Способ изготовления пьезоэлементов со щелями

(51) М Кл 3 Н 03 Н 3/02 Гесудерлтвеинцй комитет пе лелем изобретений и етврмтий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТОВ СО ЩЕЛЯМИ Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении кварцевых резонаторов.Известен способ изготовления кристаллических элементов, заключаюшийся в том, что пластину пьезоэлектрика с толгциной и длиной, равной соответствуюшим размерам, наклеивают вместе с подложкой на держатель отрезного станка, прорезают щели алмазным кругом на треоуемую глубину и отрезают кристаллический элемент от заготовки 11).Недостатком данного способа изготовления кристаллических элементов является невысокая точность изготовления кристаллических элементов.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ изготовления пьезоэлементов со шелями, при котором разрезают пьезоэлектрик на плоскопараллельные пластины, механически обрабатывают их, наносят пленочные защитные покрытия вне областей расположения щелей и подвергают пластины травлению 12).Недостатком данного способа является сложность технологического процесса из-за сложного процесса шлифования кристаллов.Цель изобретения - упрощение технологического процесса.Данная цель достигается тем, что в способе изготовления пьезоэлементов со шелями, механическую обработку пластин проводят до толщины, равной сумме толшин пьезоэлектрика, стравливаемого за время, в течение которого сохраняется слой защитного покрытия, и за время, необходимое для протравливания шелей.10На фиг. 1 - 4 представлена технологическая цепочка изготовления пьезоэлементовсо шелями.Способ изготовления пьезоэлементовкварцевых резонаторов включает механическую обработку подложек, например раз мером 20 Х 20 мм до заданной толщины,порядка 200 мкм (фиг. 1), нанесение слоя фоторезиста или Рфтолщиной по 15 - 20 мкм и экспонирование этого слоя для получения заданной конфигурации защитной маски тела кристаллического элемента ре зонатора (фиг. 2), а также предусматриваюшее образование соединительных мостиков, чтобы после травления элементы были соединены между собой. Подложки с нанесен:Ьк; 6%)283ВНИ ИПИпо д Н 3035, Мо лиал ППП о комушскаг)рг)д,4/5ная, 4 зцым г)отг)рсзсго пг)двер) аются хит(и(цскому или плазменному травлсцгпо (григ. 3 а, б, в), в результате чего участки, нс покрытые фоторезистом, протравлинаются на некоторую глубину, определяемую скоростью травления фоторезиста (фиг. 3 а) и гравление продол жгется и далее после стравливания защит - ного слоя фоторезиста (фиг. 3 б) до необходимой толщины 25 - ЗО мкм и получения тела пьезоэлемента со гцелями (фиг.,3 в) .Для получения пьезоэлемента на него наносят электродное покрыпгие (фиг. 4).Данный способ может применяться для изготовления плоских кристаллических элементов любой конфигурации: камертонов, дисков, пластин прямоугольной формы, со срезанными или скругленными краями и т. д. (5 Эти элементы могут предназначаться для резонаторов с колебаниями изгиба, сжатия растяжения, сдвига по толщине или по контуру. Использование данного способа позволяет осуществлять групповую технологию изготовления кварцевых резонаторов, обес 20 печиваюшую: упрощение процесса шлифования кристаллов и операции металлизации, поскольку закладка в кассеты для металлизации производится сразу большой гре 4бенки крис(аллических элементов, оценкукачества пьезоэлемен гов с помошью зондовдо операции монтажа и т. д. Форму,га изобретенияСпосоо изготовления пьезоэлементовсо щелями, при котором разрезак)т цьезоэлсктрик ца плоскопараллельные пластинь:,механически оорабатывают их, наносят плецо )цыс загцитные гц)крытия вне областейрасположения щелей и подвергают пластинытравлению, от,)ичшои:,ийгя тем, что, с цел)цоупрощения технологического процесса, механическую обработку пластин проводя)до толщины, равной сумме толшин пьезоэлектрика, стравливаемого за время, в течение которого сохраняется слой защит(гопокрытия, и за время, необходимое для (.ротравливания щелей.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР372646, кл. Н ОЗ Н 3/02, 02.12.71..,). Н. Яацг(1 е. Рг ос. 27-(1) Аггпа 1 51 п)- ров(цгп оп Ггес(цепсу Сг)п(гг)(, 1973, р. 50- -1 а нн аКоррс ктор К). МакаренкгПодписноеитета (.О.Роткрытийя наб., д.ул. Проект