Метрососпитатор

Номер патента: 1511359

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Тулебаев, Шапилов

МПК: E04H 9/02

Метки: здание, многоэтажное, сейсмостойкое

...15 относительно крайних участков 7 стен, сопрягаемых с плитами бперекрытий и стенками 2 перпендикулярного направления,50Толщина энергопоглотителей 16 зависит от требуемой деформации их элементов и определяется расчетом на действие горизонтальных расчетных сейсмических нагрузок; она уменьшается от нижнего этажа к верхнему по высоте здания, что позволяет определить величину поэтажных смещений плит 6 перекрытий относительно средних 9участков 8 стен 2 и регулировать этисмещения,Размещение энергопоглотителей 16 сразличной толщиной их элементов в плане зависит от относительной жесткостисредних участков 8 стен 2, В участках 8 стен с большей жесткостью устанавливают энергопоглотители 16 мень-;шей толщины, а с меньшей жесткостью -...

Номер патента: 1119139

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Белоус, Головлев, Горшков

МПК: H02M 5/257

Метки: переменного, плавного, подъема, спуска

...реле, а выход соединен с вторым входом узла управления, плюсовые питающие контакты узлов управления включения реле, выключения работы узла управления подключены к плюсовому выходу источника постоянного тока, а минусовые контакты питания этих узлов подключены к минусовому выходу источника постоянного тока. На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства для плавного подъема и спуска переменного напряжения.Устройство плавного подъема и спуска переменного напряжения содержит дроссель 1 насыщения, имеющий три отдельных магнитопровода, на каждомиз которых расположена рабочая обмотка, а обмотка управления охватывает все три магнитопровода, источник 2 постоянного тока, минусовой выход (минусовая шина) которого соединен с...

Номер патента: 55255

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Карасев

МПК: H02J 3/12

Метки: переменного, плавного

...для регулирования напряжения, фиг. 2 - схему предлагаемого устройства.Два магнитопровода а и д снабжены двумя последовательно соединенными первичными обмотками (обмотки возбуждения) Ви Ю переменного тока, напряжение которых в сумме равно фазовомуо -- о+ оь.На те же магнитопроводы а и о надеты вторичные обмотки 1 Ги В"г причем, если на магнитопроводе а направление намотки обмоток Ри % одинаково, то на магнитопрово. де Ь направление намотки обмотки Ю противоположно направлению намотки обмотки Р"ь% = - Ю",Вторичные обмотки Ю, и %"ь включены последовательно друг другу и вставлены в рассечку фазового провода.Перепад напряжения:Соьо = -- (о - о),3Кроме того, на оба магнитопровода а и Ь насажепы обмотки постоянного тока Юра и Юрр.Если...

Номер патента: 309261

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Сычев

МПК: G01L 7/08

Метки: 309261

...общей и постоянной по своему характеру для всех мембран, имеющих одинаковыепо высоте и шагу гофры и равномерную толщину стенки,Установленная закономерность действительна для всех концентрически гофрированныхмембран, отличающихся рабочим диаметром,формой и количеством гофр, различной глубиной гофр, толщиной материала различных марок, положением упругой поверхности по отношению борта и других параметров, а такжене зависит от величины давления, действую от 55 60 65 10 15 го г 5 Зо 35 40 45 50 щего на мембрану, и ее перемещения, если последпес не превышает предела упругости материала.На фиг. 1 приведены графики зависимости- , построенные по средлпним значениям, полученным при испытаниях мембраны того или иного типа. Профили мембран...

Номер патента: 666500

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Коробченко, Михайлов, Родичев

МПК: G02B 5/126

Метки: коэффициентом, отражатель, отражения, переменным, радиусу

...3 - кривая зависимости коэффициента отражения у,от угла охвата отражателя (Ъ,Отражатель 1 имеет рабочую равномерно отражающую поверхность 2. Через отверстие в центре отражателя проходит ось Э вращения многолучевой звездочки 4, Последняя задерживает часть светового потока, падающего на отражатель и, чем ближе к центру, тем меньше энергии попадает на его отражающую поверхность, Центральная часть звездочки вообще не прспускьет666500 Формула изобретения Заказ 3178Подписное И ПИ д 4ма л 7 еая градус света. Поэтому коэффициент отражения в таком устройстве изменяется от максимума на.периферии до минимума в центре. Максимальный коэффициент отражения определяется качеством отражающего покрытия 2 отражателя 1, а минимальный - составляющей...