Устройство для моделирования сухого трения

(и 1640318 Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 30.12.78 51) М. К .6066 7 арстоенный комитет 3) УДК 681.333МОДЕЛ И РОВАН ИРЕНИЯ ва следует1 точности чностью заехода транока через цепь коллекторного Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано при моделировании колебаний механических систем с сухим трением с помощью электрических моделей-аналогов, построенных по второй системе электромеханических аналогий,Известно устройство для моделированияхарактеристик силы трения, применяемое вэлектрических структурных моделях-аналогах и использующее нелинейные свойстваполупроводниковых приборов, в частностидиодов 1,К недостатку этого устройстотнести его низкую точность. 5Наиболее близким по технической сущности к рассматриваемому является устройство, содержащее полупроводниковые диоды и источники опорного напряжения 21.Это устройство также не обеспечивает достаточной точности моделирования сухоготрения.Цель изобретения - повышениемоделирования.Поставленная цель достигается тем, что в 25устройство дополнительно введены транзисторы. Коллектор первого транзистора соединен с анодом первого диода, катод которого является входом устройства и соединен с эмиттером второго транзистора, а коллектор второго транзистора - с анодом второго диода, катод которого является выходом устройства и соединен с эмиттером первого транзистора. База каждого транзистора через соответствующий источник опорного напряжения соединена с эмиттером этого же транзистора.На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства для моделирования сухого трения; на фиг, 2 - статическая характеристика такого устройства.Устройство содержит транзисторы 1, полупроводниковые диоды 2, источники 3 опорного напряжения, клеммы 4 и 5.Работает устройство следующим образом.При включении устройства последовательно в модель колебательной системы, составленной по второй системе электромеханических аналогий, и подаче переменного напряжения с генератора, на клеммы 4 и 5 устройства поочередно приходят положительные и отрицательные полуволны напряжения, В случае прихода к клемме 4 отрицательной полуволны (к клемме 5 в этот момент приходит положительная полуволна) диод левой цепи открывается и цепь,состоящая из диода и открытого перехода коллектор - эмиттер транзистора, проводит ток.Величина т по.висит от тока перТехред С типеико дактор ова аказ 2219/12 Изд. М 781 Тираж 799 НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений 113035, Москва )К, Раушская наб., д. 4/5 Подписнокрытнй Типография, пр. Сапунов знстора, а оп, в свою очередь, - от тока вбазовом переходе этого транзистора н, в конечном счете, от величины опорного напряжения источника, задающего ток базы 1 б,При смене полярности напряжения генератора картина аналогична, только проводящая в этом случае - правая цепь. Устройство является двусторонним ограничителемтока, протекающего между клеммами 4 и 5,Уровень ограничения может быть произвольно задан с помощью Опорных источников.Устройство позволяет реализовать статическую характеристику 1=11) (по второйсистеме аналогий Р=1(о), где Р - сила, 15о - скорость), близкую к характеристикесухого кулоновского трения.Таким образом, такое выполнение повышает точность устройств для моделированиясухого трения, позволяя использовать их в 20электрических моделях, построенных повторой системе электромеханических аналогий и дающих положительный эффект посравнению с моделями, построенными попервой системе электромеханических аналогий,Форм, ла изобретения о стройство для;:одслирования с кого трения, содержащее полупроводника ые диодь" ,и источники опорного напряжения, отл и и а ю щеес я тем, что, с целью псвышения точности, в него дополнительно введены транзисторы, причем коллектор первого транзистора соединен с анодом первого диода, катод которого является входом устройства и соединен с эмиттером второго транзистора, коллектор которого соединен с анодом второго диода, катод которого является выходом устройства и соединен с эмиттером первого транзистора, причем база каждого транзистора через соответствуощий источник опорного напряжения соединена с эмиттером этого же транзистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Тетельбаум И. М. Электрическое моделирование. М., Физматгиз, 1959, с. 102, рис. б 5 д.2. Прагер И. Л. Электронные аналоговые вычислительные машины. М Машиностроение, 1971, с. 204, рис, 98.