Омическое сопротивление малых значений
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 394733
Авторы: Кишиневский, Сибирский
Текст
О П И-(:-А Н И Е 394733И ЗОБРЕТЕ Н И ЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зав."СцхОс от авт. СвНдетегВетви Ле Заявлено 11.7111.1971 (ЛЪ 1694452,18-10).Л 1.1 хл. О 01 г 27,00 с присоедин="нцсз зяязкц,хе Гоударственн)й кмитвт Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытийЗаявпслц ОМИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МАЛЫХ ЗНАЧЕНИИ 2 113 обретсццс Лцосцтс к области электроцз- МЕРЦСЛЬО 1 ТЕХщии 1 Ц может ОЫТЬ ЦСПОЛЬЗОВяцо в измерительных цеях переменного тока ца частотах до нескольких десятков ме.агерц.11 звестцы озц Сскцс сопротивления малых значений, Выполненные по четырехзажимной СХСМС ЦО КЛОсЕ ЦЯ С МаЧнтНОй СВЯЗЬЮ ЗЕЖДУ токовымц и потенциальными цепями, в которых, осуществляется компенсация реактивной составляющей падением напряжения црц помощи э. д. с. взаимной индуктивностц, цавсд 1- мой в потенциальной цепи током, протекающим по токовой цепи,Известныс четырехзажимцые сопротивления, характер;зуются значительной неравномерностью частотной характеристики как по актцвюй, так и реактзивной составляющим, что объ сняется Влпянием спин-эффектя, поскольку как резистшшый элемент, так и потенциальные компенсирующие цепи имеют зца;цтел: - цый поперечный размер. С целью расширения частотного диапазона предлагаемое омическое сопротивление малых зцачсццй выполнено в,виде параллельно соединенных внутренних проводников, равномерсио распределенных по образующим цз 1 ндря от- рсзкОВ высОкООмнОГО кОяксияльпОГО зцьропровода, причем один из потенциальных выводов сопротив,.ения образован параллельно соедценнымц пр 5 О;5 щсмц нсргжцымц Обд, Окя.и:1 отрезков коаксцяльцого ппропроводя.На чертеже цзаоражено предлагаемое дмцСское сопро гВГенце аалых зняенцй.С О П Р Отп В Л С Ц Ц С М с 1 Л Ь 1 Х 3 П Я 1 С Н Ц й В К, 1101 с ЕтКЕ 13 ампс ЕСКОЕ ОСЦОВЯНЦС 1 ЦЦЛсЦД 11 ЦССКОЙ РОРзы, сЯ 1:.ОтОРОМ ЗакРеплсны Ве 1).цц 2 ц :1:жнцй д кд:тактцые узлы.Раьцомсрцо цд периметру параллельно об 1 ц рязующей керазиеского основания размещены Отрезки равной длины Высокоомногд кояк- ,чЯ,ьдго мцкРЛП 13 ОГ)ода, 1.ОТОРЫЙ состд 1 т цз це рального проводника 4, д:яметромО " - -2,10 ,5,5, ыполнеццого цз вы.окоомцого 13 Мс 1 Терца;а,:1 ЯПрцМЕр ЯНГЯ 1 Ння, СТСКЛ 5 нцй;золяни 5 и внешней проводящей оболочки .С ПОМОПЬЮ узСОГО Пяя 1 ЮГО ШВя сс цз ЛСГКОЦЛс 1 ВКОд ПРЦПОЯ ПЦЖНПЕ КОНЦЫ Оод,1 ОсСК ):1 внутренние проводники 4 электрически и 2зеханшескц соедНецы с ццжццм коцтактньмузлом 3 ц между собой. С помощью паяного ЦВЯ, ВЕРХНЦЕ КОНЦЫ Внст 1 ЕЦППХ Ц 13 ОВОДНЦКОВэлектрчески :1 механически соединены сВдЗхц:з контактыз злом ц Вцтрецццм црдцодццкоз 1:,данс;1 яля 9.11 яяиый Шдв 10 СОЕдццяЕт ЭЛЕКтрцсЕСКП и МСхя; чески верхние концы оболочокМеждг собой и с внешним проьоднцком кояксцяля 9.РЯ СТО 5 ЦЦС МЕЖДХ ШВЯМЦ 8 Ц с ЦЕ;ОЛЖЦО превышать 1 - ;-с 2,.5..ч ).;.() с ,)ПО:)И. Э) Е).)акоиал 9 образует потенциальные выводы сопротивления, про)водники 11 и 12-токовые.Б силу тесной индуктивной связи между центральным проводником 4 и оболочкой 6 (тогщп)на изоляционного стеклянного слоя,э не пре(вышает 2.10.ял) э.д.с. взаимной дукцни, на)водимой общим маннитпым потокав оболочке 6, практически равна э.дс. само)г 1- дукции в центральном п)роводппке 4, а так ка. эти э.д,с. включены встречно, то происходит нх взаим)ная компе)нсаци. Предмет изобретен)Омическое сопрот(ивлен)пе малых зпаче:1:й,выпол)пенное по четырехзаж;1:но схеме подклочсн)и с магнит)пой связью между токовыи. ) потенциал(нымп цепямп, отлн)1 пюиеесл тем, ) то, с целью расширения частотного дпа пазо 1 а. опо вьп 1 ол(вено в ьнде параллельно соедп(ненчых внутрен:их проводников, равномерно расрсделе)рных по образующим цили)ндра отрезкоз высокоомпого коак(спального микро- провода, причем одн пз потенциальных выво дов сопротивленшя образован параллельносоединенным; проводящими нарукными оболочкам отрезков коаксиа.)1 ыого мик(ропровода.
СмотретьЗаявка
1694452
Сибирский государственный научно исследовательскип институт метрологии, Кишиневский научно исследовательский институт электроприборостроени
МПК / Метки
МПК: G01R 27/00
Метки: значений, малых, омическое, сопротивление
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-394733-omicheskoe-soprotivlenie-malykh-znachenijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Омическое сопротивление малых значений</a>
Предыдущий патент: .л.вторь; .зобрете1111яв. я. супьян и в. н. малащукрадиоэлектроники
Следующий патент: Автоматическое устройство для изм1 рг. ния сопротив. прнии
Случайный патент: Трафаретная печатная машина