402018

ЙОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ 402018 СОВХОЗ СО 86 тстл:хСоциалистическиРесюфбпии К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ стваисимое от авт, свидете Заявле Кл О 00 о 7,д Х 11,1972 (М 181230518-24 с присоединецием заявки М сударственнын ксмнтет санта Мннист"сс СССР па делам и,".:перетекайи открытий оритет К 681,333088.8) Опубликовано 12,Х.1973. Б Дата опубликования описа ллетенья 26.11.197 втор обретени аявитель В, И, Панчишиц Институт математики АН Украинской ССРТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЗАД ТЕОРИИ ПОЛЯ2 Изобретение относится к области аналоговой вычислительной техники.Известное устройство для моделирования сетки переменной структуры содержит в качестве управляемых резистивных элементов оптроны.Однако в данном случае в оптроне как элементе сетки в качестве источника светового излучения использована электрическая лампа накаливания, для управления световым потоком которой требуется достаточно мощный электрический сигнал постоянного воздействия, Это требует сложного и дорогого элекронного устройства для управления световым тпотоком.Лампа накаливания плохо совмещается с транзисторными схемами и непригодна для применения с интегральными схемами.Кроме того, световое сопротивление фотоприемника оптронной пары - фоторезистора не может быть меньшим, чем 10 ом при маломощном источнике светового излучения и имеет малую кратность изменения сопротивления.Предлагаемое устройство для моделирования задач теории поля, содержащее в качестве элемента моделирующей сетки переменной структуры термонтрон отличается от известных тем, что, с целью совместимости с транзисторными и интегральными схемами, повышения чувствительности и управляющему электрическому сигналу ц увеличения диапазона изменения сопротивления, оцо содержит в качестве основных элементов плоскостной транзистор, которыц своим р - гг переходом подогревает термцстор и, находясь с ним в тепловом контакте, обеспечивает изменение его сопротивления в зависимости от изменения на управляющем электроде транзистора величи ны электрического сигнала. Термистор установлен на р - гг переходе транзистора, где температура перехода Т достигает максимальных значений. Прц этом гальваническая связь между транзистором и термистором от сутствует. Это дает возможность использоватьвредное в других случаях тепловыделение транзистора и применять его в качестве управляемого преобразователя электрической энергии в тепловую. Тепловыделение транзи стором может быть изменено в широких пределах за счет высокой чувствительности его к изменению регулируюгцего напряжения на управляющем электроде.Конструктивно предложенное устройство 25 отличается от известных тем, что, с цельюрасширения класса решаемых задач, сетка переменной структуры выполнена на термотронах, управляющие электроды транзисторов которых соединены через блок управления с 30 программным блоком, а электроды питания402018 противление термистора 6 равно исходному значению, В момент подачи напряжения на базу транзистор 5 открывается, температура его перехода Тпропорционально возрастает, и происходит теплоотдача в термистор 6. В результате его сопротивление изменяется в соответствии с выбранным коэффициентом теплопередачи К. Управление проводимостями транзисторов посредством их термоизлуче ния приводит к изменению сопротивления термисторов, а следовательно, изменяет структуру проводимости сетки по необходимому закону. Изменение параметров проводимости сетки контролируется при помощи блока 8.15 Устройство для моделирования задач теории поля, содержащее модель-сетку перемен ной структуры, программный блок, блок управления, блок питания и блок контроля и измерения, отличаощееся тем, что, с целью расширения класса решаемых задач, в нем модель-сетка переменной структуры выполне на в виде термотронов, термисторы которыхустановлены на р - г переходе транзисторов термотронов, управляющие электроды транзисторов соединены через блок управления с программным блоком, а одноименные элекЗ 0 троды питания соединены параллельно и подключены к блоку питания; термисторы термотронов соединены в сетку, узлы которой подключены к блоку контроля и измерения,ЦНИИПИ Заказ 409(9 Изд.109 Тираж 647 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 соединены с блоком питания. При этом термисторы термотронов соединены в сетку, узлы которой подключены к блоку контроля и измерения параметров структуры сетки.На чертеже представлена блок-схема устройства, где для наглядности выделен один узел включения термотронов в сетку.Устройство содержит программный блок 1; блок 2, вырабатывающий сигналы управления структурной сетки; сетку переменной структуры 3; термотрон 4 (в целом); транзистор-подогреватель 5; термистор 6; блок 7 питания транзисторов и блок 8 контроля и измерения параметров структуры сетки.Термотрон 4 как основной элемент сетки 3 может быть выполнен промышленным путем в едином технологическом цикле или собран индивидуально из транзистора и термистора. При этом необходимо, чтобы термистор был установлен на р - и переходе в месте максимальной теплоотдачи Тп,Термисторы всех узлов соединены в сетку, электроды питания-эмиттеры и коллекторы транзисторной части термотронов 4 подключены к источнику питания 7, а на управляющие электроды - базы транзисторов подаются напряжения управления проводимостью сетки с блока управления 2.При отсутствии напряжения на базе транзистора 5 его полупроводниковый переход заперт, ток не проходит, и температура перехода Т, равна начальному значению Тв, а соПредмет изобретения