Способ изготовления стеклопластика
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВ ВТВЛЬСЗВУ(22) Заявлено 2901.79 (21) 2718929/23-05 Сафа Севетскнк Сецнаанстючеаких Ресеубанкн 118 020,68 М (з с присоединением заявки Йо В 29 С 7/00 Государственный комнтет СССР но делан нзобретеннй н открытнй(23) Приоритет Опубликовано 0702,81, Бюллетень ЙЯ 5 Дата опубликования описанмя 10 Р 281(541 Сп 3 ГОТ СТЕ СПИКА извод- может ении ро е к онИзобретение относится к прову армированных пластиков ить использовано при изготовлсущих деталей из стекло-, бо углепластиков и других констру циных полимерных материалов.Известен способ изготовления стеклопластика, включающий формование его контактным давлением при одновременном воздействии постоянного магнитного поля 11 . Однако получаемый при этом стеклопластик имеет недостаточно высокую трансверсальную прочность и прочность при.межслоевом сдвигеБлижайший к изобретению готовления стеклопластика св. В 601177, обеспечивающ трансверсальную прочность при межслоевом сдвиге, зак в формовании слоев стеклоткани, пропитанных эпоксидным связующим, контактным двалением при одновременном воздействии постоянного магнитного поля..ст бы не способ изпо авт.ий высокую и прочность лючающимся 20 ниинитторо30 15 о т при напрягнитного пол ентации векянного магнит формование произво женности постоянного 800-900 Э и угловой о тора напряженности пос ного поля относительно действующегоконтактного давления 7-22 2).Эффективность способа недостаточно высокая.Цель изобретения - повьыение эффективности производства.Эта цель достигается тем, что поспособу изготовления стеклопластика,включающему формование слоев стеклоткани, пропитанных эпоксидным связующим, контактным давлением при одновременном воздействии постоянногомагнитного поля, формование производят при напряженности постоянного маг 15 нитного поля 800-900 Э и угловойориентации вектора напряженности постоянного магнитного поля относительно действующего контактного давления7-22 , воздействие постоянного магнитного поля осуществляют в течение3-5 мин при 80-100 С после приложения контактного давления.П р и м е р . Апробирование способа производят при прессовании плиттолщиной 50 мк пи контактном давле 12-15 кгс/см , напряженности магного поля 850 Э н углом между векм напряженности магнитного поляействующим контактным давлением90 323 311 316 0,35 0,42 90 90 165 250 0,20 50 174 194 190 181 70 268 0,20 0,20 0,20 0,20 80 100 120 326 321 304 ВНИИПИ Заказ 10478/16 Тираж 765 Подписное филиал ППП фПатентф, г. ужгород, ул. Проектная, 4 Время воздействия постоянного магнитного поля и температуру прессуемого стеклопластика варьируют в предлагаемых пределах.В качестве исходных компонентов для изготовления стеклопластиковых плит берут стеклоткань ТС/3-250 и полимерное связующее ЭДТследующего состава, вес.ч.: Формула изобретенияСпособ изготовления стеклопласти ка по ав. св. в 601177, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью по 2 нюения эффективности производства, воздействие постоянного магнитного поля осуществляют в течение 3-5 мин Я при 80-100 С после приложения контактного давления. Прочностные свойства армироЮЗЭЯого пластика представлены в таблице.Анализ результатов апробирования способа согласно изобретению позволяет сделать вывод о том, что при обеспечении прочностных свойств стеклопластика таких же, как для стеклопластика по авт. св. 9 601177, технология изготовления армированного пластика значительно эффективней. Об этом свидетельствует снижение энергозатрат на каждый образец не менее чем в три раза, значительно снижается также изнашиваемость используемого оборудования для создания постоянного магнитного поля. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР 9 398408, кл. В 29 С 7/00, 1972.2. Авторское свидетельство СССР Ю 601177., кл. В 29 6 7/00, 1976 (прототип),
СмотретьЗаявка
2718929, 29.01.1979
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА КРАСНОГО ЗНА-МЕНИ МЕХАНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ШАЛЫГИН ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ, АЛЕКСЕЕВ ГЕННАДИЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ, МАКАРОВ ОЛЕГ НИКОЛАЕВИЧ, КРАСНОВ ЛАВРЕНТИЙ ЛАВРЕНТЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: B29C 43/30, B29C 70/34, B29D 9/00
Метки: стеклопластика
Опубликовано: 07.02.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-802068-sposob-izgotovleniya-stekloplastika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления стеклопластика</a>
Устройство для измерения напряженности постоянного магнитного поля
Номер патента: 1004924
Опубликовано: 15.03.1983
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитного, напряженности, поля, постоянного
...напряжения 1 (фиг.1), генератор 2 прямоугольных имульсов, дифференцирующую цепочку 3, счетчик 4 интервалов времени, усилитель 5, две компенсирующие катушки 6 с ферромагнитными сердечниками, включенные в схему электрического моста.1004924 о 25 ИИПИ Заказ 504 раж 708 Подписное 3Устройство работает следующимобразом.,Генератор 2 запускает через дифференцирующую цепочку 3 счетчик 4интервалов времени и одновременночерез пер-.ый вход блок 1, С этогомомента ( точка А, фиг.2 ) на выходеблока 1 начинает формироватьсяпилообразное напряжение. Когда создаваемое этим напряжением магнитное поле в компенсирующих катушках6 достигнет значения измеряемогомагнитного поля, происходит быстроеперемагничивание сердечника и навыходе электрического...
