Способ преодоления нескрещиваемости при отдаленной гибридизации растений

Номер патента: 18811

Опубликовано: 31.01.1931

Автор: Акимов

МПК: B61K 9/12

Метки: вагонов, колесами, между, осях, период, расстоянием, эксплуатации

...31 янв К патенту М му 26 ян25). О выдаче патента оп стралнкованется н года. Денствнеаря 1931 года. тента рас ие имеет отрщиков о своего ендерных удет сле- ежду дмет патента. оля за на осях их, ха- шпильй вниз ризкой,Предлагаемое приспособлецелью облегчить работу осмпри наблюдении за сдвигомместа на оси вагонных иколес.Как видно из чертежа, прещего вид спереди колеснойрасположенным на ней приспоспоследнее состоит из шпилекот 30 мм, вставляемых в ступиколес с внутренней стороны,тыми книзу остриями, точногаемыми над нанесеннымиосях ризками 2, Отхождение дставляюпары с облением, 1 длиною цы обоих с загну- располана самых того или другого острия со своей ризки показывать сдвиг колеса с места довательно, изменение расстояния обоими колесами....

Номер патента: 1523105

Опубликовано: 23.11.1989

Автор: Серегин

МПК: A01G 1/00

Метки: вегетативно, клонов, размножаемых, яблони

...а другая - в весенней пленочной теплице. Субстратом в открытом грунте была обычная плодородная почва. Выращивание проводилось согласно агротехническим требованиям к школе сеянцев яблони. В открытом грунте от 4250 семян получено 1252 сеянца. Растений, склонных к размножению вегетативно, не выявлено.В качестве субстрата в весенней пленочной теплице использовали перегной, дер 1523105 А 152313Яблоня скороспелая. Экспериментально ус тановлено, что темп роста у однолетних побегов этой яблони в сравнении с контролем Б 1 идентичен. Но через 45 дн. в ЯС - 1 рост в высоту приостанавливается, что совпадает с началом роста побегов из боковых почек. Образуется ось второго порядка, дающая первую серию укоренившихся отводков от однолетних побегов...

Номер патента: 1707770

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Карпов, Маркин

МПК: H04B 3/46

Метки: дискретных, каналов

...реверсивный счетчик 11 записывается номер исходного (предлагаемого стационарного состояния иэ числа М выбранных, в течение которых статичтические свойства канала считаются неизменными. Каждому )-му состоянию 20 25 ет д и Г д 5 4 Д 45 1,2 М) канала соответствует определен ная длина интервала, ааблюдения 4) Каж дому стационарному состоянию качала01)соответствует также нижняя К) и верхняя К 1 граница количества ошибок. Эти гра.(з)ничные значения, опгзделяющие область принятия решения о том, что канал находится в )-м состоянии, записаны в блоке 1 О задания чисел.Последовательность сигналов Х 1 поступает с выхода анализатора 1 на суммирующий вход счетчика 2 в виде последовательности "1" и "О" признаков и" каженного и неискаженного приема...

Номер патента: 378200

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: A01H 1/02

Метки: доминирования, изменения, родительских

...к концу вегетации до 240 ма.Пропускание электрического тока через почву" дает возможность в некоторых комбинациях отдаленных скрещиваний у косточковыхкультур увеличивать завязывание гибридныхплодов в 4 - 8 раз, повысить жизнеспособность гибридных зародышей, значительно увеличить от 29 до 75% выход гибридов промежуточного и патроклинного типа в то время,как при обычной гибридизации выход сеянценне превышает 0,015%,0 Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.По краям участка, на котором произрастают материнские формы растений, устанавливают графитовые электроды, соединенные5 между собой, изолированным проводникомчерез реостат или переменное сопротивления.Силу тока в цепи измеряют амперметром.Пропускают ток через почву от...

Номер патента: 478390

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Турченков

МПК: H02H 7/10

...напряжения непосредственно,На чертеже изображена прин схема предложенного устройст Тиристор 1 через нагрузку с источником сетевого напряжсоединения 3. Панена послерезистора 6, импульс- орно-эмит 8 и вторичсформато- йб раллельно тиристору 1 подсоедидовательная цепь, состоящая из4, диода 5, первичной обмоткиного трансформатора 7, коллекто перехода транзисторамотки 9 импульсного тра ра 7. база транзистора 8 соединена непосредственно с вторичной обмоткой 9 и через конденсатор 10 с первичной обмоткой 6 импульсного трансформатора 7. Напряжение генерации снимается с выходной обмот, ки 11 импульсного трансформатора 7.Прн напряжении на контролируемом объекте - тиристоре 1 того знака, при котором проводит диод 5 и базо-эмиттерный переход...