Фантастрон с коллекторной связью
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 476672
Автор: Орденко
Текст
ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 111) 476672 Саюз Соеетскик Социалистических Республик) Дополнит ное к авт. свид-ву 51) М. Кл. Н ОЗК 4/5 22) Заявлено 30.07.73 (21) 1955590/26-2 с присоединением заявки Ъ Государственный комитет Совета Министров СССР ио делам изобретений(23) Приоритет нь че 3) УДК Г)21.373,4(088.8) бликовано 05,07.75, Бюлл ткрыт та опубликования описания 17.11,75 72) Лвтор 113 0 0 р сто п 115) ФАНТАСТРОН С КОЛЛЕКТОРНОЙ СВЯЗЬЮ раз превышает макспзнстора нагрузки в изтрона, поэтому коэффиустройстве во столько известном устройстве. схемы в устойчивое со заряжается базовым ерез низкое сопротивлеоку транзистора 4, кото- стабилизатора тока, что ядки конденсатора 13, аряда.а 4 обеспечивает уменьновления приблизительвеличение линейности в едмет нз ет язью, отлиуменьшения щения линей- , в него ввеэмиттер кок клемме ис- времязадаюрезистор - к лемме источа соединен с Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве генератора пилообразного напряжения.Известен фантастрон с коллекторной связью, но он имеет большое время восстановления и низкую линейность генерируемого напряжения.В предложенном фантастроне указанные недостатки устранены за счет того, что в него введен дополнительный транзистор, эмиттер которого подключен через резистор к клемме источника питания, коллектор - к времязадающему конденсатору, база через резистор - к общей шине и через диод - к клемме источника питания, причем анод диода соединен с базой упомянутого транзистора.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.Фантастрон с коллекторной связью содержит транзисторы 1 - 4, резисторы 5 - 12, конденсатор 13 и диод 14.В исходном состоянии транзисторы 1 и 3 открыты, транзистор 2 закрыт, транзистор 4 открыт, и конденсатор 13 заряжен. Отрицательный импульс, поступающий на базу транзистора 2, приоткрывает его, и потенциал его коллектора начинает линейно меняться. Нагрузкой транзистора 2 является дифференциальное сопротивление транзистора 4, которое имеет величину порядка нескольких сотен килоом, что в несколько мальную величину ре вестной схеме фантас циент нелинейности в 5 же раз меньше, чем в После возвращения стояние конденсатор 1 током транзистора 1 ч ние по постоянному т 10 рый включен по схеме улучшает условия зар уменьшая время его з Наличие транзистор шение времени восста 15 но на два порядка и у несколько раз.20 Фантастрон с коллекторной св чающийся тем, что, с целью времени восстановления и повы ности генерируемого напряжения ден дополнительный транзистор,25 торого подключен через резистор точника питания, коллектор - к щему конденсатору, база через общей шине и через диод - к к ника питания, причем анод диод30 базой упомянутого транзистора.476672 Составитель Ю. ЕркинТекред Л, 1(азачкова Редактор Т. Орловская Корректор Т, Гревцова Типографии, пр. Сапунова, 2 Заказ 2694/9 Изд. Ы 882 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1955590, 30.07.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1742
ОРДЕНКО ЭДУАРД ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 4/502
Метки: коллекторной, связью, фантастрон
Опубликовано: 05.07.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-476672-fantastron-s-kollektornojj-svyazyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фантастрон с коллекторной связью</a>
Устройство стабилизации переменного напряжения
Номер патента: 1394205
Опубликовано: 07.05.1988
Авторы: Глущенко, Лебедев, Махонин, Соболь
МПК: G05F 1/30
Метки: переменного, стабилизации
...отклонения входного напряжения от заданного выходного напряжения, а фаза изменяет Б ся на 180 при изменении знака отклонения входного напряжения от заданного выходного. В левом плече моста соединены последовательно линейный элемент (резистор) 9 и лампочка 13 30 накаливания (нелинейный элемент) . В правом плече моста соединены последовательно лампочка 13 накаливания и линейные элементы (резисторы) 10 и 11. Сопротивление лампочек накаливания изменяется прямо пропорционально величине действующего значения тока, проходящего через них. Величина рабочего тока лампочек накаливания выбирается равной 35-403 номинально го значения.Устанавливают величину входного напряжения, равную заданной величине выходного напряжения, и переменным резистором...
