Способ создания исходного материала для селекции пшеницы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Сфва Сфветсини Сфцттаеюическм РесвубаикОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕМЬСТВУ 186903(22) Заявлено 03. 01. 80 (21) 2863309/30-15с присоединением заявим йо(5 Цм. клз Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий(088.8)В. С. Дверняков, Ю, П. Шали н, В.Л.,Тикуш,В.Ы. Тимошенко, В.В. Пасичный, 01 А. ТеплякОВаи Г.В. РусаковсОрдена Трудового Красного Знамени институтпроблем материаловедения(71) Заявитель 54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИСХОДНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ СЕЛЕКЦИИ ПШЕНИЦЫИзобретение относится к области селекции хлебных злаков и может быть использовано в сельском хозяйстве.Известен способ селекции исходного материала путем получения мутаций в результате воздействия солнечной радиации 11 7. Однако. данный способ дает незначительный выход мутанотов, так как невозможно учесть такие параметры, как ориентация зерен при облучении, сложное влияние активированной газовой среды на семена при облучении, влияние электрического поля на регулирование процессов в рассматриваемых биологических системах, влияние рода газа и др.Известен также способ, по кото" рому мутации получают путем облучения ксеноновой .лампой высокого давления (ДКсРкВт).и эллипсоидного зеркала диаметром 600 мм, а мутагенное действие излучения проявляется в зависимости от концентрации падающего светового потока 1 2 7.Недостатками способа являются малая эффективность и небольшой выход мутантных форм с хозяйственно- ценными признаками. Целью изобретения является увеличение выхода полезных мутантов.Поставленная цель достигаетсятем, что семена пшеницы облучают вразреженной среде воздуха или кислорода, которую активируют высокочастотным разрядом.П р и м е р 1, Пенокварцевуюподложку с ориентированными к источнику излучения зернами помещали вреакционную камеру из оптическичистого кварца и подвергали в атмосфере разреженного воздуха воздействию концентрированного светового 15 потока под давлением 1 мм рт.ст.Генерирование атмосферных частиц иионизация газа достигались с помощьювысокочастотного генератора мощностью100 Вт, работающего при частоте 20 7,5 мГц. Облучение зерен проводилис помощью установки лучистого нагрева типа "Уран" с ксеноновой лампой ДКскВт при режиме3 ккал(м ,с . с экспозицией 5 мин.Длительность импульса облучения се"мян регулировали обтюратором,вращающимся со скоростью 60 об/мин. Выход мутагенных форм. составил 6, вконтроле 2. Полученные растения от;личались короткостебельностью,уве869703 формула изобретения Составитель Л, МарченковРедактор Е. Корина ТехредМ.рейвес Корректор Г. Назарова Тираж 703 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Эакаэ Зб 85/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 личенным содержанием фотосинтезирующих пигментов,П р и м е р 2. Подложку с зернами помещали в реакционную камеру иподвергали в атмосфере разреженноговоздуха воздействию концентрированного светового потока. Давление в системе составляло 1 мм рт.ст. Генерирование атмосферных частиц и ионизация газа достигались с помощью вйсбкочастотного генератора мощностью,100 Вт, работающего при частоте7,5 мГц, Облучение зерен проводилис помощью установки лучистого нагрева типа "Уран" с ксеноновой лампой ДКсРкт при режиме облучения 10 икал/м .с и экспозиции 15 мин.Выход мутантных форм составил 12.Полученные растения отличались короткостебельностью, более плотным коло"сом, измененной окраской колоса,повышенной кустистостью.П р и м е р 3; Подложку с ориентированными зернами пшеницы помещалив реакционную камеру и поступали,как в примере 1, но опыт ставили ватмосфере разреженного кислорода. Выход мутантных форм составил 14,5 В,П р и м е р 4. Поступали, как в примере 2, но опыт ставили в атмосфере разреженного кислорода. Выход мутантных форм с полезными признаками составил 23.Предложенный способ позволяет значительно увеличить количество полезных мутаций, оказывает более эффективное влияние на наследственную структуру растений, приводит к генетическим изменениям в потомстве. Способ создания исходного материала для селекции пшеницы, включающий15 импульсное ксеноновое облучение семян в газовой среде, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения выхода полезных мутантов, семенапшеницы облучают в разреженной среде20 воздуха и кислорода, которую активируют высокочастотным разрядом.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Сб "Проблемы фотоэнергетики".25 Алма-Ата, 1974, с. 181-182.2. Там же, с. 214-215 (прототип),
СмотретьЗаявка
2863309, 03.01.1980
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ
ДВЕРНЯКОВ ВАСИЛИЙ СЕМЕНОВИЧ, ШАЛИН ЮРИЙ ПОРФИРЬЕВИЧ, ТИКУШ ВАДИМ ЛУКЬЯНОВИЧ, ТИМОШЕНКО ВАЛЕНТИНА МИТРОФАНОВНА, ПАСИЧНЫЙ ВЛАДИСЛАВ ВАСИЛЬЕВИЧ, ТЕПЛЯКОВА ОЛЬГА АНТОНОВНА, РУСАКОВ ГЕННАДИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: A01H 1/04
Метки: исходного, пшеницы, селекции, создания
Опубликовано: 07.10.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-869703-sposob-sozdaniya-iskhodnogo-materiala-dlya-selekcii-pshenicy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания исходного материала для селекции пшеницы</a>
Предыдущий патент: Устройство для культивирования растений
Следующий патент: Способ определения устойчивости злаков к насекомым, повреждающим зерно
Случайный патент: Станок для вибрационной обработки