Устройство для измерения напряженности постоянных магнитных полей
Номер патента: 283393
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Енчевич
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитных, напряженности, полей, постоянных
...для измерения напряженности постоянных магнитных полей отличается от известных тем, что в нем датчик выполнен в виде катушки индуктивности с обмоткой из ферромагнитного материала, которая включена в резонансный контур, соединенный с индикатором добротности. Благодаря этому становится возможным измерение слабых полей, а также измерение при высоких температурах окружающей среды,Схема предлагаемого устройства изображена на чертеже.Катушка 1 из ферромагнитного материала является элементом резонансного контура измерителя добротности 2, работающего на высокой частоте, например 20 лсгги,.Работа устройства основана на измененииактивного сопротивления катушки для высоко частотных токов (сопротивления скин-эффекта) при помещении ее в...
Индукционный компаратор для измерения напряженности постоянных магнитных полей
Номер патента: 346689
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Звенигородский, Семенов
МПК: G01R 33/025
Метки: индукционный, компаратор, магнитных, напряженности, полей, постоянных
...для обеспечения дистанционного измерения величины ц топографии магнитных полей вращение индикаторной и компенсационной катушек осуществляют отдельными двигателями, а для синхронизации и синфазирования вращения катушек один из двигателей питают от независимого низкочастотного генератора, а другой двигатель - от управляемого низкочастотного генератора, причем частота и фаза напряжения на выходе этого генератора зависит от рассогласования скоростей и фаз вращениякатушек.Блок-схема мпаратора приведена на ч В поле поверяемой магнитной системы 1расположена индикаторная катушка 2, которая приводится во вращение от привода 3, питаемого генератором 4 низкой частоты, Компенсационная катушка б размещена в поле образцовой магнитной системы 6 ц...
Устройство для определения вектора напряженности постоянных магнитных полей
Номер патента: 405096
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G01R 33/02
Метки: вектора, магнитных, напряженности, полей, постоянных
...относительно другого на 90. При этом датчик э.д.с. Холла имеет наибольшую чувствительность к изменению яаправления вектора Й в том случавектор Н совпадает с плоскостью ве напряженности эл р в датчике.На фиг. 1 схематически изображен концентратор предлагаемого устройства; на фиг. 2 показана схема включения датчиков э.д.с. Холла.Предлагаемое устройство содержит концентратор 1; датчики 2, 3, 4, 5 э.д.с. Холла; уси-. литель 6 напряжения; выпрямитель 7; сумматор 8; измерительный преобразователь 9; источник 10 переменного тока; источник 11 постоянного тока; резисторы 12.Концентратор 1 выполнен в форме замкнутой прямоугольной рамки с утолщениями на концах, которые позволяют повысить чувствительность устройства. В зазорах,концентратора...
Способ измерения напряженности постоянного магнитного поля
Номер патента: 531111
Опубликовано: 05.10.1976
Автор: Андрианов
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитного, напряженности, поля, постоянного
...магнитометра,5 =5(Н)+5 ивыхСигнал помехи может быть обусловлен р в частности нескомпенсированным фазовым сдвигом вспомогательного напряжения относительно опорного напряжения, а также сдвигом нуля синхронного детектора, Таким образом, указанный сдвиг помехи вызывает рр систематическую погрешность измерений.Магнитометр включает в себя аналоговый квантовый преобразователь 1, к катушкам которого подводится переменное напряжение от генератора 2, служащее для со щ дания вспомогательного переменного поля.Необходимое инвертирование фазы этого переменного напряжения можно осуществлять, например коммутатором В, установленным в тракте вспомогательного напряже- у ния, приложенного к преобразователю, как это показано на фиг, 1, Напряжение с...
Предыдущий патент: Устройство для уплотнения армирую-щего материала
Следующий патент: Устройство для съема маканых изде-лий c форм
Случайный патент: Состав для предпосевной обработки семян хлопчатника