Номер патента: 661799

Автор: Яковлев

ZIP архив

Текст

АНИ ТЕНИ ЛИС ЗОБР Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ТЕЛЬСТВ(23) Приоритетрственный комитетСССРелам изобретенийи открытий Опубликова та опубл кования описания 05057(71) Заявител УПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ соева;тран зо Устройство относится к области радиотехники, импульсной и вычислительной техники,и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной свя. зи для передачи высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цепяхИзвестны полупроводниковые ключи, содержащие .последовательно соединенные входной и выходной эмиттерные повторители на транзисторах, причем база транзистора выходного змиттерного повторителя соединена с общей шиной через управляющий транзистор 11,5К недостаткам подобных устройств относятся низкое входное сопротивление ключа в закрытом состоянии, ограниченное быстродействие, значительное потреблениемощности и значительная 20 погрешность передачи сигнала.Наиболее близким по технической сущности к предложенному является полупроводниковый ключ, содержащий управляющий и коммутирующие транзис/торы и источник питания, причем база первого коммутирующего транзистора через разделительный .конденсатор динена с входной клеммой устройст коллектор второго коммутирующего зистора связан с шиной источника питания, а его эмиттер объединен с выходной клеммой устройства и через резистор подключен к общей шине; база второго коммутирующего транзистора соединена с коллектором управляющего транзистора,эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к шине управляющего сигнала 2,К недостаткам этого ключа относятся значительная погрешность передачи сигнала и низкое сопротивление в закрытом состоянии.С целью уменьшения погрешности передачи и увеличения сопротивления ключа в закрытом состоянии в полупроводниковом ключе, содержащем управляю- щий и коммутирующие транзисторы, источник питания, разделительный конден:сатор,резистор,коммутирующие транзисторы имеют йротивоположный тип проводимости, причем коллектор первого коммутирующего транзистора подключен к общей шине, а эмиттер непосредственно связан с базой второго,коммутирующего транзистора, а через резистор - с шиной источника питания.Электрическая схема предложенного полупроводниковогоключа изображена на чертеже.661799 Составитель В.Леедовактор Т,Орловская Техред О,Андрейко Корректор О.Билак 12/65 :Тираж,1059 ЦНИИПИ Государственног по делам изобретени 113035, Москва, Ж, РаушПодпискомитета СССи открытийская наб.,д.4 Заказ филиал ППП Патейт, г.ужгород, ул.Проектная,4 Ключ содержит коммутирующие транзисторы 1,2, управляющий транзистор 3,резисторы 4-6 делителя; токозадающиерезисторы 7,8 коммутирующих транзисторов; разделительный конденсатор 9,шину 10 источника питания; входную 11и выходную 12 клеммы, шину 13 управляющего сигнала.Принцип дествия устройства состоит в следующем. При отсутствии на уп"равляющем входе,запрещенного сигналауправляющий транзистор 3 закрыт. Пос-Ютупающие на вход схемы, через разделительный конденсатор 9 сигналыусиливаются по току транзисторами 1и 2 и проходят на выход схемы. Припоступлении на управляющий вход (шину 13) запрещающего сигнала управляющий транзистор 3 открывается, входитв насыщение и малым сопротивлениемперехода коллектор-эмиттер шуйтируетэмиттерно-коллекторный переход транзистора 1 и базо-эмиттерный переходтранзистора 2, При этом транзисто-ры 1 и 2 запираются, так как базатранзистора 1 оказывается под болеевысоким потенциалом, чем его эмиттер,а база транзистора 2 - под потенциа- .лом более низким, чем порог отпиранйя базо-эмиттерного перехода транзистора. В этом случае входной сигнал не "проходит на выходключа, идостигаются более значительное ослаблейие сигйала и высокое входноесойротивление ключа.Формула изобретенияПолупроводниковый ключ, содержащий управлякщий и коммутирующие тран зисторы и источник питания, причембаза первого коммутирующего транзистора через разделительный конденсатор соединена с входной клеммой устройства, коллектор второго коммутирующего транзистора связан с шинойисточника питания, а его эмиттер объединен- с выходной клеммой устройстваи через резистор подключен к общейшине, база второго коммутирующеготранзистора соединена с коллекторомуправляющего транзистора, змиттеркоторого соединен с общей шиной, абаза подключена к шине управляющегосигнала, о т л и.ч а ю щ и й с ятем, что, с целью уменьшения погрешности передачи увеличения сопротивления ключа в закрытом состоянии, коммутирующие транзисторы имеют противоположный тип проводимости, причем коллектор первого коммутирующего транзистора подключен к общей шине, а эмиттер непосредственно связан с базой второго коммутирующего транзистора, а черезрезистор - с шиной источника питания. Источники информации, принятыево внимание при экспертизе. 1, Авторское свидетельство СССР,Р 437221, ИКИКЕ. Н 03 К 17/60,10,01.1972. 2. Авторское свидетельство СССР,Р 473299, ИКИКЕ Н 03 К 17/04,22.01,1974.

Смотреть

Заявка

2491539, 01.06.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7438

ЯКОВЛЕВ ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, полупроводниковый

Опубликовано: 05.05.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-661799-poluprovodnikovyjj-klyuch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый ключ</a>

Похожие патенты