Одновибратор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 622196
Авторы: Казьмин, Калмыков, Позняковский, Чулак
Текст
ц 622196 Союз Соаетскик Социалнстическик Республик(45) Дата опубликования описания 27.0.78(51) М. Кл Н ОЗК3/284 сударственныи комитет Совета Министров СССпо делам изобретенийн открытий УДК 621.373.5(54) ч транзисторы 1 -ы б - 10 и шинь днюю, выходив Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования импульсов стабильной длительности и амплитуды.Известен одновибратор с базовыми времязадающими цспями, который, однако, имеет недостаточную стабильность длительности выходного импульса 11,Наиболее близким техническим решением к изобретению является одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор - с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор - с базой первого транзистора 2,Однако и этот одновибратор имеет недостаточную термостабильность длительности выходного импульса, поскольку во время формирования импульса разряд конденсатора протекает через коллекторно-эмиттерный переход транзистора, падение напряжения на котором имеет температурный дрейф, вследствие чего возможно изменение длительности импульса.Целью изобретения является повышениятермостабильности длительности выходного 5 импульса.Для этого в одновибратор, содержащийтранзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной, коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор - с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор - с базой первого транзистора, введены резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный переход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей шиной источника питания, а база через резистор соединена с шиной источника питания.5 На чертеже приведена электрическая схема одповибратора.Одновибратор содержит4, конденсатор 5, резистор11 - 14, соответственно вхо622196 Составитель А. Степанов Редактор А. Купрякова Техред О. Тюрина Корректор Е, Хмелева Заказ 151/9 Изд. М 605 Тираж 1087 11 ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва Ж, Раушская иаб д. 4/5Подписное Типография, ир. Сапунова, 2 и питания. Шина 11 соединена с базой транзистора 1, а через резистор 8 - с коллектором транзистора 3 и шиной 12. Эмиттеры транзисторов 1 и 4, соединены шиной 14, а коллекторы - соответственно с эмиттерами транзисторов 2 и 3, базы которых соединены между собой через конденсатор 5, а с шиной 13 - соответственно через резисторы 9 и 6. Шина 13 соединена через резисторы 7 и 10 соответственно с базой 10 транзистора 4 и коллектором транзистора 3, а эмиттер и коллектор транзистора 2 объединены.Одновибратор работает следующим образом. 15В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а транзисторы 3 и 4 открыты и насыщены. Конденсатор 5 заряжен через резистор 9, базоэмиттерный переход транзистора 3 и коллекторно-эмиттерный переход транзистора 4 до напряженияпримерно равного напряжению питания. При подаче на вход запускающего импульса транзистор 1 открывается, транзистор 3 закрывается, а конденсатор 5 разряжается через резистор 6 и транзисторы 2 и 1 до напряжения, равного потенциалу отпирания транзистора 3. В это время происходит формирование выходного импульса.При увеличении температуры увеличивается начальное напряжение на конденсаторе 5 вследствие температурного уменьшения падения напряжения на транзисторе 4. Одновременно уменьшается падение напряжения на транзисторе 1, и, следовательно, 35 4разряд конденсатора 5 будет происходить с меньшей постоянной времени. Таким образом, благодаря транзистору 4 компенсируется температурный дрейф транзистора 1,Формула изобретения Одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной, коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор - с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор - с базой первого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности длительности выходного импульса, в него введены,резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный переход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей шиной источника питания, а база через резистор соединена с шиной источника питания.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Яковлев В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев, Техника, 1968, с, 77 - 98.2. Патент США3854058, кл. 30 - 273, опубл. 1974.
СмотретьЗаявка
2482629, 04.03.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7376
КАЛМЫКОВ ВИТАЛИЙ СЕМЕНОВИЧ, ПОЗНЯКОВСКИЙ ИОСИФ ЯКОВЛЕВИЧ, ЧУЛАК СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, КАЗЬМИН ВЛАДИЛЕН ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 3/284
Метки: одновибратор
Опубликовано: 30.08.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-622196-odnovibrator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Одновибратор</a>
Предыдущий патент: Генератор технической частоты
Следующий патент: Генератор высоковольтных импульсов
Случайный патент: Частотно-регулируемый электропривод