Электропроводящая композиция на основе фторопласта

Номер патента: 211265

Опубликовано: 25.05.1976

Автор: Саксаганский

МПК: C23C 13/02

Метки: нанесения, пленок, тонких

...эффекта вает более совер сти под жки че 1 б нанесения многос ственно в процес тем самым качесложки, нразряда очищае есс недо еосущес ых напь б р е т ):рму Сгоссб нанес метал;тизации в н сти подто)с(, тем, чт эвысФЕт ле тования тонких акуум" с с отлча и л ен,с к и ., еисткой и:верх эр е вность оч истки подложки качество нано о поверхность смых поодло)кки у й. Д)агни опти озер.асс гллек тр ..и 1 т -лн,енер вым емых, напримнератором,подложки ных волн,нт м к 43) Опубликовано 25.045) Дата опубликова Известен способ нанесения тонких плек, в частности на диэлектрические мате, путем металлизации в вакууме с едварительной очисткой поверхности подапример, возбуждением тлеющегов непосредственной близости отмой поверхности. Однако этот простаточно...

Номер патента: 300912

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ануфриенко, Стременов, Шутилин

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, полимерных, тонких

...наружным кольцом подшипника 11, Полость 12 соединена с системой сжатого воздуха через управляемый клапан 13 и стабилизатор давления 14.Нижний конецвакуумную камеру 1 ннпусе б, не касаяськамера имеет лабиринтные уплотнения и соединена трубопроводом с вакуумной системойчерез клапан 1 б, На верхнем конце шпинделярасположен столик 17 для установки подложки. Пружина 18 служит для прижима 5малоинерционного диска 7 к тормозному кольцу 19, укрепленному в корпусе б,Сцепление малоинерционного диска с маховичком может осуществляться также сообщенивм полости 12 с атмосферой и,соединением полости 20 с вакуумной системой черезклапан 21.Описа ихное устройство работает следующи,м образом,Подложка укладьивается на столик 17, открьввается клапан 1 б,...

Номер патента: 350680

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Борецкий, Заводько, Замбровский, Мамаев

МПК: B05B 15/06

Метки: методом, нанесения, пленок, пульверизации, тонких

...15 с разъемным кольцом 16, Конец водила 15 введен во внутреннее кольцо подшипника 17, вмонтированного в эксцентрик 18. Эксцентрнк 18 закреплен на выходном валу редуктора 19. Передача движения редуктору 19 осуществляется от электродвигателя 20. Кольцо 21 с продольными канавкамп закрепляется на корпусе распылителя 3, По канавкам кольца 21 совершают перемещение подпружиненные шарики 22, вмонтированные во фланец 23 корпуса камеры 1. Для герметизации ввода распылителя 3 в камеру 1 используется диафрагма 24,Нагреватель 4 оплавления (фиг, 3) жестко закреплен на корпусе, камеры 1 и состоит из корпуса 25 и камеры 2 б нагрева с лампами 27,350680 1 Через штуцсры 28 подводится сжатый воздух для подъема и опускания камеры 26. Для предотвращения...

Номер патента: 563826

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Осипов, Саблев, Ступак

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

...на фиг. 2 конфигурация магнитных полей в камеУстройство длпленок работаетНапыляемые изваются на крышкумакрочастиц от кпрямолинейно, неПитание соленоидется от разных иВоздух из вакчивается до давл10 мм рт,ст. Черется ток, создающ50-200 Э, достаткатодного пятна 5 р 72) Авторы изобретения л,п. я нанесения тонкихследующим образом.делия 9 устанавли 2 так, чтобы потокатода 4, движущийсямог попасть на них,ов б и 7 осуществлясточников,уумной камеры 1 откаения порядкаез соленоид б усий магнитноеочное для удерна торце катодЧерез соленоид 7 пропускается ток, создающий магнитное поле 20-50 Э. На камеру 1 подается напряжение 40-80 В относительно катода 4, на крышку 2-30 В. При этих параметрах конфигурация магнитных полей имеет 5 вид, показанный...

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.