Свервысокочастотный аттенюатор

",и т 1г 11д Союз СоветсккнСоцмалксткческкхРеспублик ОП ИСАЫИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ п 657485 К АВТОРСКОМУ СВИДВТИЛЬСТВУ Дополнительно вт, свил) Заявлен 21) 2.о с присоединением заявки 4.7 9.5 юлл пе делам нзебрете н аткрытнй Опубликовано 1 ь КфДата опублик ния описан.7 72) Авторы изобретения В, Андриянов, А. В, Горячев и Г. Б. Дзехцер 3) Заявител СОКОЧАСТОТНЫЙ АТТЕ 4) СВ к технике СВЧ и конструирос одейств юИ зобретенне относитсможет использоваться равляющего сигнала, подключенный к базам двух транзисторов, коллектор которых подключены ссютветственно к двуразнополярным источникам питания, аэмитгеры соединены между собой н через резисторный делитель напряженияи ускоряющий конденсатор подк к катодам р- т" - тт -диодов, меж из источников питания и катодами р - тт диодов включены дополнительно введенные последовательно соединенные полупроводниковый диод и резистор, причем по отношению к полярности источника питания полупроводниковый диод включен встречно,На чертеже представлена принпипиал ная электрическая схема предложенного сверхвысокочастотного аттенюатора.Сверхвысокочастотный аттенюатор содержит источник 1 управляющего сиг- нала, транзисторы 2 и 3, источники 4 и 5 питания, резисторный делитель 6 ускоряющий конденсатор 7, р - и - диоды 8, полупроводниковый диод 9 и резистор 10. ы ванин в широкополосных бь тр У ших модулирующих устройств с использованием р-- и - диодов.Известен сверхвысокочастотный а тенюатор, содержащий источник управляк щего сигнала, подключенный к базам двух транзисторов, коллекторы которых подключены соответственно к двум разнополярным источникам питания, а амиттеры соединены между собой и через резисторный делитель напряжения и ускоряющий конденсатор подключены к катодам р- "1 - и -диодов 11.Однако такой сверхвысокочастотный аттенюатор имеет низкое быстродействие при переключении из состояния с малым ослаблением в состояние с большим ослаблением.Целью изобретения я яется повыш ние быстродействия.Для этого в сверхвысокочастотном аттенюаторе, содерж нем источник уптлюченыду одним 0 вл Государственный номнтет ссср657485 Сверхвысокочастотный аттенюатор работает следующим образом.В отсутствии запускающего импульса транзистор 2 открыт, транзистор 3 закрыт, а через р - л-диоды 8 про 5 текает прямой ток, определяемый напряжением источника 5 питания и рези- торным делителем 6. Ускоряющий конденсатор 7 заряжается, и в базе р- -и- диодов 8 накапливается отрицательный10 электрический заряд, При подаче на базу транзисторов 3 и 2 положительного импульса транзистор 2 закрывается, атранзистор 3 открывается. К р- и -15 диодам 8 прикладывается напряжение удвоенной величины (напряжение источника 4 питания и напряжение на ускоряющем конденсаторе 7), что позволяетт быстро рассосать заряд в базе р--й - диодов 8. Когда р--л-диоды 8 восстанавливают свое обратное сопротивление, ускоряющий конденсатор 7 начинает разряжаться через полупроводниковьй диод 9 и резистор 10, при этом к моменту окончания импульса напряжение на нем составляет несколько процентов от напряжения питания. При формировании среза транзистор 2 открывается, а транзистор 3 закрывается, причем чем больше по модулю величина напряжения на р - г - диодах 8, тем быстрее они переключаются в,состояние с малым сопротивлением, поэтому при малом напряжении на ускоряющем кон- З денсаторе 7, что обеспечивает полупроводниковый диод 9, импульс тока через р--л- диоды 8 имеет максимальную величину, а длительность среза-минимальную величину. Резистор 10 регулирует 40 остаточное напряжение на ускоряющем конденсаторе 7. Действие цепочки, состояшей из полупроводникового диода 9 и резистора 10, особенно эффективно прпмалых длительностях радиоимпульсов,когда ускоряющий конденсатор 7 не успевает разрядиться за время действияи мпульса,Предложенный сверхвысокочастотныйаттенюатор позволяет на серийныхр--п-диодах типа КА 517 А с врен. -нем жизни носителей в базе порядка1 мкс получить радиоимпульсы длительностью 0,1 мкс с временем фронта исреза 50 нс в диапазоне от 0,1 до12 ГГц. формула изобретения Сверхвысокочастотный аттенюатор, содержащий источник управляющего си нала, подключенный к базам двух транзисторов, коллекторы которых подключены соответственно к двум разнополярным источникам питания, а эмиттеры соединены между собой и через резисторный делитель напряжения и ускоряющий конденсатор подключены к катодам р - и - диодов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения бысч родействия, между одним из источников питания и катодами р-- и -диодов включены дополнительно введенные и последовательно соединенные полупроводниковыйдиод и резистор, причем по отн- щению к полярности источника питания полупроводниковый диод включен встречно. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Дзехцер Г. Б. и Орлов О. С.Р-- и - диоды в широкополосных устройствах СВЧ, М "Советское рацио", 1970, рис. 4.25 НИИПИ Заказ 1814/51ираж 922 Подписное филиал ППП Патент,г. Ужгород, ул. Проектная, 4