Способ изготовления запоминающей матрицы

Республик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14.11,1972 ( 1747966/18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 14.Л.1973. Бюллетень2Дата опубликования описания 17.1 Х,1973 11 с 11/02 Комитет по делам изобретеиий и открытий лри Совете Министров СССР681 327 66(088 Авторыизобретения Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин, Т. П. Боровских и 1 О. П. Пане Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР ител ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ксл едо ения опе ежза. охпе ц пз- ем- про- по е иэкс Поставленная цэлектрик, напримляют до образовафигурации в перлученную матрицрафина, образовпокрывают слоемляют эпоксиднуюи производят трриала.Предлагаральных зледующем. ель достигается тем, что дп. ер эпоксидную смолу, оплавния голгценпй нужной конекрестпях проводников, Поу погружают и раствор паавшуюся пленку парафинаэпоксидной смолы, оплавсмолу, растворяют парафин авление магнитного матепзготовлсппя пнтсматриц состоит в емыи спосооапомпнающпх г 0 сПредлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к технологии изготовления интегральных запоминающих матриц.Известен способ изготовления интегральной запоминающей матрицы посредством многослойной печати, удаления изолятора между ячейками с последующим формированием конфигурации сетки и нанесением на сетку проводни 1 ков изотропного магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса.Интегральная запоминающая матрица изготавливается в следующей последовательности.Сначала методом многослойной печати, из пластика и проводящих слоев получается си. стема проводников задавной конфигурации, образующая правильно чередующиеся перекрестия между проводниками, которые служат в дальнейшем основой для образованиия запоминающих элементов. Части пластика между перекрестиями проводников удаляются, и в результате образуются отверстия. Оставшемуся пластику с заключенными в нем проводниками придается форма решетки, составленной из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра и с осями, расположенными в одной плоскости. Получившаяся конструкция покрывается путем химического осаждения тонкой магнитной ПОМИ 11 А 1 ОЩЕЙ МАТРИЦЪ пленкой, получаемой вэсстановлснпем ни кобальта из гипофосфита.Известный способ имеет следующиестатки: трудоемкость процесса изготов,5 матрицы, нетехнологичность; необходимарация удаления пластика в промежуткахду проводниками и операция приданияданной формы перекрестиям решетки; и,эксплуатационные характеристики матр10 за того, что в матрице имеется сильнаякостная связь между ортогональнымиводниками пз-за сплошного магнитногокрытия системы проводников.Целью изобретения является упрощен15 удешевление пзгстовления, улучшениеплуатационных характеристик.Из изслированных и перпендикулярных и ким неизолировавных проводников сплетается сетка. Эта сетка электрофоретическп по. крывается слоем эпоксидной смолы с отвердителем. После оплавления при температуре 100 - 120 С под действием сил поверхностного натяжения смола стягивается к узлам сетки, образуя утолщения в перекрестиях, В зависимости от толщины нанесенного слоя смолы утолщения мсгут иметь выпуклую или вогнутую форму поверхности, Для запоминающих элементов наиболее подходящей является поверхность без какого-либо изгиба.Сформированная таким образом подлохкка полимеризуется при повышенной температуре. Слой полимера металлизируется. На метал- лизированную поверхность методом электролитического осаждения наносится слой магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса.Металлическое покрытие на участках между узлами сетки устраняется следующим образом,Сетка окунанием покрывается тончайшим слоем парафина, затем электрофоретически покрывается слоем эпоксидной смолы. После подогреванця смола собирается в узлах сетки, оголяя проводники между перекрестиями (междоузлия), и после этого, подвергается полимеризации. С поверхности участков, не закрытых полимером, парафин удаляется, и оба металла стравливгются, Магнитный материал с прямоугольной петлей гистерезиса остается только в узлах сетки.Пример изготовления матрицы по предлагаемому способу.Сплетается сетка из изолированных и перпендикулярных к ним неизолированных проводников. На нее методом электрофореза наносят суспензию состава; твердая фаза 20/ои нный раствор эпоксидной смолы 3 - 41 в ацетоне и 5% отвердителя по отношению к количеству смолы, в качестве дисперсионной среды используется изопропилсвый спирт. Суспензия готовится ЗООО-ной концентрации по отношению к твердой фазе. Осаждение проводится при напряжении 600 в, расстояние между электродами 20 мм, время осаждения 2 иин. Толщинка осажденного слоя 20 - 50 мк. После оплавления при температуре 90 - 100 С под действием сил поверхностного натяжения смола собирается в узлах сетки, образуя поверхность нужной конфигурации, затем полимеризуется при температуре 120 С в течение 1 час,После полимеризации этот слой металлизпруют химическим методом из раствора состава, г/л: сернокислого никеля 30, уксуснокислого натрия 10, гипофосфита натрия 10. Тол 5 щипа металлического слоя 2 як, Перед металлнзацией поверхность полимера активируется2%-ным раствором хлористого палладия: наметаллизированную поверхность электролитическим методом наносят слой магнитного ма 10 териала с прямоугольной петлей гистерезиса,Состав электролитической ванны, г/л;КЗО, 7 НгО 340%С 1 6 НО 15Ге 80, 7 НО 5 - 1215 НиРОз 30сахарин 0,8лимонная кислота 5 - 7Осаждение производится при плотности8 иа/см, время осаждения 20 яин. Толщина20 осажденного слоя 3 мк,Для разделения магвитного слоя заготовкупокрывают тонким слоем парафина. Для это.го ее окунают в раствор парафина в бензине, Парафин обволакивает проводники. Тол 25 щина слоя парафина зависит от концентрацииприготовленного раствора. Оптимальной является толщина до 1 лк,Слой парафина электрофоретнчсскп покрывается эпоксидной смолой Эиз суспен 30 зии, описанной выше. Толщина слоя Э 0 5 - 1 мк, После оплавления смола стяги1вается в узлы сетки, оголяет парарпн в междоудлпях, который затем растворяется в бензине, Открывшиеся участки магнитного мате 35 риала стравливаются хлорным железом,Предмет изобретенияСпособ изготовления запоминающей мат рицы, заключающийся в нанесении слоя магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса на систему проводвиков, покрытых диэлектриком, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления изготов ления, улучшения эксплуатационных харак.теристик, диэлектрик, например эпоксидную смолу, оплавляют до образования утолщений нужной конфигурации в перекрестиях проводников, полученную матрицу погружают в ра створ парафина, образовавшуюся пленку парафина покрывают слоем эпоксидпой смолы, оплавляют эпоксидную смолу, раствоояют парафин и производят травление магнитного материала.