Дешифратор

Номер патента: 81987

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Рашковский

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительного, импульсных, моста, небаланса, реле, схема, устройств

...контакта, но его нажим настолько слаб, что нормальное электромагнитное реле не может сработать; однако в первый момент соприкосновения подвижного и неподвижного контактов сопротивление плеча 11 несколько уменыпается, вследствие этого ток небалацса усиливается на некоторую величину; это обстоятельство в свою очередь вызывает усиление давления между контактами.Процесс взаимодействия между давлением контактов и увеличением небаланса продолжается до тех пор, пока катушка реле небаланса моста ДМ 1 окажется настолько закороченной и обесточенной, что его якорек отпадет и положение контактов (на чертеже не указаны) изменится.Являясь элементом пульсирующеи схемы, контакт 1 П, действуя на реле П, заставляет последнее переключать свои контакты П...

Номер патента: 96608

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Аксенов, Жданов

МПК: E21D 15/48, E21D 23/08

Метки: крепи, лавах, металлической, органных, передвижения, элементов

...кровли постоянно участвует только один органный элемент пары, а второй находится в процессе передвижения и, таким образом, является нерабочим,Орпанные элементы каждой пары соединяются между собой гибким;звеном 2 (например, канатом или цепью), петля которого огибает полукруглую направляющую 3 или блок, укрепленный под рештаком конвейера 4. Следовательно, если один органный элемент пары расперт между кровлей и почвой, то при передвижении конвейера второй нерабо:и органный элемент будет также передвигаться вперед и сделает шаг 5, равный увоенной ьеличице расстояния, ца которое был передвинут рештак конвейера.В цча.ыО полоиец (фиг. 1,4) распертые органные элементы 1 д располагаются впереди нерабочих органных элементов 1 а таким образом,...

Номер патента: 1282255

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Таджибаев, Чурсин

МПК: H02H 3/38

Метки: защиты, измерительных, импульсных, органов, реагирующий, релейной, элемент

...самоудерживается и после окончания импульса. Одновременно выходным сигналом элемента И-НЕ 2 .запускается генератор 4 импульсов, и после исчезновения сигнала высокого уровня на выходе инвертора 5 счетчик 6 начинает счет. Обнуление счетчика производится каждымимпульсом на входе реагирующего элемента. После исчезновения последне"го импульса через время, определяемое частотой генератора импульсов икоэффициентом деления счетчика, навыходе счетчика появляется сигналлогической единицы,12822 Составитель В. БеловРедактор С. Патрушева Техред А.Кравчук Корректор С. Шекмар Заказ 7280/54 Тираж .619ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое...

Номер патента: 970541

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Лысенко

МПК: H02H 3/38

Метки: блоков, защиты, органов, реагирующий, релейной, сравнения, элемент

...отсутствует выходной сигнал и коммутирующий5 ключ 3 закрыт. Конденсатор 8 разряжен и на вход преобразователя 10импульсов не подается сигнала.При наличии входного напряженияв тот интервал времени, когда егоположительное мгновенное значениепревышает опорное напряжение индикатора 1 уровня (Ор ), на объединенном выходе индикаторов появляется положительное напряжение заданного неизменного уровня. Конденсатор 8заряжается через резистор 5 и диод 7.Блок 4 управления не работает подвлиянием положительного напряженияна его входе и коммутируемый ключ 3остается закрыт,В тот интервал времени, когдаположительное мгновенное значениевходного напряжения ниже О , а от-;рицательное мгновенное значение входного напряжения остается ниже Оп,2,на выходе...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.