Способ определения коэффициента влагопроводности

Номер патента: 718340

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Александров, Волянский, Крупенников, Перцев, Цимблер, Чубаров

МПК: B65G 51/44

Метки: датчик, контейнеров, пневмотранспортных, прохождения, трубопроводных, установках

...Поставленная цель достигается тем, чтоузел крепления магнита содержит стойку, установленную на втулке, надетой на корпус подвижного контейнера, поворотной относительно последнего, причем втулка выполнена с прорезью в плоскости, перпендикулярной ее продольной оси, и шарнирно подвешенный на втулке противовес с упорами, концы которых расположены в прорези втулки с возможностью их взаимодей- О ствия с корпусом подвижного контейнера.Ф 718340 Рцз 1 На фиг. 1 изображен предлагаемый датчик, общий вид; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.Датчик состоит из магнита 1, установленного на первом в составе контейнере или на пневмовозе, и ответной части 2, смонтированной на трубопроводе 3.Магнит 1 смонтирован на стойке 4, закрепленной на...

Номер патента: 922498

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Сапожникова, Тайманов

МПК: G01B 7/06, G01B 7/14

Метки: датчик, емкостной, поверхности, проводящей, расстояния

...оси 7 симметрии датчика, а смещенные электроды 3 и 4 охватывают основной электрод 2. Электроды подключены к измерительной схеме ( не показано), в которой измеренные сигналы подвергаются соответствующей арифметической обработке. Вал, до поверхности 1 которого измеряется расстояние, является общим электродом.Датчик работает следующим образом рассмотрен пример работы датчика с двумя электродами - основным и одним смещенным). Емкости Си С между каждым из электродов 2 и 3 датчика и общей проводящей поверхностью 1 зависят от расстояния между ними д и д + д дсоответственно. В результате напряжения Чи Ч, снимаемые с этих электродов при фиксированном значении частоты питающего напряжения), будут равны где К - коэффициент пропорциональностиИ -...

Номер патента: 1787132

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Пилецкий, Стародуб

МПК: C01B 33/12, G01N 27/00

Метки: датчика, поверхности, селективной, сенсорного, создания

...На следующий деньпластинки отизмейение числа силанольных групп на по- мывали от матрицы с помощью спирта (3верхности), Затем образец модифицируют 25 раза по 10 мл) и воды (3 раза по 20 мл). Всилилирующими агентами, например три- качестве контрольных образцов служилиметилхлор- или трйметилбромсиланом, гек- кремниевые пластинки, которые орабатывасаметилендисилазаном и т.д., в .вакууме. ли лишь триметилхлорсиланом, как указаноДалее проводится.отмывка и высушивание выше; На всех подготовлейных,таким обра образца поверхности; .: . 30 зо 4 кремниевых пластинках в течение. 20, Полученный таким образом материал. мин проводили сорбцию меченной Р вповерхйости содержит участки с силаноль- а - положении АТР (20 мкг/мл), после чегоными группами,...

Номер патента: 85045

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Богуславский

МПК: C25D 1/10

Метки: гальваническим, методом, образцов, поверхности, чистоты

...из нержавеюше 11 стали,Из отдельных образцов этого набора снима 1 отся негативы гальваническим путем. Образец покрывается слоем никеля толщиной 0,02 - 0,1 лл. На слой никеля накладывается слой меди толщиной ,5 - 2 лл. Затем эта пленка покрытия сни.дается с образца, лицевая сторона которой представляет собой точную негативную копию поверхности образца. Из этой пленки - негатива таким же путем снимаются копии, которые и являются образцами чистоты поверхности. Толщина покрытия на негатив делается, приблизительно, 0,5 - 0,8 лл. Затем пленку, снятую с негатива, наклеивают на металлическую пластинку толщиной 2 - 3 лл.Изготовленные гальваническим методом образцы чистоты поверхности имеют ряд существенных преимушеств: азцов чисМ 85045 Предмет...

Номер патента: 442402

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Барманский, Сыромятникова

МПК: G01N 25/56

Метки: влаги, испарения, исследуемого, поверхности, скорости

...относительной влажности и температуре, преобразуют в соответствии с зависимостью скорости испарения влаги от параметров среды.Сущность изобретения поясняется чертежом, где:1 - точка измерения влажности р.т и температуры 11 на расстоянии х от испаряющей поверхности;2 - точка измерения влажности р 2 и температуры 1,2 на расстоянии х 2 от испаряющей поверхности;3 - испаряющая поверхность. Для определения скорости испарения влаги с поверхности исследуемого материала может быть использована зависимость скорости испарения от параметров среды при диффузионном переносе паров:Р - р - Рн ) Рнх,9 х, ) 9 х) Величиныкак: Рн,х, -- Рн.о АРх,); Рн.х, -- Рн.о В(1 х,),Предмет изобретения Составитель Н, Лунев Техред Л, Морозова Корректор Л....