Амплитудный дискриминатор

1" 4 89 Союз Советски оциалистическ респтбчикОБ ВТОРСКОМУ СВИДЕ 61) Зависим вт. свидете 1) М. Кл. Н 031( 5/2 2 Я) Заявлено 13.08,73 (21) 19564 соединением заявки Государственнык комитет 32) Приоритетпубликовано 30,01,75. Бюллет Совета Министров СССпо делам изобретенийи открытий 3) 21,374.3088,8) ликования описания 04.0 ата(71) Заявитель В. В. Суворов и Е. В. Королькосковский ордена Ленина и ордена Трудового Красного государственный университет им. М. В, Ломоносов ни 54) АМПЛИТУДНЪй ДИС НАТОР Изобретение относится к области ядерной электронвкп и может быть использовано в радиотехнике.Известны амплитудные дискриминаторы, выполненные на туннельном диоде, содержащие схему шунтирования на двух транзисторах разного типа проводимости и входной усилитель тока на транзисторе, подключенном коллектором к катоду туннельного диода.Цель изобретения - уменьшение гистерезиса,Это достигается тем, что эмиттеры транзисторов схемы шунтирования соединены между собой, базы подключены к срединам точкам делителей напряжения питания схемы шунтирования, состоящих из сопротивления и стабилитрона, при этом резистор в цепи базы и - р - и-транзистора и стабилитрон в цепи базы р - и - р-транзистора зашунтированы конденсатором.На фпг. 1 изображена электрическая схема амплитудного дискриминатора; на фиг, 2 приве,дена диаграмма его работы.Дискриминатор содержит входной усилитель тока, туннельный диод 1 и схему шунтирования, Входной усилитель тока выполнен на транзисторе 2, коллектор которого соединен с минусом туннельного диода и схемой шунтирования, эмиттер через резистор 3 - с минусом питания, а база подключена к средней точечке делителя, состоящего из резистороч 4 и 5; кроме того, база соединена с разделительным конденсатором 6, Номиналы резисторов 4 и 5 определяют потенциал базы транзи стора 2, а номинал резпетора 3 устанавливается таким, чтобы получить нужное значение тока коллекгора транзистора 2 в статическом режиме, Схема шунтирования состоит из транзисторов 7 и 8, эмиттеры которых соеди иены. Потенциал базы транзистора 7 фткксрован путем подключения к стабилитрону 9, соединенному вторым выводом с общей точкой схемы; ток стабилитрона задается резистором 10, зашунтированным конденсатором 15 11. В статическом режиме устанавливаетсянебольшая разность потенциалов между базами транзисторов 7 и 8, недостаточная, однако, по величине для заметного открывания транзисто р ов.2 О Работа амплитудного дискриминатора протекает следующим образом.Входной сигнал через конденсатор 6 подается на базу транзистора 2 и вызывает изменение тока коллектора этого црапзпстора, 25 пропорциональное величине сигнала, Приращение коллекторного тока распределяется в цепи туннельного диода и схемы шунтирования, имеющей нелинейную вольт-ам пер ную характеристику. Требуемый эффект малого ЗО гистерезиса достигается за счет того, что для458945 ВахОЮ Вх иг. Фиг. Р Составитель А. Туляковдактор И, Грузова Техред Т, Миронова Корректор Е. Кашина Тираж 902 ПодписноСовета Министров СССРоткрытийнаб., д. 4/5 Изд.1056 дарственного комитета по делам изобретений осква, Ж, Раушская Заказ 450/20ЦНИИ ос ипография, пр. Сапунова построенной таким образом схемы при правильном подборе токов и потенциалов нагрузочная ветвь схемы шунтирования вблизи порога срабатывания оказывается очень близкой по форме и расположению к,ветви отрицателыного сопротивления туннельного диода, что небольшое увеличение (уменьшение) суммарного тока приводит к перебросу рабочей точечки на диффузную (туннельную) ветвь, При этом именно вследствие подобия указанных участков характеристик переключение схемы происходит при небольших изменениях тока и сопровождается значительным изменением напряжения на выходе схемы, последнее, в свою очередь, имеет следствием большой коэффициент подавления подпорогового сигнала,На фиг. 2, поясняющей работу дискриминатора, точка А соответствует статическому режиму, точки Б и В - соответственно под- и надпороговому состоянию схемы вблизи порога срабатывания, 12 - нагрузочные ветви схемы шунтирования для трех состояний дискриминатора, 13 - характеристика туннельного диода.5Предмет изобретенияАмплитудный дискриминатор, выполненный на туннельном диоде, содержащий схему шунтирования на двух транзисторах, разного 10 типа проводимости, входной усилитель токана транзисторе, подключенном коллектором к катоду туннельного диода, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения гистерезиса, эмиттеры транзисторов схемы шунтирования 15 соединены между собой, базы подключены ксредним точкам делителей напряжения питания схемы шунтирования, состоящих из сопротивления и стабилитрона, при этом резистор в цепи базы и - р - и-транзистора и стабили трон в цепи базы р - п - р-транзистора зашунтированы конденсатором.