Многофазный релаксатор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 400032
Автор: Вител
Текст
32 О оюз Советских.оциалистическихРеспублик ЕТЕНИ ВТОРС ависимое от авт. свидетельства М. Кл. Н 031 с 17/62 Н 031 3/2821.1970 ( 1404481/26 аявлен гением заявкирисое Приоритет осурврственныи комитетСоввта Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ДК 621.373,52(088,8 ликовано ОЗ,Х.19 юллетень3 Дата опубликования описания.11.1974 Аезгор изобретения Заявитель Т. М. Агаханян ковский ордена Трудового Красного Знамени инжене физический институтОГОФАЗНЫЙ Р САТОР торы транзисторов 5 - 8 подключены к углам ,резистивного слоя 3, а базы - к резистивному слою 2, причем точка присоединения г-го коллектора соответствует точке присоединения 5 (1+1)-ой базы (т. е. точка присоединения коллектора транзистора соответствует присоединению базы последующего транзистора). Для простоты на схеме изображена ЯС-структура с четырьмя углами.0 Для питация рслаксатора применены источники 10 и 11 питания, присоединяемые к рсзистивным слоям 2 и 3. Перемещая точки подключения источников 10 и 11, можно изменять частоту генерации рслаксатора.5 атор, содержащий эмиттсрным резистов частности колсторы, конденсаторы зей и два источникатем, что, с целью устройства в микрон цсм в качестве ользована двумерная гктура, выполненная дв мя рсзцстцвцыми 20 Многофазный транзисторы с ром, пассивные лекторныс ц базо коллекторно-базо 25 питания, отлача уменьшения гаоа электроггнозг цсп гтассивцых элсмс распределенная 30 в виде Х-угоггьц,ЯС-струка, с Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при проектировании микросхем.Известный многофазный релаксатор, содержащий транзисторы с общим эмпттерным резистором, пассивные элементы, в частности коллектоные и базовые резисторы, конденсаторы коллекторно-базовых связей и два источника питания, имеет большие габариты.Цель изобретения - уменьшеггие габаритов устройства в микроэлектронном исполнении.Для этого в цем в качестве упомянутых ггассивных элементов использована двумерная распределенная РС-структура, выполненная в виде 1 х 1-угольника, с двумя резистивцымц слоями, между которыми расположен дцэлектрц. ческий слой, сосдгггегггымгт одггн с голлскт- рами транзисторов, а другой - с базами так, что каждому цз углов соответствует точка г:одсосдицеция г-го коллектора и точка подсоединения (г+1) -й базы.На чертеже представлена схема прсдлагасмого многофазного релаксатора.Многообразный релаксатор содержит многоугольную двумерную ЯС-структуру 1, состоящую из двух рсзистивцых слоев 2 ц 3 и одного диэлектрического слоя 4, транзисторы 5, б, 7 и 8, эмиттеры которых чсрсз общий резистор 9 соединены с общей шиной. КоллскПредмет изобретения41 И 112 3Фслоями, между которыми расположен дУээлектрический слой, соединенными одун.с коллекторами транзисторов, а другой - с базами Составитель Ю. Еркинедактор А. Батыгин Техред Л. Грачева Кор тор В. Жолудева рек Заказ 189/2ЦНИИП Тираж 780о комитета Совета Министробретений и открытий5, Раушская наб д. 4/5 испо ипография, пр, Сапуно Изд.50 осударственн по делам Москва, Ж так, что каждому из углов соответствует точка подсоединения -го коллектора и точка подсоединения (+1) -й базы.
СмотретьЗаявка
1404481
Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт
витель Т. М. Агахан
МПК / Метки
МПК: H03K 3/282
Метки: многофазный, релаксатор
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-400032-mnogofaznyjj-relaksator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Многофазный релаксатор</a>
Предыдущий патент: Транзисторное импульсное реле
Следующий патент: Мостовой диодный коммутатор
Случайный патент: Способ получения средства, обладающего иммуностимулирующим действием