Способ изготовления фотоэлектронного умножителя
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.1биб,364039 ОП ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Соеетокиз Сониалистическиа Республик,11.Кл, Н 011 9/12Н 011 39/16 с присоединением заявки-Комитет по делам изобретеиии и открьюти лри Совете Мииистро СССРиоритет -УДК 621.385(088.8) Опубликовано 25.Х 11.1972. Бюллетень4за 1973. Дата опубликования описания 2111.1973 Лвторы зобретеш Б, Серебряник и В. М. Таслицкцй аявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕК 1 ГРОН НОГО УА 1 НОМИТЕЛЯ Предложенный способ обес высокие значения интегрально ности фотокатодов, что в свою дит к лучшей сформцроваццо следовательно, к повышешцо стабильности фотоэлектроццог печцвает более й чувствптельочередь привостц катода и, температурной о умцожптеля. Изобретение относится к области изготовления фотоэлектронных приборов, в частности фотоэлектронных умножителей (ФЭУ), содержащих ЯЬ - К - Ха - Сз-фотокатоды.Известен способ изготовления фотоэлек тронного умцожителя, содержащего мцогошелочцой фотокатод типа ЯЬ - К - Ма - Сз, основанный ца контроле величины темпового тока с фотокатода при активировке его парами цезия. Этот способ состоит в том, что активи ровку фотокатода прекращают в момент установления монотонного изменения величины темнового тока с фотокатода.Однако он не обеспечивает стабильности результатов по получению полностью сформи рованного фотокатода и, следовательно, повыходным параметрам ФЭУ.Особенностью предложенного способа является то, что активировку фотокатода парами цезия проводят до появления второго мак симума в величине темнового тока с фотокатода.Это позволяет повысить температуроустойчивость фотоэлектронного умножителя.На чертеже представлены кривые распределения темпового тока с фотокатода 1 и тем. нового тока с эмиттеров умножительной системы ФЭУ 1,э 1 в процессе обработки фотокатода парами цезия.Как видно из чертежа, кривая 1 в пер- зО вый момент следует за кривой определяющей количество цезия в приборе, ц проходит первьш максимум. Через 14 - 16 мин, наблюдается ее рост, хотя спад кривой 11 свидетельствует оо уменьшении паров цезия в приборе.Сущность физики процессов, происходящих прп изготовлении фотоэлектронного умно- жителя, связана, цо всей вероятности, с увеличением термоэмцссцц фотокатода в процессе его обработки в парах цезия согласно предложенному способу. Кривая 11 имеет ярко выраженный второй максимум, а в конце обработки прибора следует примерно на одном уровне с кривой 1, . Именно второй максимум кривой 1 т(к) Выбирают за критерий температурного режима обработки ЯЬ - К - г а - Сз-фотокатода, что позволяет осуществить более тщательную отгоцку остатков цезия. По достижении темновым током с фотокатода второго максимума актцвировочная печь выключается и снимается прц установленной температуре.Зак.202 Изд. зак. 1078 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам июбретенпй н открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 загорская тппографп 3Предмет изобретенияСпособ изготовления фотоэлектронного умножнтеля, содержащего многощелочной фото- катод типа ЯЬ - К - Ка - Сз н вторично-электронные эмпттеры, основанный на контроле вели ишы темпового тока с фотокатода прн ак 4тивировке его парами цезия, отличающийся тем, что, с целью повышения температуроустойчивостн фотоэлектронного умножителя, актнвировку фотокатода парами цезия проводят 5 до появления второго максимума в величинетемпового тока с фотокатода.
СмотретьЗаявка
1661845
Е. Б. Серебр ник, В. М. Таслицкий
МПК / Метки
МПК: H01J 40/16, H01J 9/12
Метки: умножителя, фотоэлектронного
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-364039-sposob-izgotovleniya-fotoehlektronnogo-umnozhitelya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления фотоэлектронного умножителя</a>
Фотоприемник
Номер патента: 720571
Опубликовано: 05.03.1980
Авторы: Куфаль, Литвинов, Хомутов
МПК: H01J 39/16
Метки: фотоприемник
...о, полушири н а ампли --,удного Распределения 3 А одногокэ ФЭУ, согласно (2), может бытьв три раза больше полуширины амплитудного распределения РА другогоФЭУ.,Подавая сигнальные импульсы с выходов ФЭУ 1 и ФЗУ 2 со средним пиковым значением О на схему совпадений с порогом срабатывания (7, выбранным иэ условия обеспечения допусти -мой средней частоты ложных тревог,вероятность пропуска сигналов Ропределяют площадью под кривой распределения с полушириной РА(Выбрав ФЗУ с равными ю , амплитудные Распределения которых соответственно одинаковы, на том же самомуровне дискриминации обеспечивают ,45существенно меньшую вероятностьпропусков сигналов Р, , чтоприводит к повышению вероятностиправильного обнаружения сигналов Ртак как 50 При равенстве...
