Акустоэлектрическое устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советскик Социалистических РеспубликОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДНВЛЬСТВУ)Ж,Кл, Н 011,41 присоединением вкиГосударственный комитет Совета Министров СССР оо делвы изобретений и открытий. Гуляев и Г. Д, Мансфель рудового Красного Знамени институт радиотехники иэлектроники АН СССР 1) Заявитель(54) АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВ ирение частотнооаффициента полез- д ссеиваемой мощДля этого предлагнительно снабжено исмагнитногопопя, ориено кристалла так, чтпендикулярно к напраакустических волн, прдов расположен внутрпо его внешнему пер этом один из электрокристалла, а другойетру 25 Изобретение относится к полупроводниковой алектронике и может быть использованодпя генерации акустических колебаний втвердом теле и алектромагнитных колебаний.Известно акустоапектрическое устройстводля генерации алектрических и акустическихколебаний, содержащее кристалл полупроводника с алектродами подключения источникапитания 11, 2,Недостатком этих устройств являются узкий частотный диапазон, невысокий коэфициент полезного действия, высокая рассеивамая мощность,Шаь изобретения - расшго диапазона, повышение кного действия, снижение раности. аемое устройство допопточником постоянного нтированным относителен о магнитное поле первлению распространения На чертеже приведен пример реализацииустройства,Перспективным материалом для созданияпредлагаемого акустоэлектрнческого устройства является полупроводниковое соединениегруппы А В" - антнмонид индия. 10 сновой.дпя изготовления устройства служит пластина материала тсцияиной 0,5-1,5 нм, суиентированная по плоскости 1001, В этой плоокости лежат два взаимно перпендикулярныхпьезоактивных направления (110) для сдвиговых упругих вялы, Образец вырезают в форме правильного восьмиугольника со стороной2-3 мм, причем четыре из восьми гранейпараллельны пьезоактивным направлениям,Именно вдоль этих направлений и возникаютультразвуковые волны, показанные на черте-,же пунктиром, Один из индиевых контактоврасполагают в центре восьмнугольннка, другой наносят по периметру, Диаметр центрального контакта составляет 0,5 - 1 мм, толщина внешнего контакта равна 0,05 - 0,2 мм.Величина магнитного поля, направленногоперпендикулярно к плоскости пластины приподвижности573827 см ф - 5,10 и поле Ъ 4 В/см,В.секравна 1 кэ. Скорость пьезо активных упругих волн в направлении 4:110-ф ран на 2,23 105 см/сек. Оптимумусиления акустических волн при концентрации электронов 10 см составляет ъ 2 ГГц. Такое же значение имеет и генерирующая частота, для повышения частоты генерации следуе увеличивать концентрацию электронов. К параллельности отражающих граней кристалла предъявляют высокие требования.На частоте генерации ф 10 ГГц параллельность граней должна быть не хуже бф.1 Мкустоэлектрическое устройство для геиерации электрических и акустических коСоставитель В. ВаверТехред 3. Фанта Корректор Е, Пвпп Редактор Т. Иванова Заказ 3890/1 Тираж 976 Подписное ЬНИИНИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Ф ормула изобретения лебаний, содержащее кристалл полупроводника с электродами для подключения источника питания, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью расширении частотного диапазона, повышения коэффициента полезного действия, снижения рассеиваемой мощности, онодополнительно снабжено источником постоянного магнитного поля, ориентированным относительно кристалла так, что магнитное полещ 1 рпендикулярно к направлению распространения акустических волн, при этом один изэлектродов расположен внутри кристалла, адругой - по его внешнему периметру,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1. й,Ь.ЮИ 1 е 1 оииа 1 о 1 1 рр 6 ес 1 РИувсе,33, 1962, 2547-2554,2, Авторское свидетельство И 519985,МКИ 4 Н 01 Ь 41/00, 16,04,74,
СмотретьЗаявка
2329079, 01.03.1976
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
ГУЛЯЕВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, МАНСФЕЛЬД ГЕОРГИЙ ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 41/00
Метки: акустоэлектрическое
Опубликовано: 25.09.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-573827-akustoehlektricheskoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Акустоэлектрическое устройство</a>
Циклическая линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792547
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Анисимкин, Котелянский, Морозов
МПК: H03H 9/30
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, циклическая
...с бруском 2 и, распространяясь в области перекрытия по нижней поверхности бруска 1, возбуждает на верхней поверхности бруска792547 В месте состыковки брускон для болееэффективного перехода волны черезвоздушный зазор должны выполнятьсяусловия синхронизма,Кроме уменьшения уровня паразит ных сигналов устройство позволяеттакже увеличить длительность входныхимпульсов. Это достигается увеличением длины пробега волны между входным и выходным преобразователям засчет покаскадного соединения брускови спирального распространения волныв пределах каждого из покаскадносоединенных брусков,Использование устройства позволитповысить чувствительность цикличесИ ких линий задержки, а увеличение длительности входных импульсов позволитувеличить объем...
