Способ определения магнитной восприимчивости газов

Номер патента: 217663

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Занов, Зая

МПК: G06G 7/48

Метки: магнитного, моделирования, неоднородных, полей, средах, физических

...стабильностью и зависит от концентрации ферромагнитных частиц, что позволяет изменять ее в соответствии с условиями задачи.Диэлектрические свойства описанной среды позволяют использовать ее в качестве пара- магнетика в переменном магнитном поле- ультразвуковой частоты, причем слои с разными значениями магнитной проницаемости вакладывают друг на друга, прокладывая марлю. Это исключает перемеширазными параметрами и сохраованный материал для новых и 1 обозначены соответствени касательные составляющие217663 4 10 Предмет изобретения Составитель Тимохина Техред Л. Я. Левина Корректоры: Т. Д, Чунаева и Л, В. ЮшинаРедактор Горшкова Заказ 1959/15 Тираж 530 Подписное ЦЕ 1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров...

Номер патента: 864205

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Агаджанян, Адонц, Мурадян, Оганесян, Папазян, Хачатрян

МПК: G01R 33/032

Метки: величины, магнитного, поля

...часть излучения (зондирующий сигнал), проходя через полупрозрачное зеркало 3, направляется в среду 4. Направление распространения зондирующего сигнала совпадает с направлением силовых линий магнитного поля, в котором находится среда 4. В магнитном поле происходит фарадеевс-, кое вращение плоскости поляризации зондирующего сигнала, в результате864205 Формула изобретения Составитель Ф.Тарнопольскактор С.Лыжова Техред А. Савка ректор Е.Рошписное раж 735комитета СССРоткрытийшская наб д/б 8ВНИИПИ Государпо делам изо13035, Москва,илиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 чего появляется перпендикулярная (к исходной) компонента поляризации, Для регистрации перпендикулярной поляризации зондирующее излучение на выходе из среды 4...

Номер патента: 924640

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Медведев, Рутман

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, магнитного, поля

...движения, Направление смещения заряжен 50ных частиц зависит от, надавления дрейфовой скорости Ч. Поэтому направления их смещения получаются различными для каждого иэучастков 1 и 2 плазмы. В. результатев каждом из участков 1 и 2 плазмы55возникают два накрест смещенных относительно друг друга встречных потока заряженных частиц. Интенсив 0 4(ность каждого из этих потоков заряженных частиц оказывается пропорциональной локальному значению напряженности магнитного поля, воздействующего на каждый иэ участков 1и 2 плазмы. Вследствие этого разностный ток этих потоков заряженных частиц пропорционален градиенту магнитного поля; в случае однородного поля потоки имеют одинаковую интенсивность и разностный ток равен нулю.В неоднородном магнитном...

Номер патента: 693235

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Азанчеев, Пименов, Скирда, Стежко

МПК: G01N 27/78

Метки: величины, градиента, импульсного, магнитного, поля

...градиента больше чем у прямоугольного; сигнал 14 епинового эха в магнитном поле только с естественной однородностью. Процесс определения амплитудного значения импульсного градиента заключается в следующем. Образец, представляющий спин-систему, помещают в постоянное магнитное поле с заданным значением до постоянного градиента 1, затем подают на образец 90-й радиочастотный импульс 2, после чего воздействуют исследуемым импульсным градиентом 3, направление которого, в отличии от прототипа, может совпадать с направлением нсстоянного гралмещта, либо быгь противоположным. Затем ва образец в момент времени г двьолицтевьво во зле йс гв уют 18 О-м р адщочаст агам импульсом 4 и импульсным градиентом 5 идентичным 3, После такого...

Номер патента: 842651

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Балашов, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...две полупроводниковые параллель но расположенные полоски, соединенные между собой проводящей перемычкой. Полупроводниковые полоски выполнены из магниторезистивного материала и вместе с проводящей перемычкой эакреплены 25 на керамической подложке. Выходнойсигнал является дифференциальным от двух сигналов, пропорциональных значениям сопротивлений полупроводниковых полосок, зависящих от величины магнит ом данного устройства являая точность измерения.-35, Раушская наб. 3 ТиражИ Государстлам иэобреМосква,илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектна Датчик работает следующим образом,По полупроводниковым полоскам 1, перемычке 2 и проводящим упругим элементам 3 пропускается постоянный ток в случае переменного и переменный в случае постоянного...