Способ формировки электродов электро-химических интеграторов дискретно-го действия

ZIP архив

Текст

О П И С А НЙ 1 Й ИЗОБРЕТЕН ИЯ 1 и) 5 О 8812 Сова Советских Социалистических Реслублик(23) ПриоритетОпубликовано 30 Государственный комитетСовета Министров ССС. Бюллетень03 делам изооретени ата опубликования описания 26.05.76 и открыта ченко, Н. Г, Мурыгнна,И. А. Зайденмантут им. Н, К. Крупской енко, В, В, Соболь, 3. А, Маз Мансуров, М, В. Никифорова ооластной педагогический инс(54) СПОСОБ ФОРМОВКИ ЗЛЕКТРОДОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ИНТЕГРЛТОРОДИСКРЕТНОГО ДЕЙСТВИЯ Изобретение относится к преобразователям электрических величин.Известен способ формовки электрода хлор- серебряного дискретного интегратора, состоящий в том, что на серебряный электрод анодным током наносится хлористое серебро в количестве, равном номинальному заряду интегратора. Способ формовки электрода имеет большое влияние на электрические характеристики интегратора. Для интегратора, формованного известным способом, характерно высокое внутреннее сопротивление и напряжение на выходе в процессе интегрирования, При больших токах и низких температурах напряжение интегрирования может стать соизмеримым с напряжением отсечки, что вызывает ложное срабатывание электронной схемы, согласованной с интегратором.Цель изобретения - снижение внутреннего сопротивления интеграторов. Это достигается 1 ем, что по предлагаемому способу на электрод интегратора анодным током наносят слой хлористого серебра в количестве, превышающем номинальное в 1,5 - 2 раза, удаляют его восстановлением катодным током. Этот процесс повторяют до получения стабильной величины истинной поверхности электрода, т. е, поверхности, обусловленной микрорельефом, не видимым невооруженным глазом. Истин 2) Авторы нзобретсн 1 и В. Е. Дмит Г. Н 71) Заявитель Московскийная поверхность определяется различными меидами н может превышать видимую в 10- 1 О раз. Затем наносят номинальное количество х,н;ристого серебра.б Способ состоит в следующем.Интегратор, представляющий собой стекля:1 ную ампулу с впаянными в нее двумя серсбрянымп электродами, заполняют электрол 1 г 1 ом состава 43 об, % СН;ОН+0,25 1.1 С+ 10 +1.1;О нли 63 вес. ф, НСОХН,+0,25 М ХаС 1-+Н 20. 11 одключнв вспомогательньш электрод к 110,ОЖ 11 гельному полюсу, а раоочий электрод 1, отрицате,1 ьном; полюс исочника стоя:юго тока, производят формовку вспомо гатсльного элек 1 рода. При этом часть серебрапа а 110 де окисляется до х,1 ористого серсора В количестве, эквивалентном количеству пропущенного электричества, Обедненный С 1 ионамн электролит удаляют, заливают свсжу 1 о 20 порц 1:и электролита, меняют полярность элскролов н пропускают через систему ток довосста 1 овления АпС нательном электроде. При этом рабочий элс.трод окнсляется с образованием на его поверх ности . 1. С 1.,1 ля получения устойчивой во времени ис;1 иной поверхности необходимо провести 5 - 6 циклов а 11 одно-катоднон поляризации. Коли.ч с 1 во циклов, неооходпмое для получе:1 пя ус.508812 Формула изобретения Составитель И. ОрловаТехред Т. Лященко Редактор Т. Рыбалова Корректор М. Лейзерман Заказ 1095/17 Изд.1238 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 тойчивой во времени истинной поверхности, зависит от количества пропущенного электричества и уменьшается с уменьшением последнего. Затем в интегратор временно вводят дополнительный серебряный электрод и подключают его к положительному полюсу источника постоянного тока. Минус подают на раоочий электрод, покрытый слоем АдС 1, и пропускают ток до полного восстановления хлористого серебра на рабочем электроде, После этого проводят формовку вспомогательного электрода (плюс - на вспомогательный электрод, минус - на дополнительный) на номинальный заряд, дополнительный электрод удаляют, электролит в интеграторе меняют на свежий, ампулу запаивают и проводят испы ания. Способ формовки электродов электрохимических интеграторов дискретного действия, ос нованный на нанесении хлористого серебрааподным током на поверхность серебряного электрода, отличающийся тем, что, с целью снижения внутреннего сопротивления интеграторов и расширения диапазона рабочих 10 температур и токов, на электрод интегратораанодным током наносят слой хлористого серебра в количестве, превышающем номинальное в 1,5 - 2 раза, удаляют его восстановлением катодным током, причем процесс повторя ют до получения стабильной величины истинной поверхности электрода, а затем наносят номинальное количество хлористого серебра.

Смотреть

Заявка

2070379, 07.10.1974

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2763, МОСКОВСКИЙ ОБЛАСТНОЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙИНСТИТУТ ИМЕНИ Н. К. КРУПСКОЙ

ДМИТРЕНКО ВАСИЛИЙ ЕРМОЛАЕВИЧ, СОБОЛЬ ВЛАДИМИР ВАЛЕРИАНОВИЧ, МАЗНИЧЕНКО ЭММА АЛЕКСЕЕВНА, МУРЫГИНА НАТАЛИЯ ГРИГОРЬЕВНА, МАНСУРОВ ГЕРМАН НИКОЛАЕВИЧ, НИКИФОРОВА МАРИЯ ВАСИЛЬЕВНА, ЗАЙДЕНМАН ИОСИФ АРНОЛЬДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01G 9/22

Метки: действия, дискретно-го, интеграторов, формировки, электро-химических, электродов

Опубликовано: 30.03.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-508812-sposob-formirovki-ehlektrodov-ehlektro-khimicheskikh-integratorov-diskretno-go-dejjstviya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формировки электродов электро-химических интеграторов дискретно-го действия</a>

Похожие патенты