Способ автоматического регулирования провгеее5gt; amp; г—”десорбции

Номер патента: 1107297

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Беланович, Болотин

МПК: H04B 1/10

Метки: линейного, регенерации, сигнала, трехуровневого

...содержит последовательно соединенные цифроаналоговый преобразователь сигнала, сумматор напряжений и блок сравнения, а также источник опорного напряжения, выход которого подсоединен к второму входу сумматора напряжений, при этом входы цифроаналогового преобразователя, а также второй и третий входы блока сравнения являются соответственно первым, вторым и третьим входами решающего блока, а выход блока сравнения - выходом решающего блока.На фиг. 1 приведена структурная электрическая схема устройства регенерации трехуровневого линейного сигнала; на фиг. 2 - структурная электрическая схема первого Решающего блока (второго решающего блока). Устройство регенерации трехуровневого линейного сигнала содержит преобразователь 1 биполярного сигнала в...

Номер патента: 239655

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Старков, Чичиннн, Электрометрии, Юшин

МПК: G01V 1/37

Метки: гармонического, генератор, законом, изменения, линейным, сигнала, цифровой, частоты

...переключатель числа каскадов 2 со входом счетчика 3 тактовых импульсов и с управляю 11 ги и входами группы клго 1 ей 4, сигнальн 1.1 е входь 1 кото 1 рых сосд 11 иены с выходами последних триггеров счетчика 1, а,выходы подключены ко входам соответствующих триггеров 11 акапливающего сумматора э. Выход переполнения сумматора 5 соединен со входом преобразователя 6 импульсной последовательности в тармоническую фунюцию.Счетчик 3 (фиг. 2) содержит 1+ггг триггеров, из которых псследние и триггеров являются одновременно регистром сумматора 5, ссстоящсго из ггг-,- триггеров. Перед началом работы счетчик 3 и сумматор 5 находятся в сброшенном состоянии. С момента включения тактового генераторасчетчик 1 начинает заполняться, причем кажды 11...

Номер патента: 1651179

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бобоев, Митрофанова, Николаева, Филатов, Ярцев

МПК: G01N 25/38

Метки: изменений, оценки, степени, структурных, углепластика

...научных исследованиях и при производстве изделий иэ углепластиков, Цель изобретения - упрощение и повышение информативности способа, Группу эталонных образцов из углепластика подвергают термодеструкции до заранее заданных уровней термического разложения а, определяемых в процентах по массе. Для каждого уровня а определяют прочность ои образцов на изгиб и строят зависимость гъ ( а ), Определяют прочность на изгиб для исследуемого образца и с помощью полученной зависимости судят о степени его структурных изменений относительно эталонных образцов,равной скорости нагрева, и определяют прочность образцов на изгиб Гти . После этого строят зависимость прочности на изгиб от коэффициентов а для эталонных образцов.Для образца с тем же...

Номер патента: 1732482

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Елизаров

МПК: H04L 7/00

Метки: регенерации, сигнала, цифрового

...формируют однополярную последовательность пачек импульсов (фиг, 1 к), которую затем преобразуют в цифровой код с чередующейся полярностью импульсов (фиг, 1 л).Устройство для осуществления предложенного способа содержит формирователь 1 последовательности импульсов положительной полярности и формирователь 2 последовательностии импульсов отрицательной полярности, подсоединенные входами к выходу приемника 3 биполярного цифрового сигнала с чередующейся полярностью импульсов и подключенные выходами к входам формирователя 4 однополярной последовательности пачек импульсов с исключением первого импульса из каждой пачки импульсов биполярного цифрового сигнала, который соединен через формирователь 5 импульсов с длительностью в половину периода...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...