Устройство для получения низких температур
Номер патента: 480891
Авторы: Есельсон, Иванцов, Михайлов, Щербаченко
Текст
О П И С А Н И Е (и) 4808%ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соо 3 Сею. г р.к.у Социашстмме них РыпубпикОсуддрственнйзи Совета 4 иниотр по делам изаори отирыти оликовано 15.08.75. Б летень.2) Авторыизобретения Б, К, Есельсон, В, Г. Иванцов, Г, А, Михайлов и Р. И. 1 Цербаченк 71) Заявитель физико-технический институт низких температур АН Украинской С ПЕРАТУ(54) УСТРОЙ ЛЯ ЛОЛ УЧЕН ИЗКИ Изобретение относится к технике низких температур и касается конструкции криостатов, используемых для исследований при температурах жидкого гелия.Жидкий гелий благодаря низкой температуре кипения (4,2 К) позволяет осуществить самый низкотемпературный цикл. Однако в связи с тем, что гелий переходит в сверхтекучее состояние при температуре ниже 2,17-К (Х - точка), при получении более низких температур откачкой паров над ним возникает дополнительная трудность, связанная с наличием сверхтекучей пристенной пленки. Наличие такой легко подвижной пленки, движущейся к теплым частям криостата, приводит к ее испарению там, в связи с чем резко уменьшается полезная скорость откачки. Поэтому в технике получения низких температур откачкой паров над жидким гелием возникла необходимость ограничения или остановки движения пленки.Поскольку количество переносимого по пленке гелия в единицу времени пропорционально минимальному периметру в линии откачки, известна конструкция, содержащая сужение. В приборе такого типа удалось получить минимальную температуру 0,71"К откачкой паров над жидким Не 4. Недостатком такой конструкции является весьма большое(3 - 4 ч) время достижения минимальной температуры и сложная техника работы с таким криостатом.Целью изобретения является повышениеэффективности устройства, используемого для получения низких температур путем откачки паров над жидким сверхтекучим гелием, 11 оставленная цель достигается тем, что на пути движения пленки гелия на внутренней стенке сосуда Дьюара установлена обкладка нз электропроводного материала, эквидистантно которой расположена электро- проводная насадка, причем обкладка и насадка соединены с источником переменной э. д. с. ;5 На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из экранирующего сосуда Дьюара 1 с жидким азотом, расположенного внутри него сосуда Дьюара 2 с жидким гелием, имеющего электропроводную обкладку на внутренней стенке 3 и электропроводную насадку 4, расположенную эквидистантно по отношению к обкладке 3 на расстоянии от нее в несколько сотых миллиметра. Верхняя часть сосуда Дьюара заканчивается капкой 5, имеющей приспособления для заливки гелия, откачки паров над жидким гелием и для измерения давления внутри Дьюара. От внешнего источника э. д. с. к электропроводным обкладкам и насадке 3 иКорректор Л. Кото дактор Т. Девятко Тираж 619Совета Министрооткрытийаб., д. 4/5 Изд.1690 осударсгвенного комитета по делам изобретений и Москва, )К-З 5, Раушская.Заказ 2566/20ЦНИИПИ ПодписноеССР Типография, пр. Сапунова, 2 4 подводится переменное напряжение необходимой величины (до 300 В). Устройство работает следующим образом.В сосуд Дьюара 1 заливается жидкий азот, в сосуд Дьюара 2 - жидкий гелий. Затем начинается откачка паров над жидким гелием в сосуде Дьюара 2 и связанное с ним понижение температуры. Далее включается источник э.д. с., подающий переменное напряжение необходимой величины и частоты к обкладке 3 и насадке 4. Пленка сверхтекучего гелия, попадая в зазор между обкладкой 3 и насадкой 4, будет тормозиться переменным электрическим полем, существующим в этом зазоре, благодаря воздействию переменного электрического поля на пленку гелия. Предмет изобретения 5Устройство для получения низких температур, содержащее сосуд Дьюара с жидким сверхтекучим гелием, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения скорости откач О ки паров гелия и получения более низких температур, на внутренней стенке сосуда Дьюара установлена обкладка из электропровод- ного материала, эквидистантно которой расположена электропроводная насадка, причем 15 обкладка и насадка соединены с источникомпеременной э. д. с.
СмотретьМПК / Метки
Метки: низких, температур
Опубликовано: 15.08.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-480891-ustrojjstvo-dlya-polucheniya-nizkikh-temperatur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для получения низких температур</a>
Предыдущий патент: Термоэлектрический холодильник
Следующий патент: Устройство для замораживания грунта
Случайный патент: Отсчетное устройство кодового теодолита