Устройство для исследования структуры встречных электронных нотоков

Номер патента: 383113

Авторы: Карнаух, Местечкин, Петров

ZIP архив

Текст

ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ РВЗПЗ Сова Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ависимое от авт. свидетельствааявлено 28.1,1971 ( 1616443/26-25 Кл. Н ОЦ 23/28 исоединением заявкиПриоритетОпубликовано 23.7,1973. Бюллетень2Дата опубликования описания 6.1 Х.1973 Комитет по репам зобретеиий и открытий три Сооето тлкиистров СССР, М, Петров естеч явител УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУР ВСТРЕЧНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВУстройство работает Изолированные одна о и 7 перемещаются пер лению движения пото 5 лых отверстий а оказ обратного потока, либ тока. Соответствующими и внутренней пластин ными способами.ИзобретениисследованияСВЧ, в частинах. Предмет изобретения Устройство для исследования структурывстречных электронных потоков, содержащее 5 три пли более пластин с отверстиями и механизм перемещения пластин, отличающееся тем, что, с целью, измерения структуры прямого и обратного потоков, пластины имеют по одному отверстию, любой размер которого 0 не менее соответствующего размера потоков,а в обеих внешних пластинах вокруг этих отверстий расположено несколько отверстий, любой размер которых значительно меньше любого из поперечных размеров потоков. На чертеж ройство,Оно содер ронную пуш клистрона 3 механизм пеено предлагаемое усте изо ю камеру 1, электтор отражательного, пластины 5, 6 и 7 жит вакуумн ку 2, резона отражатель 4 емещения 8. относится к устроиствам для ектронных потоков в приборах ти в отражательных клистроИзвестные устройства электронных потоков, вып диафрагмы с отверстием, зовать для анализа встр потоков, частично или пол в пространстве. Предлага личается тем, что пластин отверстию, любой размер соответствующего размера внешних пластинах вокруг положено несколько отвер которых значительно мен перечных размеров иссле для исследования олненные на основе невозможно испольечных электронных ностью разделенных емое устройство оты имеют по одномукоторого не менее потоков, а в обеих этих отверстий расстий, любой размер ьше любого из подуемых потоков. следующим образом т другой пластины 5, О пендикулярно к направка, причем одно из маывается либо на пути о на пути прямого по ток между наружными ами измеряется известЗаказ 2394/11 Изд.603 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4(5Типография, пр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1616443

О. И. Карнаух, Я. И. Местечкин, Д. М. Петров

МПК / Метки

МПК: H01J 23/28

Метки: встречных, исследования, нотоков, структуры, электронных

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-383113-ustrojjstvo-dlya-issledovaniya-struktury-vstrechnykh-ehlektronnykh-notokov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для исследования структуры встречных электронных нотоков</a>

Похожие патенты