Блокинг-генератор
Номер патента: 266823
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Мишинский
МПК: H03K 3/30
Метки: блокинг-генератор
...2, коцдецсатор 3, сопротпвлс,цця 4 и 5. К коллекторцому сопротивлению 5 подключен переход эмцттер - база дополнительного транзистора обратцой проводимости. Этот транзистор открыт и цасыщсц в те еце лсего импульса, и через него ц токоограццчцвающее сопротивлецце 6 заряжается дополнптелыый коцдецсатор 7. Емкость коцдецсатора Выоцрается такои, чтооы цапряжепе па пем в конце импульса было мецьше по абсолютной величине, чем напряжение, ца основном коцдсцсаторе 8. Прц этом кремццевый диод Ь в течение всего импульса смещен в обратцом аправлеццц, коцдецсаторы 3 и 7 разделены, и процесс заряда коцдецсатора 7 пе влияет ца длительность импульса блокпцг-гснсратора.Когда блокичг-гецератор гецерпруст импульс, то открывается...
Зарядное устройство
Номер патента: 630734
Опубликовано: 30.10.1978
МПК: H03K 3/53
Метки: зарядное
...пьезоэлектрические трансформатор 2 и дроссель 3. К выходу пьезоэлектрического трансформатора 2 подключен накопительный конденсатор 4 через выпрямитель 5, База транзистора 1 соединена через конденсатор б с электродом обратной связи пьезоэлектрического трансформатора 2. Исходный режим по постоянному току транзистора 1 задан резистором 7, включенным между базой и коллектором. Зарядное устройство работает в автоколебательном режиме.При включении источника питания в замкнутой системе, образованной транзистором 1, пьезоэлектрическим трансформатором 2, дросселем 3 и конденсатором 6, возникают незатухающие колебания, частота которых равна частоте настройки пьезоэлектрического трансформатора 2. Колебательный контур, образованный...
Способ смыслова для определения максимально допустимых значений параметров питания резистора
Номер патента: 1539678
Опубликовано: 30.01.1990
Автор: Смыслов
МПК: G01R 27/00
Метки: допустимых, значений, максимально, параметров, питания, резистора, смыслова
...питания измерительного,моста и фиксируют состояние равновесия, при выходе измерительного мостаиз состояния равновесия уменьшаютнапряжение питания до величины, подававшейся на измерительный мост напредыдущем этапе измерений, измеряют значение электрической вели"чины, функционально связанной с определяемыми максимально допустимымизначениями параметров питания измеряемого резистора и рассчитывают максимально допустимые значения параметров литания измеряемого резистора по 30формулам.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в качестве электрической величины, функциональносвязанной с определяемыми максимально допустимыми значениями параметровпитания испытуемого резистора, принимают значение напряжения, измеренное на этом...
Видеоусилитель-преселектор синхроимпульсов
Номер патента: 273298
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Полонский
МПК: H03G 9/24
Метки: видеоусилитель-преселектор, синхроимпульсов
...составляющей, уменьшить помехи от видеоусилителя и получить хорошую линейность видеоусилителя.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Устройство работает следующим образом. Напряжение от источников 1 и 2 выбираются такими, чтобы при запертом или лишь немного открытом входном транзисторе 3 выходной транзистор 4 и диод 5 закрыты за счет разности потенциалов между источниками 1 и 2 и источником 6. При увеличении напряжения от источника видеосигнала 7 на входе транзистора 3 последний постепенно начинает отпиратьсяпричем его коллекторный ток в первый момент течет только через резистор 8. По мере увеличения тока транзистора 3 напряжение на его коллекторе уменьшается за счет увеличивающегося падения напряжения на резисторе 8 и...
Предыдущий патент: Генератор пилообразного напряжения
Следующий патент: Импульсный преобразователь напряжения в ток
Случайный патент: Состав для изоляции промытых зон пласта