Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению

1 ц 553579 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ 1 аоВУСоюз Советских Социалистических Республик(23) ПриоритетОпубликовано 05,04.77. БюллетеньДата опубликования описания 15.04.77 Государственный коми Совета Министров СССРпо делам изобретеиий(72) Авторы изобретени М. Т. Костышин и В. И, Минько 1) Заявитель нститут полупроводников АН Украинскоиосят термическим испареядка 10 -мм рт. ст. Слой Изобретение относится к способам приготовления материалов, чувствительных к электромагнитному и корпускулярному излучению. Оно может применяться для изготовления материалов, пригодных как для записи информа ции с высокой плотностью в широкой спектральной области, так и для изготовления ряда изделий в оптотехнике (дифракционные решетки, поляризаторы электромагнитного излучения и др.), электронной технике (фотошаблоны и др.), полиграфии и других отраслях.Известен способ приготовления светочувствительного материала, заключающийся в нанесении на диэлектрическую подложку слоев серебра и халькогенида мышьяка Азабз. Слои наносят методом термического испарения в вакууме порядка 10 -мм рт. ст. на диэлектрическую подложку, находящуюся при комнатной температуре, Полученный таким способом материал чувствителен к электромагнитному излучению в области спектра до 700 нм.Этот способ приготовления светочувствительного материала, представляющего собой систему полупроводник - металл, не позволяет получить стехиометрические слои сложных полупроводниковых соединений и использовать их свойства для создания материала с высокой чувствительностью к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра, так как при нанесении полупроводникового слоя термическим испарениемв вакууме происходит диссоциация соединенияи на подложку оседает смесь его различных5 компонентов, не обладающая свойствами исходного материала.Целью изобретения является повышениечувствительности материала к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной об 10 ласти спектра.Это достигается тем, что в качестве полупроводника используют сегнетополупроводникЬЬ 51, при этом нанесение его осуществляютметодом дискретного взрывного испарения на15 подогретую до 50 - 60 С подложку с последующим выдерживанием материала в вакуумене менее 4 час при температуре 50 - 60 С.Способ осуществляется следующим образом,На диэлектрическую подложку наносят слой20 серебра. В случае применения светочувствительной системы для записи информации, принеобходимости считывания ее на пропускание,слой серебра выбирают небольшой толщины.На слой серебра наносят слой сегнетополупро 25 водника ЯЯ 1,Возможен и обратный порядок нанесенияслоев.Слой серебра наннием в вакууме порСоставитель В. Юскав Техред В. Рыбакова Корректор В, Якоаледа Редактор Г, Кузьмина Заказ 761/17 Изд.490 Тираж 609 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 сегнетополупроводника ЯЬБ 1 наносят методом дискретного взрывного испарения в вакууме того же порядка на слой серебра, при этом подложка со слоем серебра нагрета до 50 - 60 С. После нанесения слоев материал, представляющий собой систему ЬЬ 51 - Ад, выдерживают в вакууме порядка 10 -мм рт. ст. при температуре 50 - 60 С 4 - 5 час.При температуре 20 С система ЯЬЯ 1 - Ад характеризуется наряду с высокой устойчивостью без облучения чувствительностью к излучению в области длин волн до 1000 нм. При температуре 26 27 С в слое БЬ 51 происходит сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода. При такой температуре светочувствительность системы ЬЬ 51 - Ад возрастает в несколько раз и длинноволновый край ее смещается при этом до 1250 - 1300 нм. Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению, за ключающийся в том, что на диэлектрическуюподложку последовательно наносят слои серебра и полупроводника путем термического их испарения в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности 10 материала к электромагнитному излучению вближней инфракрасной области спектра, в качестве полупроводника используют сегнетополупроводник Я%1, при этом нанесение его осуществляют методом дискретного взрывного ис парения на подогретую до 50 - 60 С подложкус последующим выдерживанием материала в вакууме не менее 4 час при температуре 50 - 60 С.