Мультивибратор

сО П И С А Н И Е Зб 4077 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихЗависимое от авт. свидетельстваМ. Кл, Н 03)с 3/28 434667/26-9) влено 30.17.197 с присоединением заявкириоритет Комитет по делам изобретений и открытий при Сввете Министров СССРДК 621.373.52(088.8 Опубликовано 25.Х 1.1972. Бюллетень ЛЪ 4за 1973Дата опубликования описания 15.11.1972 вторызобретепи Р. Д, Иванцив и В. М. Тафель явите МУЛЬТИВИЬРАТОР ние на базы подается На схеме показ аны резисторы 11; 12, врем ры 13; 14, ускоряющие5 Средняя точка раз нагрузки транзистора ющим конденсатором ра 2, а средняя точк торной нагрузки транз0 коряющим конденсатор стара 1. через резисторы 9; 10. такие времязадающие язадающие конденсатоконденсаторы 15; 16. деленной коллектор ной1 соединена ускоря с базой транзистоа разделенной коллекстора 2 соединена усом 16 с базой транзиИзобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано для генерирования импульсов прямоугольной формы.Известен мультивибратор, содержащий два усилителя с разделенной коллекторной нагрузкой, охваченных коллекторно-базовыми обратными связями, и защитные диоды, включенные в базовые цепи транзисторов усилителей.Недостаток известного мультивибратора состоит в нестабильности частоты генерации вследствие замедления лавинообразных процессов.Для увеличения стабильности частоты генерации в предлагаемом мультивибраторе средняя точка разделенной коллекторной нагрузки каждого транзистора соединена дополнительным ускоряющим конденсатором с базой другого транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора,Мультивибратор содержит два усилителя, выполненных на транзисторах 1 и 2, охваченных коллекторно-базовыми обратными связямиКоллекторные нагрузки усилителей разделены; нагрузкой первого усилителя являются резисторы 3; 4, второго - резисторы б;6. В базовые цепи транзисторов 1 и 2 включены защитные диоды 7 и 8 соответственно; смещеМультивибратор работает следующим образомм.15 Пусть транзистор 1 закрыт, а транзистор2 - открыт. Конденсатор 14 разряжается, и ток разряда создает на резисторе 11 падение напряжения, запирающее диод 7. Конденсатор 13 разряжен, диод 8 открыт. Величина 20 сопротивлений резисторов 10; 12 выбираетсятак, что на базе транзистора 2 создается отрицательное напряжение, поддерживающее транзистор 2 в состоянии насыщения. Ток разряда конденсатора 14 уменьшается, и в 25 какой-то момент времени напряжение на базе транзистора 1 становится отрицательным.Транзистор 1 начинает отпираться; положительный перепад напряжения с его коллектора через конденсатор 13 поступает в базовую 30 цепь транзистора 2, уменьшая его ток базы.ожко ькова аказ 176/8 Изд. М 1049 Тираж 404НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветеМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное нистров СССРТипография, пр, Сапунов 3Отрицательный перепад напряжения с коллектора транзистора 2 через конденсатор 14 поступает в базовую цепь транзистора 1 и еще больше увеличивает базовый и соответственно коллектор ный ток тр анзистор а 1. Этот процесс происходит лавинообразно; после его окончания транзистор 1 оказывается открытым, а транзистор 2 - закрытым, поскольку разрядный ток конденсатора 13 создает падение напряжения, запирающее диод 8, и к базе транзистора 2 прикладывается запирающее напряжение + ЕсмОчередное опрокидывание мультивибратора происходит аналогичным образом.Время выключения транзисторов определяется параметрами мультивибратора и может быть уменьшено до необходимого значения выбором соответствующей величины емкости ускоряющих конденсаторов 15; 16 и сопротивления резисторов 3; 4 и 5; б разделенных коллекторных нагрузок. Уменьшение времени выключения транзисторов увеличивает ста бильность генерируемых колеоаний,Предмет изобретения Мультивибратор, содержащий два усилите 10 ля с разделенной коллекторной нагрузкой,охваченных коллекторно-базовыми обратнымисвязями, в базовые цепи которых включенызащитные диоды, отличающийся тем, что, сцелью увеличения стабильности частоты ге 15 нерации, средняя точка разделенной коллекторной нагрузки каждого транзистора соединена дополнительным ускоряющим конденсатором с базой другого транзистора,