполнен в видепрозрачной пленки с шигофра, равной ширинеих к нему полос дефорра, и расположен неительно Фотоприемника.879295 Составитель А. Босойедактор О. Кфкова Техред А.Ач Корректор ар аказ 9697/5ВН Тираж 645ИИПИ Государственногопо делам изобретений3035, Москва, Ж, Ра П исно СССР омитетаоткрытийская наб д. 4 илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,4 смещение полос деформируемого растра3 относительно гофрированной пленки.эталонного растра 2. В процессе нагружения исследуемую поверхность изделия 4 облучает источник 1 света,а отраженный от деформируемого растра 3 свет проходит через эталонныйрастр 2 и регистрируется фотоприемником 5. При деформации изделия интенсивность отраженного света изменяется. По разности начальной интенсивности отраженного света и его интенсивности в процессе нагруженияизмеряют величину деформации иэделия. Использование изобретения по сравнению с известными техническими решениями позволяет повысить точность измерения дефОрмаций и упростить процесс измерений. Наряду с измерением деформаций устройство позволяет измерять также параметры вибрации, параллельности и т.п. формула изобретенияУстройство для измерения деформаций изделия, содержащее расположенный вдоль оптической оси источник света, эталонный растр, деформируемый, растр и Фотоприемник, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью упрощения процесса измерений, эталонныйрастр выполнен в виде гофрированнойпрозрачной пленки с шириной каждогогофра, равной ширине двух близлежа О щих к нему полос деформируемого растра, и расположен неподвижно относительно фотоприемника.ФИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе 15 1. Геокарис П. Муаровые полосы приисследовании деформаций. М., "Мнрп1972, с. 145-151.2 Дюрелли А., Паркс В. Анализдеформаций с использованием муара. М., "Мир", 1974, с. 249-253
СмотретьЗаявка
2619845, 23.05.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8091
СТАРОСТИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 11/16
Метки: деформаций, изделия
Опубликовано: 07.11.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-879295-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-deformacijj-izdeliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения деформаций изделия</a>
Способ измерения коэффициента магнитострикции и угла скоса оси анизотропии цилиндрических магнитных пленок
Номер патента: 871110
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Глушкова, Зарубина, Ленников, Смирнов
МПК: G01R 33/18
Метки: анизотропии, коэффициента, магнитных, магнитострикции, оси, пленок, скоса, угла, цилиндрических
...амплитудных значений ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей. 60 Н К, Еи Ы,Т и Т На фиг, 1 представлена схема уст-ф ройства, реализукщая предлагаемый .способ; на фиг. 2 - кваэигистерезисная кривая зависимости амплитудного значения ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей в зависимости от величины и знака угла закручивания.Измерение угла скоса оси анизотропии проводят на образце 1, который представляет собой проводящий сердечник из неферромагнитного материаладиаметром 0,01 см с нанесенным нанего слоем ферромагнитного материала (пермаллой с добавкой кобальта) толщиной 1 мкм, жестко закрепленном в зажимах 2. Крутящий момент создают 15 вращением одного из зажимов, угол поворота отсчитывают по...
Устройство для измерения индикатрисы источника излучения и рассеяния образцов при воздействии на них пучков излучения
Номер патента: 1770771
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Калантарян, Кононенко, Муратов, Сторижко
Метки: воздействии, излучения, индикатрисы, источника, них, образцов, пучков, рассеяния
...для измерения излучения на определенной длине волны 4 и с заданной поляризацией Ро (см. фиг.1), Угол, под которым пучок излучения 2 падает на исследуемую поверхность образца, определяется как угол между нормалью 30 к этой1770771 40 поверхности в точке пересечения осей 2 (14), 11,16 и 17 и осью пучка 2, и обозначается , Направление, по которому световод принимает излучение от образца, характеризуется двумя углами аиф. Угол а - угол 5 между проекцией 31 нормали 30 в плоскости, проходящей через оси 17 и 2, и осью 17. Угол ф - угол между осями 1 б и 11. Пучок 2 направляется под углом у на исследуемую поверхность образца. Полученное в резуль тате этого электромагнитное излучение в направлении, характеризуемом углами а и 3, проходит...
Устройство для измерения параметров источников питания
Номер патента: 1335815
Опубликовано: 07.09.1987
МПК: G01D 5/14
Метки: источников, параметров, питания
...обмотки трансформатора 13 и по завершении первого полупериода фаза синусоидального напряжения на его выходе скачком изменяется на 180 (фиг. 2 з).Так как скачок фазы происходит при прохождении сетевого напряжения через нуль, то в цепи ИИП 9 не возникают всплески переходного процесса. После усиления усилителем 17 мощности напряжение на вторичной обмотке второго трансформатора 18, имеющее синусоидальную форму, синфазно с сетевым напряжением в одном полупериоде выходного напряжения формирователя 12 импульсов и противофазно в другом полу- периоде, В одном положении переключателя 6 последовательно с сетевым входом ИИП 9 подключается вторичная обмотка трансформатора 18, а токовый ключ 7 управляемым входом подключается к выходу источника 8...
Устройство для измерения параметров источников питания
Номер патента: 1597802
Опубликовано: 07.10.1990
МПК: G01R 31/40
Метки: источников, параметров, питания
...величины скачкавыходого напряжения БВВ 1 будет ЬУ= ;=" Рвь.- . Цвых.г, тогда глубина модуляции Выхрднхого напряжения БВВ и выражается.фроим образом; Как это следует из (4),губина модуляции и определяется только. соротивлениями резисторов 13 - 15 ине 4 Б завхйбт,от напряжения .,в регулируемогоисточника О напряжения, а величина вы-.ходного напряжения БВВ 1, определяемая Ъырйкейием (3), прямр пропорйКональна Ухп, "г.е,ф,1 взменение и усгансвка выход",нОго напряжения БВВ:1 производится ез йзмене- % 4 ия,глубины модуляции, что приводит к по.стоянству отноеительного "измециия выходногов напряжения БВВ. Частота Модуляцииопределяется частотой генератора 18 опор- ,ного". напряжения, При измерении коэф:фицйента нестабильности на выходе 23...
Устройство для измерения толщины тонких пленок
Номер патента: 657241
Опубликовано: 15.04.1979
Авторы: Александров, Дорджин, Куваев
МПК: G01B 11/06
Метки: пленок, толщины, тонких
...лазер, коллиматор 2,полевую диафрагму 3, диффузно рассеивающую пластинку 4, микроинтерферометр 5, исследуемую пленку б наподложке 7.Предлагаемое устройство работаетследующим образом.Подложку 7 с пленкой 6 кладут напредметный столик (на чертеже ие показан) микроинтерферометра 5, Лучиот источника 1 монохроматическогоб 5724 Формула изобретения Составитель Л, ЛобзоваРедактор И. Харитонова Техред И,Бабурка Корректор М. Демчик 777/38ЦНИИПИ Гпо дел113035,8 бгомитета СССРоткрытий ушская наб Тиражсударственногом изобретений иосква, Ж, Ра Подписное аказ Филиал ППП Патент, г. Ужгород, Ул, Проектная,света, пройдя коллиматар 2 и полевую диафрагму 3, попадают на диффузнорассеивающую (вибрирующую) пластинку 4, которая осуществляет эффект размазывания...
Предыдущий патент: Устройство для измерения размера объекта
Следующий патент: Способ определения площади контакта при обработке металлов давлением
Случайный патент: Кольцекрутильное устройство кольцевых прядильных и крутильных машин