Преобразователь температуры

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТГЛЪСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл, 6 01 К 7/16 с присоединением заявкиГеардарвтванаыа каватвт Совета Маинтрав ОВСР аа оаав ийратаааа а атарытай(45) Дата опубликования описания 12,12.77Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-строительный институт им. В.В.Куйбышева(54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ 10 30 мых Изобретение относится к теплотехническим устройствам электроизмерительной техники.В основном авт.св.9 516914 описан преобразователь температуры, содержащий двухтранзисторный мультивибратор с коллекторно-базовыми связями, два основных и два дополнительных конденсатора, два транзистора одной с ключевыми транзисторами схемы структуры со свободным коллектором, источник питания, тсрмочувствительные элементы, включенные в разрядные цепи основных конденсаторов.Недостатком этого, преобразователя температуры является термонестабильность схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов, что снижает точность преобразования температуры в частоту импульсов.Цель изобретения - увеличение термостабильности схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов.Указанная цель достигается тем, что известный преобразователь дополнительно содержит два транзистора, эмнттеры которых подключены к коллек-. торным нагрузкам соответствующих ключевых транзисторов, а базы соединены с одной из клемм источника питания. 2На чертеже представлена принципиальная электрическая схема преобразователя.Устройст зо содержит ключевые транзисторы 1 и 2 т дополнительные конден" саторы 3 и 4; транзисторы 5 и б со свободным коллекторомт основные конденсаторы 7 и 8; коллекторные нагруэ" ки 9 и 10 ключевых транзисторовт источник питания 11; дополнительные транзисторы 12 и 13 со свободным коллектором; разрядные резисторы (термочувствительные элементы) 14 и 15.Устройство работает следующим образом.Схема на основе элементов 1, 2, 9, 10, 11, 14 и 15 работает как обычный транзисторный мультивибратор с компенсациЕй влияния обратного тока запертого эмиттерно-базового перехода ключевоГо транзистора на работу схемы, что достигается использованием компенсирующих цепей на основе элементов 4,6 и 5,3.Подобная схема может быть охарактеризована зависимостью3т.гй,сп А, где Т - период следования генерируеимпульсов для симметричной схемы5 В 1 390 Формула изобретения Составитель В,КостинТехред З.Фанта Корректор А.Лакида Редактор Т,Иванова Заказ 4564/34 Тираж 865 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Рушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патентф, г. ужгород, ул, Проектная 4 Е - напряжение питания источника 11;Иа - порог отпирания ключевых транзисторов 1 и 2;Ре в . порог,отпирания ключевых транзисторов при нулевом коллекторном на-. правлении.наличие термозависимого порога отпирания ключевых транзисторов приводит к термонестабильности схем, что особенно сильно сказывается при невысоких уровнях питающего напряжения главным образом при построении устройств в интегральном исполнении. От известного устройства предложенная схема отличается введением в нее двух М дополнительных транзисторов 12 и 13 со свобоанымн коллекторами, Эти транзисторы должны быть одного типа с ключевыми транзисторами схемы. Период следования генерируемых импульсов для 20 предложенной схемы будет равенТ 2%6 СЕа уц .-, )2)огдето,", - порог отпирания транзистороз ая 12 Й 13и достаточной близости значений 9ф И и при равенстве температурных коэффициентов транзисторов 1,12, 13 по направлению зависимость (2) выражается следующим образомТ ф 1,4%С (3) что говорит о воэможности термостабилизации схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов 1 и 2.Предложенное устройство характеризуется положительным эффектом, заключающимся в увеличении термостабильности схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов, что позволяет увеличить точность преобразования температуры в частоту генерируемых импульсов. Преобразователь температуры по авт.св. 9 516914, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью увеличения термостабильности схемы по по" рогу отпирания ключевых транзисторов, он дополнительно содержит два транзистора, эмиттеры которых подключены к коллекторным нагрузкам соответствующих ключевых транзисторов, а базы соединены с одной из клемм источника питания.