400999

Номер патента: 673941

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, модель, полевого, транзистора

...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 241119

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Абб, Максимов, Шевалдин, Электроники

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, полевого, транзистора

...полевого транзистора,В области высоких частот 10 о гц) насвойства и характеристики полевого транзистора большое влияние оказывает емкость20 между затвором и полупроводниковым каналом через которую осуществляется эффект поля - управление продольной проводимостью полупроводникового канала с помощью поперечного электрического поля.25 В области низких частот (10-ф+ 10 о гтрк) насвойства полевых транзисторов с изолированным затвором существенное влияние могутоказывать ловушки носителей заряда, появление которых обусловлено наличием поверх 30 ностных состояний дефектов в пленках и т. д.241119 Предмет изобретения Составитель И. А. Шелипова Техред Л. К. Малова Корректор В. Л. Шошеискаи Редактор Л. А. Утехина Заказ 1874,9 Тираж 480...

Номер патента: 615431

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Ефремов, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевого, транзистора

...От нзмер 55 теля, возникает дополнительная погрешность измерения переменного сигнала вследствие появления паразитной емкости в коммутационной цепи.Цель изобретения состоит в повыщенни 2 В Точйости при дистанционных измерениях.3Цель достигается тем, .что предлагаемоеустройство дополнительно содержит инвертирующий и реверснвный усилители, а операционный усилитель выполнен с разъемнойобратной . связью, причем дополнительныеусилФФТЕЛН включены последовательно между,фильтром цепи обратной связи и затвором испытуемого прибора,На чертеже изображена принципизль.иая злектрическая схема описываемого устройствз, которое состФэит из источника ре.жимного напряжения 1, вынолиеииого по схеме иивертирующеГО ОперациОНИОГО усилиГеля, операционного...

Номер патента: 918902

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Курганов, Троицкий

МПК: G01R 31/26

Метки: моделирования, полевого, транзистора

...6 соединены с шинами управления 12 и 13. Вина 12 позволяет регулировать крутизну, а шина 13 пороговое напряжение моделируемого полевого транзистора.Устройство работает следующим образомПри нулевом напряжении на клемме 9 затвора выходное напряжемие дифференциального усилителя 3 усиливается равным пороговому напряжению выходного полевого транзистора 2 путем подачи напряжения на шину 13. Это напряжение передается через блок защиты 7 на затвор выходного полевого транзистора 2, Далее, с помощью управляющего напряжения, подаваемого на шину 13, на выходе блока 6 выставляется напряжение, равное пороговому напряжению моделируемого полевого . транзистора, принимая за нулевой уровень отсчета ранее установленное напряжение.После подачи...