Магнитная система

гФ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(и) 6778 Своз Саветскик Сопиалистическик Республик(45) Дата опубликования описания 03.08,79. А. Бокринская, В. П. Гололобов, В, И. Цымбал и Г, Н, Мел И, Мисевич,ов Ленина политехнический институт кой Октябрьской социалистическойреволюции 71 Заявитель Киевскии орде и, 50-летия Ве(54) МАГНИТНА ТЕМ Изобретение относится к радиотехникеи может использоваться в технике связи ирадиоизмерительной технике в устройствахдля приема сигналов.Известна магнитная система преимущественно для сопряженной перестройки сверхвысокочастотных ферритовых резонаторов,содержащая замкнутый магнитопровод измагнитомягкого материала с зазором, образованным полюсными наконечниками магнитопровода, и электрообмотки, размещенные на магнитопроводе 11,Однако известная система имеет сложную настройку.Цель изобретения - упрощение настройки.Для этого в магнитную систему преимущественно для сопряженной перестройкисверхвысокочастотных ферритовых резонаторов, содержащую замкнутый магнитопрониты, причем вкладыш установлен с зазором, образованным полюсными наконечниками магнитопровода, и электрообмотки,размещенные на магнитопроводе, введенывкладыш из магнитного материала и магниты, причем вкладыш установлен с зазо.ром между полюсными наконечниками магнитопровода с возможностью перемещенияв направлении, коллинеарном вектору постоянного магнитного поля, а магниты укреплены на поверхностях вкладыша, параллельных вектору постоянного магнитного поля в зазоре, и обращены к поверхности вкладыша одноименными полюсами.На чертеже приведена предложенная магнитная система.Магнитная система содержит магнитопровод с полюсными наконечниками 1, электрообмотку 2, вкладыш 3, магниты 4, ферритовые резонаторы 5 и 0 фильтра и гетеро- дина.Настройка магнитной системы производится следующим образом.В процессе настройки перемещением 15 магнитного вкладыша 3 выравнивается крутизна характеристик перестройки фильтра и гетеродина, На торцовых поверхностях 7 вкладыша 8 созданы магнитами 4 или элек.тромагнитами одноименные магнитные по люсы У, что приводит к тому, что в одномзазоре магнитное поле увеличивается, а в другом зазоре уменьшается на некоторую величину ЛН, пропорциональную магнитному долю магнитов 4 либо электромагнитов.25 Таким образом обеспечивается и поддерживается постоянной в диапазоне частот требуемая расстройка (Л = Л) между частотами настройки фильтра и гетеродина при произвольных характеристиках переЗ 0 стройки фильтра и гетеродина. Совместная677018 я 1 НПО Заказ 672/908 Изд.441 Тираж 923 Подписное Тип. Харьк. фил. пред. Патент перестройка фильтра и гетеродина осуществляется изменением тока в основных электрообмотках 2 магнитной системы.,В прототипе поддерживать постоянной в диапазоне частот расстройку между частотами настройки фильтра и гетеродина невозможно, так как в прототипе отсутствует возможность регулировки крутизны характеристик перестройки фильтра и гетеродина, можно только изменять величину расстройки Л 1 либо Л, но обеспечить равенство Л, и Л 1, невозможно. В предложенной магнитной системе отсутствует система автоподстройки частоты гетеродина с доскриминатором на основедополнительного ферритового резонатора, что существенно упрощает устройство,Использование предложенной магнитной системы позволило в диапазоне частот мзкс/мин -- 3 обеспечить сопряженн ю перестройку двухрезонаторного фильтра и двухрезонаторного транзисторного гетеро- дина. Рассопряжение характеристик перестройки фильтра и гетеродина в указанном диапазоне не превышает 6 - 8 мГц. Формула изобретения Магнитная система преимущественнодля сопряженной перестройки сверхвысоко частотных ферритовых резонаторов, содер.жащая замкнутый магнитопровод из магии.томягкого материала с зазором, образованным полюсны ми наконечниками магнитопровода, и электрообмотки, размещенные 10 па магнитопроводе, отл ич а юща я с ятем, что, с целью упрощения настройки, в нее дополнительно введены вкладыш из магнитного материала и магниты, причем вкладыш установлен с зазором между полюсными наконечниками магнитопровода с возможностью перемещения в направлении, коллинеарном вектору постоянного магнитного поля, а магниты укреплены на поверхностях вкладыша, параллельных вектору 20 постоянного магнитного поля в зазоре, иобращены к поверхности вкладыша одноименными полюсами,Источник информации, принятый во25 внимание при экспертизе: 1.:Патент Франции Ма 2282704, кл. Н 01 Г 7/06, 1976.