Номер патента: 523514

Автор: Бархударян

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ш 1 823514 бааз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 05,02,71 (21) 1628718/09 51) М. Кл,а Н ОЗКЗ/284 рисоединением заявкиГас 1- арственныи комитет Совета Министров СССР по делам изобретений(23) ПриоритетОпубликовано 30.07,76, БюллетеньДата опубликования описания 12.08.76(088,8) крмтии 72) Автор изобретения Бархударян 71) Заявитель 54) ОДНОВИБРАТ овыш ение формируИзобретение относится к области импульсной техники,Известны одновибраторы, выполненные на транзисторах с конденсатором в цепи коллекторно-базовой связи, содержащие во времязадающей цепи дополнительный резистор, зашунтированный ключевым транзистором.Недостатком известного одновибр атор а является нестабильность длительности спада формируемого импульса вследствие дестабилизирующего влияния тока через базовоэмиттерный переход нормально открытого транзистора.Целью изобретения является пстабильности длительности спадаемого импульса.Это достигается тем, что в одновибраторе ключевой транзистор имеет одинаковый тип проводимости с основными транзисторами и включен по схеме с общим коллектором, причем его база подключена к коллектору нормально закрытого транзистора, а эмиттер - через времязадающий резистор к базе нормально открытого транзистора,На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого одновибратора.Схема содержит транзисторы 1 и 2 и - р - и проводимости, соединенные между собой коллекторно-базовыми связями. Времязадающая цепь состоит из последовательно соединенных диода 3, конденсатора 4, резистора 5 и дополнительного резистора 6, зашунтированного ключевым транзистором 7 п - р - и проводимости. Катод диода 3 подключен к коллектору нормально закрытого транзистора 1, а анод - к зарядному резистору 8. Ключевой транзистор 7 своей базой через резистор 9 подключен к коллектору транзистора 1, эмиттером - через последовательно соединенные резистор 5 и диод 10 - к базе нормально открытого транзистора 2, а коллектором - к источнику питания +Е Резисторы 11 и 12 являются коллекторными сопротивлениями транзисторов 1 и 2, а резистор 13 включен в обратную связь между коллектором транзистора 2 и базой транзистора 1.Цепь запуска состоит из содержащей конденсатор 14 и резистор 15 дифференцирующей цепочки и диода 16.В исходном состоянии, до поступления запускающего импульса на базу транзистора 1, транзистор 2 открыт до насыщения. В его базовой цепи протекает ток, определяемый напряжением питания +Е величиной резистора 5, диода 10 и резисторов 9 и 11. Бла; - даря малой величине падения напряжения на транзисторе 2 в режиме насыщения транзистор 1 удерживается в закрытом состоянии.Запускающий импульс положительной полярности через цепь запуска поступает на523514 обеспечивается исключение дестабилизирующего влияния тока через базово-эмиттерный переход транзистора 2 на время заряда времязадающего конденсатора, определяющего 5 время восстановления схемы и длительностьспада формируемого импульса,10 Одновибратор на транзисторах одного типапроводимости с конденсатором в цепи коллекторно-базовой связи, содержащий в цепи времязадающего резистора дополнительный резистор, зашунтированный ключевым тран зистором, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности спада формируемого импульса, ключевой транзистор имеет одинаковый тип проводимости с основными транзисторами и включен 20 по схеме с общим коллектором, причем егобаза подключена к коллектору нормально закрытого транзистора, а эмиттер - через времязадающий резистор к базе нормально открытого транзистора. оставитель В, Техред Т. чки едактор Н. Суханов ректоры: А, Николаева и В. Долурил каз 1788/6 Изд.1531 ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, РаушсТираж 1029Совета Министоткрытий ая наб., д. 4/5 Подписноеов СССР пография, пр. Сапунова,базу транзистора 1 и открывает его. Отрицательный перепад напряжения, сформированный в коллекторной цепи транзистора 1, закрывает ключевой транзистор 7, диод 10 и транзистор 2, а дополнительный резистор 6 входит в разрядную цепь времязадающей цепи.Ток, протекающий через резисторы 12 и 13 и через базово-эмиттерный переход транзистора 1, удерживает его в насыщенном режиме после окончания запускающего импульса до момента открывания транзистора 2,После открывания транзистора 2 начинает"я обратный перезаряд конденсатора, длительность которого определяется в основном резистором 8, и схема возвращается в исходное состояние,Благодаря тому, что ключевой транзистор 7, включенный по схеме с общим коллектором, является токостабилизирующим двухполюсником, а базово-эмиттерный переход открытого транзистора 2 включен в цепь отрицательной обратной связи транзистора 7 последовательно с его эмиттерным резистором 5,Формула изобретения

Смотреть

Заявка

1628718, 05.02.1971

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4387

БАРХУДАРЯН СЕРОБ БАРСЕГОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

Опубликовано: 30.07.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-523514-odnovibrator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Одновибратор</a>

Похожие патенты