Шихта
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 594080
Авторы: Выдрик, Масленникова, Найденова, Харитонов
Текст
Союз Советскин Социалистическин РеспубликОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий(45) Дата опубликования описания 03,02,78 Г. А. Выкрик.Г, Н, Масленникова, Г, А, Найденова и Ф. Я. Харитонова(54) ШИХТАИзобретение относится к шихтам для изготовления цельзиановой керамики, кото.- рая может быть использована в электронной, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности, 5 Известен материал на основе синтезированного цельэиана, 11, Недостатком его является узкий интервал спекшегося состоояния 10-20 С,Цель изобретения - расширение интервала спекания.Это достигается тем, что в шихту, содержащую спек моноклинногоцельзиана вводится добавка опека системы ВаО-А.е О -т 1 ЬО эвтектического состава при следующем соотношении компонентов, вес,Ъ: .Спек моноклинногоцельэиана 95-97 Спек системы 20 Вао-АО - ат Оэвтектического состава 3-5Предлагаемый цельзиановый материал готовят по методу горячего литья под давлением.Сначала осуществляют синтез цельзиана при 21400 С, Г 1 олученный спек, состоящий изцельзиана моноклинной модификации, подвергают измельчению до размера зерна не более 10 мкм и смешивают с 3 5% предварительно тонконэмельченного спекадобавки; отвечающей по составу эвтектике, вес,%;ВаО 32,0; АМ 0,11,0 61 О 57,0,обожженной прй 1100 С,Для оформления образцов готовят литейный шликер, В качестве технологической связки применяют смесь парафина воска и олеиновой кислоты, Шликер перемешиваюто в разогретом состоянии при 70-80 С в течение 2-3 ч, при разряжении 740-760 мм рт,ст, Литье иэделий производят в металлические формы при давлении 2-3 атм, Для удаления органической связки и придания полуфабрикату достаточной прочности отлитые образцы подвергают утфельному обжиогу при 1000-1100 С в адсорбционной зась 1 пке глинозема. Окончательный обжиго материала проводят при 1 320-1 450 С в зависимости от колттчества вводимой добавки. Интервал спекания 80-100 оС.1420 кгс/см2 98-97 расширения в интервале температур20-100 СТангенс угла диэлектрических потерьпри х 1 мгц,Диэлектрическаяпроницаемость 2,4010 3 10 6,2 П р я м е р, Масса содержит, вес,Ъ;Спек моноклинногоцельзвана 97Спек системыВвО-А к 1 ОЗ Ь 02эвтектического состава 3Температура обжига материала 1450 С,оИнтервал спекания 100 С,оПолностью спеченный материал обладаетследующими свойствамифОбъемная массаФ2,90 г/см3Предел прочностипри статическомизгибе 1800 кгс/смКоэффициент термического линейного расширения в интервале температур 20-100 СТангенс угла днэлектрическях потерь при 1 =1 мгд Диэлектрическая прснницвемостьУдельное объемное электросопротивлениеопри 100 С П р и м е р 2. Масса содержят, вес.%:Спек мои оклинного цельзивнвСпек системыВаО-АО-,Ь Оэвтектич еского состава 4,оТемпература обжига материала 1380 С.З 5оИнтервал спеквния 90 С,Полностью спеченный следующими свойствами;Объемная массаПредел прочностинри статическомизгибеКоэффициент термического линейного 4Удельное объемноеэлектросопротивлениео Ипри 100 С 2,710 ом.см.П р и м е р 3, Масса содержит, вес,%:Спек моиоклинногоцель зиана 98Спек системыВаО-АЯ О Оэвтектического состава 8оТемпература обжига материала 1320 С,Интервал спекания 80 С,оПолностью спеченный материал обладаетследующими свойствами;Объемная массв 2,80 г/смПредел прочностипри статическом изгибеКоэффициент термического линейногорасширения в интервале температур20-100 СТангенс угла диэлектрических потерьпри=1 мгцДиэлектрическаяпроницаемостьУдельное объемноеэлектросопротивлениепри 100 С формула изобретений Шихта для изготовления цельзиановой керамики, включающая спек моноклинного цельзиана, от лича ющвя ся тем, что, с целью расширения интервала спеквния, она дополнительно содержит спек системъ 1 ВаО-АХО эвтектического состава при следующем соотношении компонентов, вес,%;Спек моноклинного цельзиана,Спек системыВао-АХО- ЬОэвтектического состава 3-5,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Богородицкий Н. П, и др, Керамикана основе цельзиана", "Вопросы радиоэлектроники", 1961, сер, 11, вып, 71, с, 14-28, ЦНИИПИ Заказ 759/25 Тираж 750 Подписное Филяал ППП фПатентф, г; Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2049404, 06.08.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3944
ВЫДРИК ГРИГОРИЙ АНДРЕЕВИЧ, МАСЛЕННИКОВА ГАЛИНА НИКОЛАЕВНА, НАЙДЕНОВА ГАЛИНА АФАНАСЬЕВНА, ХАРИТОНОВ ФРИДРИХ ЯКОВЛЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/16
Метки: шихта
Опубликовано: 25.02.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-594080-shikhta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта</a>
Предыдущий патент: Способ получения оксидных порошков
Следующий патент: Способ изготовления керамических изделий
Случайный патент: Измеритель отношения параметров импульсов