Способ защиты тиристорного преобразователя от перегрузок

Номер патента: 618815

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Ланда, Синельников

МПК: H02H 7/04

Метки: защиты, перегрузки, силового, трансформатора

...перегрузки с временем срабатывания, зависящим от температуры наиболее нагретой точки обмотки.При этом производится суммирование напряжений, пропорционалЬных току нагрузки и температуре верхних слоев масла, причем выходное напряжение сумматора подается на выход реле времени с зависимой от этого напряжения выдержкой времени срабатывания,Работа данного устройства для защиты трансформаторов от перегрузки иллюстрируется блок-схемой на чертеже.618815 Формула изобретения Редактор В. ФельдманЗаказ 4271/45 1111 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва. )К.35, Рауьпская наб., д. 4/5Филиал Г 1 Г П Патент, . Ужгород, ул. Проектная, 4 3Ток нагрузки силового трансформатора 1...

Номер патента: 1259392

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Бики, Биманис, Розенкрон, Чукурс

МПК: H02H 3/08, H02H 7/04

Метки: защиты, перегрузки, силового, трансформатора

...ток нагрузки защищаемого силовоготрансформатора от его трансформаторатока (от датчика тока),3Ток от датчика 4 тока поступает кФункциональному преобразователю 5тока в напряжение, на выходе которого формируется напряжение5 лН йБ,. Ко 8 9 ст нам фгде К - кратность перегрузки по токуп - показатель степени (для трансформаторов с системой охлаждения10 Мп = 0,8);- напряжение на выходе преобразователя 5 при номинальной нагрузке трансформатора (К1).Напряжение на выходе преобразова 15 теля 5, пропорциональное установившемуся нагреву обмотки над маслом8, , поступает на вход блока электрической модели 6 теплового процесса обмотки трансформатора над маслом,20 выполненном на интегрирующей кС-цепи(фиг. 2), выходное напряжение ь П,вкоторой на...

Номер патента: 1319155

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Демидов, Жабинский, Руфеев, Терентьева

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, преобразователей, силовых

...Прн пороговой температуре шунт обладает ферромагнитными свойствами и магиитное поле постоянного магнита 1 полностью шунтируется. В этом случае при токе. превышающем максимально допустимый, который равен максимально возможному, магнитоуправляемый контакт 5 срабатывает под действием только маг"- нитного поля катушки 4. При повышении температуры полупроводникового элемента вьппе пороговой уменьшаетсл его предельно допустимьй ток, который при температуре 120 С равен нулю. В этом диапазоне температур материал шунта 2 постепенно теряет ферромагнитные свойства. По мере снижения шунтирующих свойств шунта 2 возраста ет действие магнитного поля постояниого магнита 1 иа мат ииоулравляемыйконтакт 5, Зто магнитное попе складыв: - ; .ется с...

Номер патента: 1259400

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Елгин, Усольцев

МПК: H02H 7/10

Метки: замыкания, защиты, короткого, перегрузок, силового, транзистора

...режиме работы, т,е,когда нет перегрузки по току или отсутствует короткое замыкание (к.з.),транзистор 3 открыт, так как величина напряжения,на датчике 1 тока оказывается недостаточной для запирания транзистора 3. Вследствие этого тиристор 9 и транзисторы 15 и, 7 закрыты и транзистор 6 выполняет свою функцию регулирования .При превьппении тока заданной величины по причине перегрузки или к.з. в цепи нагрузки величина напряжения на датчике 1 тока оказываетсядостаточной для закрывания транзистора 3, Тиристор 9, транзистор 5 исоответственно транзистор 7 открываются и последний шунтирует база-эмиттерньпЗ переход регулирующего транзистора 6. Последнийзакрывается и исключает протеканиетока в силовой целТиристор 9 предотвращает...

Номер патента: 928497

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Боголюбов, Игнатов

МПК: H02H 3/08

Метки: замыкания, защиты, короткого, перегрузки, силовой, цепи

...протекать ток от источника постоянногонапряжения 8. В результате этого симистор 1 включается и в цепи нагрузки 2 возникает переменный ток от источника переменного напряжения 3.При протекании тока нагрузки черезсемистор 1 на его входе, а значит ина измерительном резисторе 4, выделяется доля переменной составляющейанодного напряжения эа счет перераспределения потенциалов на слоях проводящей полупроводниковой структурысимистора 1. Переменная составляющаянапряжения на участке управляющийэлектрод - катод симистора 1 и, чтото же самое, на измерительном резисторе 4 через резистор 7 и конденсатор 6 подается на диод 5 и на базутранзистора 9, который открывается.Усиленный пульсирующий ток в коллекторной цепи транзистора 9 через резистор 1 О...