Способ обнаружения дефектов и включенийв материалах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОПИСАНИЕ ИЗОБР ТЕНИЯ лнительное к авт, свид 5 51(22) Заявлено 23,07,7 21) 2801048/ л 03 В 41 присоединением заявки Нов мнтет осударственный ко СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования опис 3,В СЯф 46 тхев,1 Ц 1 т 101 Х 11;1 ЦКИАгБНйщ;.,р(72) Авторы изобретени Л.А.Гудков, В.А,Котельни П.А.Курсевич и В,Н.Бал О.Н.Пивов 71) Заявитель 4) СПОСОБ ОБ И ВКЛЮЧЕНИЙ В У)ЕНИЯ ДЕФЕКТОВТЕРИАЛАХ относится к нераз контроля качества 2 Изобретение рушающим методам поверхности.Известны способы получения изображений различного рода объектов в вы 5 сокочастотном. электромагнитном поле, которые основаны на создании высокочастотного разряда между объектом и электродом, подключенным к генератору высокой частоты. На электрод накладывается фотопленка, обращенная эмульсией к объекту. Эти способы позволяют фиксировать на фотопленке структуру и детали объекта невидимые невооруженным глазом, а также глу бинную структуру объекта 1).Однако такие способы не обеспечивают получения качественных изображений на фотоматериале или качественных визуально наблюдаемых изображе О ний объектов со сложной геометрией поверхности.Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является способ обнаружения дефектов и включений в материалах, заключающийся в наложении высокочастотного разряда между образцом и прозрачным электродом, и регистрации свечения разряда. При этом промежуток между исследуемым 30 объектом и электродом устанавливают внутри обкладки, плотно прижимаемой к изучаемому участку объекта. Обкладку, накладываемую на изучаемый участок объекта, выполняют из двух прозрачных эластично-пластичных диэлектриков, разделенных тонкой текстильной тканью. Один из слоев диэлектрика покрыт прозрачным токопроводящим слоем, через ячейки ткани возникает разряд, двумерное распределение которого зависит от электрического состояния фотографируемого или визуально наблюдаемого объекта,21 .Однако прижатие диэлектрической обкладки к поверхности исследуемого объекта не позволяет получить равномерныи контакт с исследуемым объектом,если его поверхность имеет достаточно сложныи рельеф и сложную геометрическую рорму. Цель изобретения - повышение достоверности исследования для объектов со сложным рельефом поверхности.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе обнаружения дефектов и включений в материа лах исследований, образец погружают в жидкий диэлектрик, при этом проз832522 Формула изобретения Составитель В.ОбуховРедактор Н.Пушненкова Техред Ж.Кастелевич Корректор С.Шекмар Заказ 4085/88 Тираж 506 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д,4/5 Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 рачный электрод устанавливают над свободной поверхностью жидкости.На чертеже изображено устройство, позволяющее реализовать предлагаемый способ.Устройство содержит ванну 1 с жидким диэлектриком 2, в которую помещен контролируемый образец 3 так, что жидкий диэлектрик его полностью покрывает, и разрядно-оптическое устройство, состоящее из прозрачного электрода 4, оптического устройства 5 и фотоматериала или считывающего устройства 6. Контролируемый образец соединен с выходом высокочастотного генератора 7.Сущность способа заключается в том, что регистрируется неоднородность в распределении интенсивности свечения разряда в разрядном промежутке между поверхностью жидкого диэлектрика и прозрачным электродом.Предлагаемый способ позволяет получать качественные изобретения контролируемых объектов с любой сложной формой и рельеФом поверхности, так как достигается равномерность разрядного промежутка, заключенного между поверхностью жидкого диэлектрика и вторым электродом,Способ обнаружения дефектов ивключений в материалах, заключающийся в наложении высокочастотного разряда между образцом и прозрачным электродом и регистрации свечения разряда, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения достоверности исследования для объектов со сложным рельефом поверх ности, исследуемый образец погружают в жидкий диэлектрик, при этом прозрачный электрод устанавливает над свободной поверхностью диэлектика. рИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Кирлиан В.Х. и Кирлан С.Д.В мире чудесных разрядов.М "Знание", 1966.2. Лвторское свидетельство СССРФ 209968, кл. 6 03 В 41/00, 10.11,66
СмотретьЗаявка
2801048, 23.07.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2763
ПИВОВАРОВ ОЛЕГ НИКОЛАЕВИЧ, ГУДКОВ ЛЕОНИД АЛЕКСАНДРОВИЧ, КОТЕЛЬНИКОВ ВАЛЕРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, КОЧЕТКОВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, КУРСЕВИЧ ПЕТР АНТОНОВИЧ, БАЛАКШИН ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03B 41/00
Метки: включенийв, дефектов, материалах, обнаружения
Опубликовано: 23.05.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-832522-sposob-obnaruzheniya-defektov-i-vklyuchenijjv-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обнаружения дефектов и включенийв материалах</a>
Предыдущий патент: Светооптическая система для кинокопиро-вального аппарата непрерывной аддитивнойпечати
Следующий патент: Электронные часы
Случайный патент: Шнековый буровой инструмент