371858

Номер патента: 1579691

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Колыхалов, Симонов, Хоруженко

МПК: B23K 35/40

Метки: покрытия, сварочных, эксцентричности, электродов

...усилителя 4 О напряжение на его выходе равно нулю.Сигнал на вход блока 5 индикации не поступает.Если контролируемый электрод эксцентричен, т.е. его покрытие расположено экс центрично относительно стержня, то расстояние между индкутивными преобразователями 1 и 2 и стержнем различно. Индуктивное сопротивление, зависящее от расстояния между стержнем и преобразователями, также различно. Следовательно, равновесие мосто вой схемы блока 3 измерений нарушено.На входе детектора 6 нуля появится напряжение. Детектор 6 закрыт, формирователь 7 не работает, ключ 9 закрыт, напряжение на выходе пикового детектора 10 рав. но нулю, Формирователи 7 и 8 не сработают.Сигнал на управляющий вход блока 5 индикации не поступает. Усилитель 4 не работает, так...

Номер патента: 656348

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Белоусов, Берман, Бешенцев, Жигир, Марченко, Пахарь, Саенко, Шкода

МПК: C22B 9/193

Метки: выплавки, кристаллизатор, переплавом, слитков, электрошлаковым

...пределов задания уровня металла в полости гильзы и увеличение срока службыкристаллизатора,л Я 3 ди 656(54)(57) КРИСТАЛЛИВАТОР ДЛЯ ВЫПЛАВКИ СЛИТКОВ ЭЛЕКТРОШЛАКОВЫМ ПЕРЕПЛАВОМ, содержащий гильзу и датчик уровня жидкого металла, О т л и ч а;о щ и йс я тем, что, с целью расц 1 ирения пределов задания уровня металла в полосги гильзы и увеличения срока службы кристаллизатора, гильза снабжена цилийдрической водоохлаждаемой вставкой. выполненной с возможностью вра.цения, а датчик уровня жидкого металла размещен внутри вставки эксцентрично ее горизонтальной оси. Поставленная цель достигаетсч течтогильза снабжена цилиндрической водоохла.кдаемай вставкой, вь;полненной с возможностью вращения, а датчик уровняжидкого металла размещен внутри...

Номер патента: 383381

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Бойко, Дубинский, Егоров, Маринский, Медовар

МПК: C21C 5/56

Метки: выплавки, слитков, электрошлаковой

...фиг. 1-4 схематично изображена установка для электрошлаковой выплавки слитков, состоящая иэ колонны 1, электрододержателя 2, расходуемого электрода 3, кристаллиэатора 4 с пазом 5, плавильной, емкости б, жидко- металлического электрода 7, козырька 8 над датчиком 9, полэуна 10, буртика 11. Для слива шлака в плавильной емкости выполнено отверстие 12.Кристаллнэатор представляет собой охлаждаемую водой полость, по форме соответствующую форме изпелия. В стенке формирующей одну иэ фгчавных плоскостей, выполнен вертикальный паэ 5. В паэ входит полэун 10, закрывающий его на высоте, достаточной для удержания шлаковой и металлической ванн. Непосредственно на полэуне закреплена плавильная емкость б с прорезью в ке, прилегающей к...

Номер патента: 415987

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Баглай, Богаченко, Бондаренко, Кумыш, Мартын, Медовар, Патон

МПК: C21C 5/56

Метки: выплавки, переплавом, слитков, электрошлаковым

...устройством, Это исключает эрозию формирующего устройства, повышает температуру металлической ванны, степень рафинирования стали и резко улучшает поверхность слитка 25 при одновременной дегаэации металла.Давление газа должно быть достаточным для образования на торце электрода углубления, диаметр и ширина которого равны или больше диа О 2метра и ширины Формирующего Устройства, расположенного под электродом.На чертеже показан пример выплавки полого слитка согласно предлагаемому способу.Для выплавки полого слитка 1 используют расходуежй электрод 2 сплошногэ сечения, имеющий диаметр больше диаметра внутреннего ФормиРующего устройства 3.Через внутреннее Формирующее устройство по центру электрода в шлак подают гаэ (например, аргон) или газовую...

Номер патента: 426524

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Алферов, Богаченко, Бондаренко, Кумыш, Медовар, Патон, Цыкуленко, Щупак

МПК: C21C 5/56

Метки: выплавки, слитков, электрошлаковой

...мощности под каждым электродом или группой электродов было одинаковым.В этом случае, когда расходуемые электроды или группы электродов в кристаллнзаторе расположены на малом расстоянии другот друга, вследствие интенсивного отводатепла от периферийных участков шлаковойванны глубина металлической ванны в средней части кристаллизатора вдоль его широкой грани может оказаться большей, чем напериферийных участках. Для обеспечения понлучения плоскойформы дна металлическойванны можно использовать два приема:во-первых, можно уменьшить время выделения максимальной мощности под электродами, расположенными в средней части вдольширокой грани кристаллизатора в пределахот 10 до 50% времени выделения максимальной мощности под периферийными...