Магнитоакустическая линия задержки

Номер патента: 801150

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Балов, Закгейм, Петрищев, Понкратьева, Преснова, Шпин

МПК: H01L 41/06

Метки: демпфер, задержки, звукопровода, линии, магнито-стрикционной

...упругости по сравнению с коэффициентомупругости соседнего нижележащего слоНа чертеже показана конструкцияпредложенного демпфера.Он представляет собой нмассу грушевидной формы,на конце звукопровода 1, снижнего слоя глазури и посслоев 2 - 4.Коэффициенты упругости мапоследующих слоев меньше пос предыдущим, Слой 3 выполнемер, из шеллака, слой 4 - изка ВГ,При распространении ультразвуковойВолны по звукопроводу она отражаетсяот его концов. Наличие нагруэочноймассы значительно ослабляет отражениесигнала. Материал слоя нагрузочноймассы, непосредственно прилегающийк звукопроводу, должен иметь одинако801150 формула изобретения Составитель В. БанковРедактор Н. Суханова ТехредН,Ковалева Корректор Е. Рошк,Заказ 10445/7 Т И го коми ий и о 11 М...

Номер патента: 1152081

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Ваняшев, Листаров, Мякиньков

МПК: H03K 5/159

Метки: задержки, линией, логических, согласования, элементов

...шине дополнительного источника 11 питания, первая шина которого соединена с другим выводом третьего резистора 5.Для обеспечения работоспособности схемы должны выполняться определенные требования к значению резисторов 1 и 5 и напряжению дополнительного источника 11 питания.По величине резистор 5 должен соответствовать волновому сопротивлению линии задержки, что необходимодля ее согласования по входу. Во время передачи сигнала через линию задержки данный резистор подключаетсяк ее началу через открьггый транзистор 4, сопротивление которого врежиме нась 6 цения очень мало. Для обеспечения режима насыщения этого транзистора напряжение дополнительного источника питания 11 должно быть больше напряжения питания логических элементов. Резистором...

Номер патента: 128061

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Каменский

МПК: H03H 9/30

Метки: задержки, линии, ультразвуковые

...при анизатропном распространении.В описываемом изобретении этот недостаток устранен тем, что ли. нии задержки выполнены из монокристаллов кубической сингонии, ориентированных так, что их плоскость совпадает с так называемой особой плоскостью монокристалла, в которой распространение ультразвука подчиняется законам геометрической оптики и происходит изотропно. В качестве материала для изготовления линий задержки могут быть использованы монокристаллы ХаС, КС 1, КВг.Для защиты монокристаллического звукопровода настроенную линию задержки заливают полиуретановой или другой жидкой массой с парафором, дающим вспенивание в процессе заливки. жидкая масса, полимеризуясь, образует упругую водонепроницаемую защитную рубашку из пенопласта,...

Номер патента: 597064

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Дильдина, Кузьмицкий, Рогачев

МПК: H03H 7/30

Метки: задержки, линия, недисперсионная, ультразвуковая

...Переме ние может быть выполнено ум толщины полосы по линейному от одной боковой грани к др что в овой линии ровод в анях котона торцо- лектричесот однойлнена с нное сечееньшением законуугой597064 Формула изобретения Составитель В,Банков нова Техред А.Богдан Корректор С.Ямаловактор О.И аказ 1069/53ЦНИИПИ Г Тираж 1087 осударственного комитета Совепо делам изобретений и о 13035, Москва, Ж, Раушская Подписноа Министров ССкрытийнаб., д. 4/5 иал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектна На чертеже приведено предлагаемое устройство.Звукопровод 1 недисперсионной ультразвуковой линии задержки выполнен в виде полосы из звукопроводящего материала, толщина которого выполнена с переменным сечением от одной боковой грани к другой. На торцах звукопровода...

Номер патента: 204376

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Глушковский

МПК: G11C 21/02

Метки: задержки, запоминающее, линии, ультразвуковой

...4. Последний соединен одновременно с устройством 12, установленным на входе блока 5 циркуляции стартового импульса, и че.15 рез блок б задержки - с блоком 7 циркуляции информации. Между блоками циркуляции осуществляется связь в обоих направлениях, Выходы блоков циркуляции подключены как к возбудителю 1, так и к внешним устройст вам для вывода информации.Запоминающее устройство с штовым импульсом работает следу зом,Пуск устройства производит25 рокого импульса 8 на входЭтот импульс принимается заи циркулирует по блокам 1Информация вводится через бции информации по входу 9.30 эта информация циркулирует204376 иг./ Ж,я Составитель А, А, С Техред Т. П, Курил Редактор Н. гет орректоры: И. Л. Кириллова и С. ф. Гоптаренко аказ 3892/11 Тираж...