Номер патента: 362487

Авторы: Всссо, Мельник

ZIP архив

Текст

362487 ОП И САНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикельстваависимое от авт. св Заявлено ОЗ.Ч.971 ( 1651182/26-9)с присоединением заявки1659314/26 Приоритет 1, Кл, Н 031 с 19,3 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРпублик Авторнзобрете пьии ВСГСО 3-БДЯ Таганрогский радиотехнический институт аявите ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ИЛИ - НЕ ата опубликования описан Изобретение относится к области импульсной техники и может быть применено в цифровых вычислительных машинах.Известны логические элементы ИЛИ - НЕ, содержащие диод с накоплением заряда, 5 соединенный через первый разделительный диод с выходом и - входовой диодной сборки, дискриминатор на туннельном диоде, подключенный через второй разделительный диод к триггеру на туннельном диоде и к базе выход-. 10 ного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором.Однако известные логические элементы обладают недостаточной помехозащищенностью и надежностью в работе. 15С целью повышения помехозащищенности и надежности работы предлагаемый логический элемент ИЛИ - НЕ содержит дополнительный диод и два транзистора, первый из которых соединен своим коллектором с выходом 20 диодной сборки, эмиттером - через резистор с шиной питания, а базой - через резистор с шиной тактового напряжения и через туннельный диод - с шиной питания; второй транзистор, включенный по схеме с общим коллек тором, соединен своим эмиттером через резистор с триггером, а базой - с шиной сброса, а дополнительный диод включен между первым разделительным диодом и дискриминатором на туннельном диоде. 30 На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого логического элемента.Предлагаемый логический элемент ИЛИ - НЕ содержит транзистор 1, резисторы 2 и 3, туннельный диод 4, транзистор 6, резистор 6, входные клеммы 7 - 9, входные диоды 10 - 12, диоды 13 - 16, туннельный диод 16, диод 17, туннельный диод 18, резисторы 19 и 20 и транзистор 21.Резисторы 3 и б, туннельный диод 4 и транзистор 6 образуют управляемый источник тока. Диоды 10 - 12 представляют собой схему диодной сборки.Туннельный диод 1 б является токовым дискриминатором, туннельный диод 18, транзистор 21 и резисторы 19 и 20 образуют бистабильный туннельно-транзисторный триггер.Предлагаемый логический элемент ИЛИ - НЕ работает следующим образом.В начале каждого такта на базу транзистора 1 поступает положительный импульс сброса. Эмиттерный ток этого транзистора через резистор 2 устанавливает триггер в нулевое (низковольтное) состояние.С приходом положительной полуволны синхронизирующей синусоиды (по достижению примерно -/з амплитуды) ток через резистор 3 нарастает до величины, достаточной для переключения туннельного диода 4 в высоко-, вольтное состояние, что приводит к отпиранию362487 В 7 о г ставитель С. ВольноТехред Е. Борисова рректоры: И. Божко и Н. Стельмах Редактор Т. Морозо Заказ 244/14 Изд.1035 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова транзистора б и протеканию через него тока 1 ь определяемого перепадом напряжений на диоде 4 и величиной резистора б. Если в этом (первом) полутакте на клеммы 7 - 9 приходят нулевые сигналы, то диоды 10 - 12 закрыты и ток 1, протекает через диоды 13 и 14, в базе последнего в течение полутакта накапливается заряд неравновесных носителей.С приходом отрицательной полуволны синхронизирующей синусоиды (по достижению примерно а/з амплитуды) ток через резистор 3 уменьшается до величины, достаточной для переключения диода 4 в низковольтное состояние, что приводит к запиранию транзистора 5, в результате чего прекращается протекание тока 1 через диод 14. Отрицательпый импульс установки, поступающий с формирователя, рассасывая накопленный заряд, вызывает протекание через диод 14 короткого импульса большого обратного тока 1 опр. Быстродействующий диод 13 запирается, а ток 1-р через диод 15 в значительной мере превышает величину пикового тока диода 1 б, который переключается в высоковольтное состояние, Практически весь ток 1,пр через диод 17 поступает на триггер, устанавливая его в единичное состояние. На выходе схемы появляется большое отрицательное напряжение. В этом положении триггер находится в течение второго полутакта и в нуль переключается очередным импульсом сброса, поступающим на базу транзистора 1.Если в первом полутакте хотя бы на одной из клемм 7 - 9 присутствует единичный сигнал (положительное напряжение), то ток 1, формируемый управляемым источником, оттекает через соответствующий входной диод, а диоды 13, 14 оказываются закрытыми, в результате на базе диода 14 не накапливается заряд неравновесных носителей, Приходящий на диод 14 в начале второго полутакта отрицательный импульс установки вызывает протекание через него сравнительно небольшого тока 5 помехи, обусловленного зарядом емкости пере.хода. Величина этого тока недостаточна для переключения дискриминатора в высоковольтное состояние. Туннельный диод 18 остается в нулевом состоянии. Одновременно с поступле нием импульса установки происходит сброс внуль предыдущей схемы и закрывание управляемого источника тока, что предотвращает накопление заряда помехи во втором полу- такте.15 Предмет изобретенияЛогический элемент ИЛИ - НЕ, содержащий диод с накоплением заряда, соединенный через первый разделительный диод с вы ходом п - входовой диодной сборки, дискриминатор на туннельном диоде, подключенный через второй разделительный диод к триггеру на туннельном диоде и к базе выходного транзистора, включенного по схеме с общим кол лектором, отличающийся тем, что, с цельюповышения помехозащищенности и надежности работы элемента, он содержит дополнительный диод и два транзистора, первый из которых соединен своим коллектором с выхо дом диодной сборки, эмиттером - через резистор с шиной питания, а базой - через резистор с шиной тактового напряжения и через туннельный диод с шиной питания; второй транзистор, включенный по схеме с общим 35 коллектором, соединен своим эмиттером черезрезистор с триггером, а базой - с шиной сброса, а дополнительный диод включен между первым разделительным диодом и дискриминатором на туннельном диоде,

Смотреть

Заявка

1651182

В. Е. Мельник Таганрогский радиотехнический институт, всссо эзнАЯ

МПК / Метки

МПК: H03K 19/21

Метки: патшш-1хсге, чдп

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-362487-patshsh-1khsge-chdp.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Патшш-1хсге: чдп</a>

Похожие патенты