Реле протока

Номер патента: 640369

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Лановенко, Сипин

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...надежностии элемента памяти.Поставленная цель достэлемент памяти содеркит 0 ВИНТЫ ПО Ч 1 ом 11дов, распо;пакетом ири кта совпадас р тпровода,На чертеже схематически изображенпредлагаемый элемент памяти.Оп содсржит корпус 1, р 2 зомкнутый магпитопровод 2, сепаратор 3, прижим 4 С-образнои форы, пакет пр)жин 5, крышку 6,регулировочный в Ит 7, ярмо 8.Регулировка усилия прижатия пружин 5,прикладывасмого к прижиму 4 С-образнойфоръы, и настроик 2 на ыакси:сальеЕЫИ ВыхОднОЙ си 11 ал В каждом элененте памягиосуществляются вращением регулировочноо винта 7. Усилие прижатия контролируется через отверстие в винте 7.11 ри смене информации съемной частьюявляется сспаратор 3, дополнительная рсгулирОВка усилия пр 11 ж 2 тия не трсоуется.Работа элемента...

Номер патента: 817842

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Кужеков, Чмыхалов

МПК: H02H 3/28

Метки: внешних, дифферен-циальных, испытания, короткихзамыканиях, реле

...регулируется резисторами 1, а коммутация осуществляется контактами переменного тока трехфазного элемента для включения в заданную фазу напряжения сети, На этот ток включены обмотки 3 группы физических моделей трансформаторов тока, вторичные обмотки которых соединены в звезду.Для создания необходимых амплитудных и фазовых соотношений на резисторах 4 собран треугольник, на ток которого включены первичные обмотки 5 группы физических моделей трансформаторов тока, вторичные обмотки которых соединены в треугольник. Переходный ток короткого замыкания, а соответственно и переходный ток небаланса дифференциальной защиты создается за счет наложения на переменную составляющую апериодического тока разряда конденсаторной батареи 10. Величина и форма...

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Номер патента: 70669

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Емельянов

МПК: G01P 13/00, G01P 5/04

Метки: жидкости, прекращении, протока, реле, сигнализации

...система и угольник 9 с двумя регулируемыми контактами 8 укреплены на латунной плите 75, которая в свою очередь прикреплена к трубе 73, имеющей на концах два патрубка 74 для присоединения шлангов, Между плитой 75 и трубой 73 имеется прокладка 7 б.Рычаг 4, несущий на одном конце контактную пружину 10, шарнирно укреплен на угольнике 72 и оттягивается вместе с сердечником 2 в верхнее положение спиральной пружиной б, натяжение которой регулируется винтом 7 и гайкой 5,Контактная пружина 70 изолирована от рычага 4 при помощи изоляционной пластинки 11.При нормальном давлении воды в трубе 73, протекающей по направлению стрелки, якорь 3 под напором протекающей воды приподнимается кверху и, приближаясь к сердечнику и башмакам постоянного магнита,...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...