Свч фазовращатель

(22) Заявлено 02.03.73 (21) 1892408/26-9 51) М. Кл. Н 01 р 1/18 с присоединением заявки арственный комитет 23) Приоритет ета Мнннстрое СС 53) УДК 621.372(088.8) убликовано 05,07,75. Бюллетен елам изобретений и открыти публикования описания 08.12.75В. С. Осадчук и Н. А. Филинюкнницкий филиал Киевского ордена Ленина политехническогоинститутаИзобретение относится к радиотехнике, может использоваться в радиоизмерительной СВЧ аппаратуре.Известен СВЧ фазовращатель, содержащий отрезок линии передачи с управляемой реактивностью в виде транзистора.Цель изобретения - увеличение фазового сдвига,Для этого в управляемую реактивность предлагаемого фазовращателя введены два дополнительных транзистора, при этом база и коллектор упомянутого транзистора соединены через последовательно включенные резистор и индуктивность, а его коллектор соединен с эмиттером первого транзистора, база которого соединена с эмиттером второго транзистора; при этом между его базой и коллектором включен конденсатор.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого СВЧ фазовращателя,Фазовращатель представляет собой отрезок СВЧ тракта, нагруженный электрической цепью, состоящей из транзисторов 1 - 3. Транзистор 1 включен эмиттером и коллектором последовательно СВЧ тракту. Между его базой и коллектором включены индуктивность 4 и резистор 5, Транзистор 2 включен эмиттером и коллектором в СВЧ тракт последовательно с транзистором 1, но между его базой и коллектором включена цепь эмиттер - коллектор транзистора 3, у которого осуществлено короткое замыкание коллектора и базы по высокой частоте. Питание транзисторов происходит через делитель б, 7.Потенциометр 8 служит для изменения токов эмиттеров транзисторов 1 - 3. Развязка цепей питания и сигнала выполняется дросселями 9 - 14, закорачивающими емкостями 15 - 20 и разделительными емкостями 21, 22.10 Устройство работает следующим образом,При отсутствии тока эмиттера транзисторов 2 и 3 комплексное сопротивление цепи эмиттер - коллектор транзистора 2 является емкостным с низкой добротностью, что 15 обусловлено действием емкостей эмиттерно.го и коллекторного переходов транзисторов 2, 3. При его увеличении уменьшается емкостная составляющая комплексного сопротивления цепи эмиттер - коллектор транзистора; при больших токах оно становится индукивным, что обусловлено запаздыванием сигнала вследствие конечности времени движения неосновных носителей тока в области базы транзисторов 2, 3, Потери в цепи эмит тер в коллект транзистора 2 с ростомэмиттерных токов транзисторов 2, 3 уменьшаются и стремятся к нулю. Входное сопротивление цепи эмиттер - коллектор транзистора 1 при номинальном токе эмиттера являет ся индуктивным с отрицательной активной476627 П р едм ет и зоб р етени я Составитель Р. Дубоваяедактор Б, федотов Техред 3. Тараненко Корректор О. Тюрин Тира,к 833ста Совета Министропо делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 каа 3005/1 Изд. ЪЪ 982 ЦНИИПИ Государственного комит ПодписноеСР ипография, пр. Сапунова,составляющей, что обусловлено запаздыванием СВЧ сигнала на угол более 90 за счет конечности времени движения носителей в области базы транзистора 1 и действия индуктивности 4 и резистора 5, Величина отрицательного активного сопротивления зависит от тока эмиттера транзистора 1 и с ростом тока нарастает.Постоянный ток эмиттера транзисторов 1 - 3 регулируется потенциометром 8 таким образом, что при нарастании тока эмиттера транзисторов 2 и 3 уменьшается ток эмиттера транзистора 1.Подбором режима питания транзисторов 1 - 3 можно добиться компенсации активных потерь в устройстве за счет отрицательного активного сопротивления транзистора 1 во всем диапазоне изменения управляющего тока эмиттера транзисторов 2 и 3. Электромагнитная волна, попадая на вход устройства, под действием реактивного входного сопротивления цепей эмиттер - коллектор транзисторов 1 и 2 изменяет свою фазу и отражается. Потери электромагнитной энергии при этом малы и незначительно изменяются во всем диапазоне изменения фазы. СВЧ фазовращатель, содержащий отрезок 10 линии передачи с управляемой реактивностьюв виде транзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения фазового сдвига, в управляемую реактивность введены два дополнительных транзистора, при этом база и 15 коллектор упомянутого транзистора соединены через последовательно включенные резистор и индуктивность, а его коллектор соединен с эмиттером первого транзистора, база которого соединена с эмиттером второго 20 транзистора, при этом между его базой иколлектором включен конденсатор.