406303

Номер патента: 1201874

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, переходом, полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...схемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия усилителя,На чертеже изображена структурная схема усилителя,Усилитель содержит триггер 1, первый 2 и второй 3 выводы питания которого подключены к шине 4 питания и общей шине 5 соответственно, входы установки нуля 6 и единицы 7 вк первой 8 и.второй 9 разрядным шинам (РШ) соответственно, а прямой 10 и инверсный 1 выходы - к входам 12 первого 13 и второго 14 инверторов, у которых первый 15 и второй 16 выводы питания подключены к шинам 4 и 5 соответственно, а входы 17 - к входам 18 соответственно первого 19 и второго 20 нагрузочных эле-. ментов, выводы 21 питания которых подключены к шине 4 питания, а выходы 22 - к 20 шинам 8 и 9 соответственно. Усилитель...

Номер патента: 1727192

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Баранов

МПК: H03F 3/04, H03G 11/00

Метки: свч-мощности, усилитель-ограничитель

...8, база - с общей шиной через второй блокировочный конденсатор 7 и с отводом делителя напряжения 12, подключенного между общей шиной и шиной питания. Вторые выводы первого и второго разделительных конденсаторов являются соответственно входом и выходом устройства,Усилитель-ограничитель СВЧ-мощно. сти работает следующим образом,При повышении температуры окружающей среды коллекторные токи транзисторов 1,2,3 возрастают. Рост тока транзистора 2 приводит к усилению напряжения на ре-,зисторе 10, Поскольку коллекторный ток транзистора 3 и выбранный ток делителя напряжения 12 одного порядка, можно считать, что напряжение на базе транзистора 3 практически не зависит от температуры. Тогда увеличение напряжения на резисторе 10 приводит к...

Номер патента: 1191841

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Мельничук, Хахалкин

МПК: G01R 23/14

Метки: генератора, накачки, параметрического, усилителя, частоты

...- с -ед - форма сигналов 55 (Ц и 5Я 40 для случая, когда комбинационная составляющая равна частоте измерительного сигнала .к = ос = о)4,Е - форма сигналов 5(С) и 58) для случая, когда комбинационная 45 составляющая находится в полосе пропускания параметрического усилителя Но Шс= О)1, ) й 7 О)с = 01 Устройство фиг.1 контроля час тоты генератора накачки параметрического усилителя содержит источник 1 измерительного сигнала, состоящий из генератора 2, аттенюатора 3 и частотомера 4, параметри ческий усилитель 5 с генератором накачки, амплитудный детектор 6 и, осциллограф 7. Контроль частоты генератора параметрического усилителя осуществляют следующим образом,На вход параметрического усилителя 5 подают от генератора 2 измерительный сигнал и...

Номер патента: 1786635

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Кудряшов, Никитин, Шаповалов

МПК: H03B 7/14

Метки: близкими, генератора, двух, диодов, импедансами, лавинно, мощностей, общей, перестройки, пролетных, резонансной, системе, сложением, частоты

...обоих диодов,пряжения, При этом максимальная полоса В научнотехнической и патентнойлитеперестройки частоты колебаний автогене- ратуре неизвестен способ перестройки часрэтора составляла 6 МГц при изменении.тоты путем измейения величий напряжения питания диода Ганна от 7,5 до 20 коэффициентов связи. Таким образом, заяв 11 В, Недостатки данного способа - нали- ляемьй способ. соответствует критерию "сучие перепада мощности выходного сигнала .щественное отличие". нодиодного генератора на ЛПД путем положные. зависимости от частоты генерации от направления изменения токов, т.е.при увеличении, например, тока первого ди ода (при фиксированном токе второГо) частота генерации уменьшается; а при уменьшении тока второго диода (при...

Номер патента: 581571

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Белоусов, Тюрин

МПК: H03H 7/20

Метки: вч-усилителя, защиты, мощности, транзисторов

...1 и входом датчикачик 3 рассоглв- Ддя повышения надежности вспомогателный усидитель 9 может быть, в частности,сования через дополнктельно введенные 10первый коммутатор и второ о7 й к ммутатор выполнен нв полевых транзисторах, которыек замыкающим контактам которых подкдвдкдю иэ-за отсутствия явления вторичного пробои,8, к эвмыквюшинного биполярным транзисторам, нечены соответственно вход и выход вспомога- . свойственного иподввдяющему вь восприимчивы и рассогдасоввнию нагрузки.тельного усилителя 9 а к управляющему щ 4Таким об азом, в предлагаемом устройсяхоа бп ока 4 усипения и формирования сигнв аким разом, в преходу пока уве не возникает ограничений на степень раола рассогласования подключены управляющиесогласования нагрузки, что...