Способ управления величиной циркулярно-фазовой анизотропии

,.: Е ОнЖ кгЛЙь 1 фХЫ 4 йтб 32855 О П И САНИ"Ж ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических(51) М, Кл.-б 02 Г присоединением заявк Гвсударствениый комитея 30.08.79 ата опубликования опи 2) Автор изобретения В. И. Сардык Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНОЙ ЦИРКУЛЯРНО-ФАЗОВОЙ АНИЗОТРОПИИ Изобретение касается оптических измерений, а также квантовой электроники и может быть использовано для управления величиной естественной циркулярно-фазовой анизотропии, созданной с помощью оптических элементов,Известны способы создания управляемой циркулярно-фазовой анизотропии, основанные на создании анизотропии с помощью внешних полей 1, 2.Недостатком этих способов является то, что диапазон управления ограничен предельно допустимой величиной управляющего поля,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ управления величиной циркулярно-фазовой анизотропии, который заключается в том, что излучение пропускают через оптиче. скую систему с двумя четвертьволновыми пластинками с помещенным между ними элементом с линейно-фазовой анизотропией, Управление величиной циркулярно-фазовой анизотропии осуществляют управлением величиной линейно-фазовой анизотропии элемента, помещенного между четверть- волновыми пластинками 31,Недостатком этого способа является то, что диапазон управления циркулярно-фазовой анизотропией ограничен величиной управляющего сигнала на элементе с линеино-фазовой анизотропией.Целью изобретения является расширениедиапазона изменения циркулярно-фазовой5 анизотропии,Это достигается тем, что управление осуществляют одновременной регулировкойазимутов главных осей четвертьволновыхпластинок.0 На фиг. 1 изображена схема одного пзвариантов устройства для осуществленияспособа; на фиг. 2 графически показанораспределение осей и углов.Устройство для осуществления способа5 содержит четвертьволновыс пластинки 1, 2полуволновую пластинку 3, буквами Х, т,Л и стрелками обозначены осн системы координат, угол между главными осями чствертьволновых пластинок - О, направление0 распространения луча совпадает с направлением оси У.Когда на систему анизотропных элемснтов в направлении осн Л падает излучение,поляризованное по правому кругу, послепрохождения через четвертьволновую пластинку 1 оно станозптся поляризованным вплоскости, изображенной на фнг. 2 линией 4. Она наклонена под углом 45 о,;,осительно направления главной оптической0 оси четвертьволновой пластинки 1, поэтомуЗаказ 2 НПО3 Изд.529 Тираж 591ск Государственного комитета СССР по делам изобретений113035, Москва, Ж, Раушская паб., д. 4/5 Подписноеоткрытий ипография, пр, Сапунова,угол между плоскостью поляризации 4 и осью Х составляет 7=45 - 6.После прохождения через полуволновую пластинку 3 происходит зеркальный поворот плоскости поляризации и излучение становится поляризованным в плоскости, повернутой в противоположном,направлении на тот же угол у. Положение этой плоскости изображено на фиг. 2 линией 5. В результате оказывается, что эта плоскость составляет угол а=45 с главным направлением четвертьволновой пластинки 2. Поэтому, пройдя через вторую четвертьволновую пластинку, излучение опять становится поляризовапным по правому кругу,Но, поскольку главная оптическая ось второй чегвертьволновой пластинки развернута на угол 2 0 в направлении вращения электрического вектора световой волны относительно главной оптической оси первой четвертьволновой пластинки, прошедшее через анизотропную среду излучоние помимо чисто геометрического набега фазы приобретает дополнительный набег фазы, равный 20.Аналогично для волны, поляризованной по левому кругу, дополнительный набег фазы после прохода волны через анизотропную систему равен - 20, поскольку главная ось пластинки 2 повернута на угол 20 относительно главной оси пластинки 1 в направлении, противоположном направлению вращения электрического вектора этой волны. Таким образом, набеги фаз волн, имеющих разные круговые поляризации, после прохождения через анизотропную систему отличаются на всличину 40,т. е. система обладает циркулярно-фазовой анизотропией. Изменение величины циркулярно-фазовой анизотропии осуществляется одновременным изменением углов разворо та 9 главных осей двух четвертьволновыхпластинок относительно главной оси полу- волновой пластинки, Диапазон управления величиной циркулярно-фазовой анизотропии определяется диапазоном изменения ази мутон четвертьволновых пластинок.Изобретение может быть использованодля преобразования поляризации излучения, в квантовой электронике для создания различных поляризационно-частотных ре жимов кольцевых и линейных ОКГ,Формула изобретенияСпособ управления величиной циркулярно-фазовой анизотропии, заключающийся в20 том, что излучение пропускают через оптическую систему с двумя четвертьволновыми пластинками с помещенным между нимиэлементом с линейно-фазовой анизотропией,отличающийся тем, что, с целью рас 25 ширения диапазона изменения циркулярнофазовой анизотропии, управление осуществляют регулировкой азимутов главных осейчетвертьволновых пластинок.Источники информации,30 принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР391672, кл. Н 015 3/10, 1972.2. Патент США3811096, кл, 332 - 7.51,