Устройство для измерения резонанса вынужденных колебаний элементов
Номер патента: 1493883
Опубликовано: 15.07.1989
Автор: Траско
МПК: G01H 9/00
Метки: вынужденных, колебаний, резонанса, элементов
...внутреннего элемента объекта, который перемещается с отличной от компенсируемой амплитудой, имеет размытые границы. Половина ширины такой размытой полосы, образованной вибрирующей линией границы элементов, является удвоенной амплитудой резонансного колебания внутреннего элемента.Для определения амплитуды и частоты колебаний внутреннего элемента на отклоняющие пластины 13 и 14 оператор подает напряжение с управляемого источника 7 напряжения, величины которых пропорциональны отклонениям вибрирующей линии границы исследуемого элемента от центра малоразмерного электрода 15 по вертикали и горизонтали, Под действием электромагнитного поля отклоняющих пластин 13 и 14 происходят дополнительные постоянные вертикальное и горизонтальное...
Способ измерения среднего времени появления -го фотоэлектрона из фотокатода фотоэлектронного умножителя
Номер патента: 446006
Опубликовано: 05.10.1974
МПК: G01T 1/00
Метки: времени, го, появления, среднего, умножителя, фотокатода, фотоэлектрона, фотоэлектронного
...на управляющий вход интегратора 6 через блок 9 переменной калиброванной задержки и переводит его на время своей длительности в режим интегрирования анодного импульса тока.Величина задержки в блоке 9 устанавливается оператором и может изменяться от нуля до 1 с. Амплитуда сформированного интегратором импульса напряжения измеряется анализатором 10.Измерение 1 производится следующим образом.Интегрируют импульс анодного тока ФЭУ с целью определения количества фотоэлектронов, создающих этот токовый импульс. Для этого отключают управляющий вход интегратора от блока задержки и деблокируют его вход. В этом случае амплитуда импульса на выходе интегратора 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 4гДе- функция, описывающая формулу анодного тока;...
Способ изготовления фотокатода на основе арсенида галлия
Номер патента: 537408
Опубликовано: 30.11.1976
Авторы: Гаванин, Тарасова, Шульгина
МПК: H01J 9/12
Метки: арсенида, галлия, основе, фотокатода
...паров цезия в течение нескольких минут, затем обработку цезием и кислородом поочередно при комнатной температуре до прекращения роста фототока 11.Однако с течением времени чувствительность фотокатода уменьшается,Известен также способ изготовления фото- катода на основе арсенида галлия, включающий активировку путем, многократной обработки фотокатода цезием, затем одновременно цезием и кислородом, прогрев фотокатода и повторную активировку 2.Однако недостаточная долговечность фото- катода приводит к уменьшению его чувствительности с течением времени. проводят до снижения от максимума фототок дыдущей обработке це ведут до прекращения чения фототока, а за тельную обработку це тока на 80 в 9 и п токатода при температ 5 - 10...
Способ изготовления полупрозрач-ного кислородно-серебряно цезие-вого фотокатода
Номер патента: 803045
Опубликовано: 07.02.1981
МПК: H01J 40/06
Метки: кислородно-серебряно, полупрозрач-ного, фотокатода, цезие-вого
...це.энем в течение 10-15 мин при 180-200 Си окисляют в кислороде при давлении 110 з110 ф мм рт.ст, в течение 15-20 с,Способ осуществляют следующим образом.В приборе, в котором изготавливается фо.токатод, создают давление, равное 510 ф 1 10мм рт.ст. Затем прибор обезгаживаютпрн 400 С в течение 1,5-2 ч. Стекляннуюподложку фотокатода обрабатывают цезиемв течение, 10-15 мнн при 180-ЭЮС и окисляют в кислороде при давлении 110 э -261 10 а мм рт.ст. в течение 15-20 с. Послеэтого откачивают кислород до давления11 Омм рт.ст, На подложку при комнатнойтемпературе напыляют основной серебрянныйслой, который окнсляют в тлеющем разрядеСоставитель ПуеловТехред М. Петко Корректор В. Синицкая Редактор М. Стрельникова Заказ 10634/66 Тираж 795...
Предыдущий патент: Электровакуумный прибор
Следующий патент: Способ определения электродов, вызб1ваю1цих
Случайный патент: Оптическое устройство для вычисления корреляционной функции