Экспонометр

Номер патента: 463914

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Зайденберг, Ураков

МПК: G01R 17/10

Метки: допускового, мостовой, настройки, резисторов, схемы

...утечек,Для повышения точности измерения и сохранения испытательного напряжения на контролируемом резисторе при наличии паразитных 20 утечек по предлагаемому спосооу в 1 тежиме настройки закорачивают постоянное сопротивление в плече моста, противоположном контрольному, и балансируют мост введением дополнительного сопротивления в плечо моста, 25 противоположное контрольному, одновременно поддерживая постоянство рабочего тока через плечо опорной ветви моста, смежное с контрольным, изменением напряжения питаниямоста. устроцства, б.измеритель- которой со 1 ц пспытуемост через , а опорная и Лз Кроме т часть пое мостовойотсутствии енин Л, изоотбраковки, верхнем поКорректор Е, Рогайлнн ин дакто Подписное Тираж 902омитета Совета Мин зд. Ъо 12...

Номер патента: 1083362

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Ежов, Смирнов

МПК: H03K 17/08

Метки: входов, защиты, интегральных, мдп, структурой, схем

...питания и общей шиной, первый резистор включен5 Омежду входной шиной и общей точкойсоединения диодов, которая также подключена к выходной шине, дополнительно введены первый и второй полевыетранзисторы, второи резистор из 55вторая шина питания, причем затворыполевых транзисторов объединены ичерез второй резистор подкгюччы к 62 2 второй шине питания, исток первого полевого транзистора подключен к общей шине, сток - к истоку второго полевого транзистора и к входной шине и сток второго полевого транзистора подключен к первой шине питания.На чертеже приведена схема устройства.Устройство содержит первый резистор 1, соединенный с двумя последовательно соединенными диодами 2 и 3. Первый диод 2 соединен с первой шиной питания 4, второй диод 3...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 643099

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Джеймс, Джордж

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, подложки, потенциалом, схем, схема, твердых

...конденсатором 35 и трзнзисторами 36, 37 н 2 О образуют схему инвертора, которая по своему действию подобна каскаду генера.тора 17, но обладает более высокой способностью к раскачке, Хронирующий сигнал с узла 28 поступает нз затворы входного )В транзистора 36 и дополнительного управляю" щего транзистора 38, который .Соединяется последовательно с транзистором 32 и землей в точке 39. Подобным образом узел 29, нз который поступает выходной сигнал с гене ратора, Присоединяется к входному затвору транзистора 37 инвертора и к затвору сле-.дующего управляющего транзистора 40, также соединенного последовательно с транзистором 32, Затвор транзистора 2 О инвертора . соединяеся со схемой детектора 19, которая 2 ф будет Описана киже. Выходной сигнал...

Номер патента: 1559441

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Пасечник, Петров, Шпаков

МПК: H05K 1/18

Метки: выводами, интегральных, контактное, ступенчатыми, схем

...состоянии контакты 2 находят.ся в разомкнутом положении с вьводами558 ИС 5. Замыкание контактов 2 с выводами 8 ИС 5 производят с помощьюмеханизма перемещения контактов. Дляэтого включают привод (не показан)дами ИС в корпусе типа ДПР наружные края 7-образного выреза, скользяпо вьводам ИС, взаимодействуют соступеньками широкой части вывода микросхем. В результате взаимодействияв зоне контактирования возникает реакция Б вьвода, которая увеличиваетконтактное усилие и одновременно перемещает ИС.на величину зазораа,Дальнейшему перемещению препятствует направляющая 11 . 1 з.п,ф-лы, 5 ил .В 1под действием которого планки 3 перемещаются навстречу друг другу, При этом контакт 2 своими,7-образными вырезами 4 охватьвает узкую часть вьвода 8 на...