Способ детектирования сигналав pactpobom электронном микроскопе

Номер патента: 830597

Авторы: Антонюк, Доронин, Иванников, Лукьянов

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскккСоцналксткческизРеслубллк(53) УДК 621.385. 833 (088,8) Опубликовано 15.05.81. Бюллетень18Дата опубликования описания 25.05.81 пе левам кзееретеиий и етерытнй(72) Авторы изобретен ин й Революции и,ордена нный "университет ковский ордена Ленина, ордена Ок Трудового Красного Знамени гос им. М. В. Ло(54) СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ СИГНАЛ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОП Изобретение относится к электронной макроскопии и может быть использовано для исследования с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) распределения потенциалов и локальных полей на поверхности твердого тела.Известен способ детектирования сигнала вторичных электронов в РЭМ, состоящий в том, что пучок вторичных электронов с образца собирают с помощью коллектора, состоящего из системы диафрагм, цилиндров и сеток, и направляют на линзу о фильтр, в которой пучок электронов анализируется по энергиям 11.Однако такой способ детектирования вторичных электронов и основанный на этом способе метод анализа распределения поверхностных потенциалов характеризуются недостаточно высокой чувствительностью и точностью измерения по всему полю зрения в основном из-за низкого отношения сигнал/шум.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ детектирования сигнала в РЭМ путем создания с помощью входной сетки параллельного пучка вторичных электронов и усиления его интенсивности с помощью микроканального умножителя (МКУ) 2.Однако в устройствах, реализующих указанный способ, не предусмотрен анализ вторичных электронов по энергиям, а простое суммирование линзы-фильтра и МКУ не приводит к заметному увеличению отношения сигнал/шум.Цель изобретения - повышение чувствительности и точности измерения по всему полю зрения за счет анализа вторичных электронов по энергии,Указанная цель достигается тем, что согласно способу детектирования сигнала в РЭМ путем создания с помощью входной сетки параллельного пучка вторичных электронов и усиления его интенсивности с помощью МКУ между входной сеткой и входным общим электродом микроканальной пластины прикладывают тормозящую для электронного пучка разнбсть потенциалов.На чертеже изображена схема коллектора РЭМ, реализующего предлагаемый способ детектирования сигнала вторичных электронов.Коллектор состоит из насадка 1, входной сетки 2, пластины ИКУ 3, корпуса 4 и830597 Формула азобретения Составитель В. Гаврюшин а Техред А. Бойкас Корректор С. Шомак Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и о 1 крытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Редактор М. ЦиткинЗаказ 2671/11 светопровода 5, на торце которого нанесенслой люминофора. На другом конце светопровода закреплен фотоэлектронный умножитель (ФЭУ).Коллектор работает следующим образом.Пучок вторичных электронов направляют на сетку 2, обеспечив с помощью вспомогательных диафрагм параллельность пучка. После прохождения этой сетки пучоктормозят в пространстве между сеткой ипередней поверхностью пластины МКУ 3тормозящей разностью потенциалов 1)с, - Цц, 10затем усиливают интенсивность (ток) вторичных электронов, проходящих внутриМКУ, разностью потенциалов 11 м - ( 1 А 41,после чего ускоряют прошедшие электроныразностью потенциалов ( )з -м между15задней поверхностью пластины МКУ и слоем люминофора на светопроводе 5,Анализ вторичных электронов по энергиям осуществляется в пространстве между входной сеткой 2 и передней поверхностью пластины МКУ 3, причем роль анализирующей сетки играет передняя поверхность пластины МКУ. Изменяя напряжение(1 м 1 на ней, можно пропускать электроны,энергия которых превышает заданную, Коэффициент усиления МКУ по току можнорегулировать, изменяя напряжение Ц,назадней поверхности пластины МКУ.Вышедшие из МКУ и ускоренные электроны вызывают свечение люминофора на торце светопровода 5, и световой сигнал регистрируется с помощью ФЭУ и обычных видеоусилителей, При изменении потенциала (.(м,снимаются кривые задержки, по сдвигу которых измеряется перепад локальных потенциалов на исследуемой поверхности образца. Можно также использовать системы с обратной связью с фиксацией заданного уровня сигнала на выходе.Способ обеспечивает отношение сигнал/ шум, существенное повышение чувствительности и точности измерения локальных потенциалов по всему полю зрения. Способ детектирования сигнала в растровом электронном микроскопе путем создания с помощью входной сетки параллельного пучка вторичных электронов и усиления его интенсивности с помощью микроканального умножителя, отличающийся тем, что, с целью повьндения чувствительности и точности измерений по всему полю зрения за счет анализа вторичных электронов по энергии, между входной сеткой и входным общим электродом микроканальной пластины прикладывают тормозя 1 цую для электронного пучка разность потенциалов. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР503316, кл. Н О,1 37126, 1976,2. Патент Англии1447983,кл. Н 01 У 37/26, опублик. 1976 (прототип).

Смотреть

Заявка

2801360, 25.07.1979

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНАТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. M. B. ЛОМОНОСОВА

ЛУКЬЯНОВ АЛЬБЕРТ ЕВДОКИМОВИЧ, ИВАННИКОВ ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ, АНТОНЮК ВАЛЕРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ДОРОНИН ИГОРЬ ОЛЕГОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01J 37/26

Метки: pactpobom, детектирования, микроскопе, сигналав, электронном

Опубликовано: 15.05.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-830597-sposob-detektirovaniya-signalav-pactpobom-ehlektronnom-mikroskope.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ детектирования сигналав pactpobom электронном микроскопе</a>

Похожие патенты