Реверсивный преобразователь постоянного тока

Номер патента: 693279

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Обликов

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, импульсный, коэффициента, малого, передачи, режиме, сигнала, транзисторов

...с ц 3,";."ПС 1:/)с " С)/Я Т)2- )Ь 3 ЧЕЕ,ВВд(:Ы " ".Ю Г 3),.с .СИсг/2 гЙ сз/гш. )к)К)сьый ,.еж (,),ге.,; ).:, . О1 С:; Т С М ) Го)3 Ц С Т ) 2Ч СВЛ";Г, тока базы Вход ког,О;о и) :(. осц (ОД 00",.)ЯТО;)с Т)Кс 231, с ВЬ.)Доазс тре Пзи(тс)п 1, и к. ю со) Оса цамя- и,В:,)Д КС)ТСРСГО СОЕ ЦСН С:ЯДЯЮЦИ "1СЦС)2- ОРО;:, с ВЫХ)Д( Э,СХ(Пт 1 Пс )ЯТЦ Гка базы.1 2 серт. же Грс,1 стс Влс с фсн к иаль"ц Я я Е Х е с Я ( 3, Ер ИТОГ /(.Дкз;ер:.тс,ь сосржит за.,аюц и:ес атор/ и и, ьсОВ 1, эле мст заде)п жки /. Клч ссОса па 5,ти 3. 0 Рс 13 ю(цие с е /: 0 СРЯ ТРЯП,",ЬСОП ИСТОЧН1(РПОГО; а 05(;Е - .П ц ) 4, ( / СЛ я ТО р 1 О К 2 03 Ы), К.Ч ) а Зр Ы В а СПИ 050)ТПОЙ Связи 6, Э.СМЕ:(Т ца;с:Т: То02 ", Г(с)210) ) )К; СИ, и ЯЛЦОЙт 1,. и(:с) иик коллектори го...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1231576

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Елистратов, Судаков

МПК: H03F 3/19

Метки: составной, транзистор

...первого дополнительного транзистора 4) второго кацала усиления равна 112Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в мощных усилителях, умножителях, автогенераторах высокой и сверхвысокой частоты, а также в других генераторных и усилительных устройствах самого различного назначения.Цель изобретения - повышение коэффициента усиления по току при одновременном расширении диапазона рабочих частот.На чертеже представлена принци" Р6 з 8 з 8 кВыходные токи обоих каналов усиления, имеющие фазы - и Г, суммируютс 2 ся на общей нагрузке в коллекторной цепи СТ1 азность фаз суммируемых выход-. ных токов двух каналов усиления с учетом выражений (1)-(3) равна+ , + цР. .р - Ч Ч, +9 -Ч, .Р -Рбз бк 6 э 6 з Е Як Тогда...

Номер патента: 534710

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Замилатский, Милюков

МПК: G01R 31/27

Метки: исправности, непрерывного, параллельно, соединенных, транзисторов

...двумя упрявляю 1 циии Обмот - ками, причем начатя пеовых Обмоток подк)О- ченн к эмиттеоям своих транзисторог) кощъ( 1 ф втооых обмоток - к эмиттерям соседеих трак - зистооов, конць Первь:х и начала ьтооъх обмоток объединены, а контакть реле соединень с исполнительным блоком. Н- чертеже изобоа)гене грггнцпяльняя схема устройства для контроля трех параллельно соецикенкых тпанзисторов. Устройство соцержит контрольный блок 1 с первы)и 2, 3 и втооыми 4, 5 обмотками управленця и магеитоуправляеЪМи контактами 6, 7 реле блока контроля, исполнительный блок 8, перемычку О,Начала угравгяющх обмоток 23 ОдклО- чают к эмиттерам своих транзистооов 1 ., 12, а концы обмоток 4, 5 - к змиттерам соседнихх транзцстооов, Копеы обмоток 2, .3 и начала Обмоток...

Номер патента: 611163

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Григорьев, Рамзайцев, Шварцбург

МПК: G01R 31/26

Метки: емкости, коллекторного, перехода, транзистора

...1, 2,высокочастотных сигналов, формирующих сигналыс частотой Ф, и 11 соответственно, измеритель.ные каналы 3, 4 и 5, электронную вычислительную машину (ЭВМ) 6 и индикатор 7,Измеритель работает следующим образом.С выходов генер 1 и 2 высокочастот.ные сигналы поступаю клемму К в коллектор испытуемого транзистора. С базы и эмитера испытуемого транзистора (с клемм Б исоответственно) сигналы поступают через буфер.611163 составляюответстобратной та обра частотах съемногоого трап мула изобретения внима. ллекторног Способ измерения емкости ко перехода транзистора путем подачи мый прибор двух различных по ча частотных сигналов и измерения к о бра пой передачи транзистора, о ш и й с я тем, что, с целью пов сти измерения, на одной из двух...