Способ генерации акустических колебаний
Номер патента: 713599
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Баев, Коновалов, Прохоренко
МПК: B06B 1/00
Метки: акустических, генерации, колебаний
...энергию) .На чертеже показана схема генерации акустических колебаний ультразвукового диапазона частот в жидкость.Полый цилиндр с немагнитной боковой поверхностью 1 (например, из стекла) заполнен ферромагнитной жидкостью 2, которая граничит с воздухом и жидкой средой, принимающей излучаемые колебания, и отделена от них с помощью мембран 3 и 4. Мембраны 3 и 4 -- тонкие податливые пленки, предназначенные для устранения диффузии в ферромагнитную жидкость граничащей фазы, а также устранения эффектов, вызванных неустойчивостью поверхности в магнитном поле, Соленоиды 5 являются источником переменного неоднородного, а соленоиды 6 - постоянного однородного магнитного поля.Обмотки соленоидов 5 намотаны на кольцевые каркасы, имеющие в сечении...
Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792553
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Акпамбетов, Брицын, Карпеев, Киселев, Речицкий
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр
...обратно пропорциональны проходнойемкости фильтра. Варианты выполненияиэображения предполагают размещениемежду секциями многополоскового ответвителя,заземленных электродов,а также равенство расстояний междуЗаказ 9599/ 3 Тираж 995 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,краями заземленных электродов и соседних с ними электродов зазорам между электродами многополоскового ответвителя,, На чертеже представлена структурная схема фильтра.Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах содержит входной 1 и выходной 2 встречно-штыревые преобразователи, расположенные на поверхности звукопровода 3 и акустически...
Контактное устройство для подключения фильтров на поверхностных акустических волнах и микросхем со штырьковыми выводами
Номер патента: 1653189
Опубликовано: 30.05.1991
Автор: Рогинкин
МПК: H01R 13/10, H05K 1/18
Метки: акустических, волнах, выводами, контактное, микросхем, поверхностных, подключения, фильтров, штырьковыми
...ВУЛОЕ( Э И КОР " тугом 1 выполцец зазор, величина кос,ОГО должна быГь меньша вРти чинь ПРещеция самого выступа 5 20горизонтальных отверстиях кор;т ": 1 расположены тзолятоц ье втуп" ,с.: 8, ,В которых с одноц сороеы закд)едь.Сны клицовид.ые прижимные. пдуеже)ы 9 с углом клина, р,вцым углу межплоскостями паза ч В контактных "., улках 3. С другоц с горо ы втулдок 8 закреплены стерлли 10 с резьбой которые свододно прах )цят в с тверстия к.:помысла1 тт фиксдруОТСЕ Гядкаеи б)Г - сила пруяпн, плуцжеря;1 - сила давления клина, равнаяГЯ2 БпН - Ваь Ттда хода плужера;с - угол между плоскостями;модуль продольной упругости материала контактной втулки;Б - осевой момент инерции поперечного сечения прустттящет.овыступа.На корпусе 1 закреплен: кронте 1...
Управляемый автогенератор на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1683171
Опубликовано: 07.10.1991
Авторы: Банков, Заковоротный, Кац, Орлов, Петин
Метки: автогенератор, акустических, волнах, поверхностных, управляемый
...взаимного расположения, а значит, генерация будет осуществляться на тех же модах 1 - 3). ФЧХ такого частотозадающего элемента в виде двухканальной ЛЗ остается линейной, а изменение фазы в цепи ОС может составлять + л без перескоков с моды на моду, Таким образом, диапазон перестройки частоты увеличивается в два раза по сравнению с автогенерэтором на основе с одноканальной ЛЗ.При нечетном количестве каналов И = 3, 5, 7 и т,дэ также при й = 6, хотя диапазон перестройки и расширяется, но ФЧХ частотозадающего элемента становится нелинейной, что требует резкого усложнения фазовращателей 8 и цепей управления ими, а таже может привести к генерации непредсказуемых мод,При й = 2, 4, 8 ФЧХ сохраняется линейной, а при М = 2, 4 система управления...
Предыдущий патент: Способ разбраковки электроннооптических систем электроннолучевых приборов
Следующий патент: Пьезоэлектрический двигатель
Случайный патент: Способ получения полиэфируретановых иономеров, содержащих цвиттер-ионные звенья