Способ изготовления нелинейных конденсаторов

"%тощ ь 1.: 2 г, Млкютс. -:. 4-.ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик 1 1 788199Опубликовано 15.12.80. Бюллетень46Дата опубликования описания 23.12.80 по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения О. Г. Вендик, Г. Д. Лоос и А. И, Дедык Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В, И. Ульянова (Ленина)(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ Изобретение относится к радиоэлектронике, преимущественно криоэлектроникеи может быть использовано при изготовлении нелинейных конденсаторов для криоэлектронных устройств.Известен способ изготовления нелинейных конденсаторов на основе нелинейныхкристаллов ЬгТ 10 з, СаТЮз, СОТЮз,КТаОз 1.Недостатком этого способа являетсявысокий уровень потерь,Наиболее близким к предлагаемому яв цляется способ изготовления нелинейныхконденсаторов, включающих охлаждениенелинейных кристаллов, с нанесенными наних электродами до криогенной рабочейтемпературы 2.Недостатком этого способа являетсявысокий уровень потерь изготовляемых конденсаторов.Цель изобретения - снижение уровнядиэлектрических потерь.Цель достигается тем, что в способе щизготовления нелинейных конденсаторов,включающем охлаждение нелинейных кристаллов с нанесенными на них электродамидо криогенной температуры, нелинейные кристаллы с нанесенными на них электродами помещают в статическое электрическое поле, величина которого соответствует напряженности поля насыщения реверсивной характеристики материала.Пример 1, Изготовление нелинейного конденсатора на основе монокристаллического титаната стронция включает резку крис таллов, шлифовку и полировку их рабочих поверхностей, например, до конечной толщины 0,2 мм. На тщательно промытые рабочие поверхности кристалла методом термического вакуумного распыления наносятся медные электроды с подслоем хрома. Площадь электродов 4 мм, толщина электродов 1 мм, пайка токоотводов проводится индием. Затем при комнатной температуре к кристаллу (к электродам) прикладывается статическое электрическое поле напряженностью 2 кВ/мм, соответствующей участку насыщения реверсивной характеристики ЯгТ 1 Оз, и кристалл охлаждается до рабочей температуры 4,2 К, при этом в результате взаимодействия внешнего электрического поля с внутренним полем заряженных дефектов происходит снижение уровня потерь до 10 з - 10 4. Диэлектрическая про788199 ницаемость несколько уменьшается и составляет величину ЕФ 12000 - 27000.Электрическое поле снимается при достижении кристаллом рабочей температуры 4,2 К. Измерения электрических характеристик нелинейного конденсатора выполняются3 на частоте 1 кГц мостовым методом. Результаты измерений представлены в таблице (пример 1).Пример 2. Проводится изготовление нелинейного конденсатора на основе монокристаллического ЬгТ 10. Начальные этапы изготовления аналогичны описанным в примере 1. Но охлаждение кристалла до криогенных рабочих температур проводится при одновременном воздействии статического электрического поля напряженностью 1 кВ/мм так как в поле, напряженность которого 4 а меньше напряженности поля, соответствуюС 0 С,пф Способ получения конденсатора Пример г"гаях О=ОВ О=ЗОВ О=ОВ О=ЗОВ Предлагаемыйпри Е= 2 кВ/мм 2 х 10 2 х 10 770 900 То же,при Е=1 кВ/мм 1,5 х 10 7,5 х 10 2030 1080 10 4,8 х 10 10 2800 1200 15 Известный нелинейные Кристаллы с нанесенными на нихэлектродами помещают в статическое электрическое поле, величина которого соответствует напряженности поля насыщения реверсивной характеристики материала,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Ирисова Н. И. и др, Кристаллография,74, т, 19,2, с, 403.2. Вендик О. Г. и др, Известия АН СССР.4 п Сер, Физика, 1975, т. 39,4, с. 841(прототип). Составитель Л. Беспалова Редактор Н. Кешеля Техред А. Бойкас Корректор М. Шароши Заказ 8363/61 Тираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и окрытий 1 3035; Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Таким образом, изготовление криоэлектронных нелинейных конденсаторов по предлагаемому способу позволяет на порядок снизить уровень потерь, повысить качество нелинейных конденсаторов.Формула изобретенияСпособ изготовления нелинейных конденсаторов, включающий охлаждение нелинейных кристаллов с нанесенными на них электродами до криогенной рабочей температуры, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня диэлектрических потерь,щей участку насыщения реверсивной характеристики материала. Измерения электрических характеристик нелинейного конденсатора выполняются также на частоте 1 кГц мостовым методом. Результаты измерений представлены в таблице (пример 2).Результаты измерений электрических характеристик нелинейного конденсатора показывают, что снижение тангенса угла потерь криоэлектронных нелинейных конденсаторов наблюдается примерно на порядок при напряженности поля Е = 2 кВ/мм, соответствующей участку насыщения реверсивной характеристики материала. При напряженности поля Е = 1 кВ/мм, т, е. меньше, чем напряженность поля, соответствующая участку насыщения реверсивной характеристики материала, тангенс угла потерь снижается в 2 раза.