Селективная отражающая поверхность

Номер патента: 47971

Опубликовано: 31.07.1936

Автор: Ганс

МПК: H01Q 17/00, H04B 7/10

Метки: волн, излучения, направленных, электромагнитных

...в таком удалении от передатчика, что при расчете необходимо принимать во внимание только дальнее поле всех отдельных излучателей, Практически, это тот случай, когда расстояния отдельных излучателей от вспомогательного рефлектора, примерно, равны, т. е. когда можно пренебречь разностью расстояний от середины вспомогательного рефлектора до середины одиночного излучения,В качестве рефлекторов могут быть применены все известные устройства, в особенности проволочные сети, парал. лельные перекрещенные сетки, установленные одна за другой, или настроенные рефлекторы. Для того, чтобы избежать нежелательного отражения от поглощающих устройств, необходимо их осуществлять таким образом, чтобы имел место непрерывный переход диэлектри. ческой...

Номер патента: 1458104

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Коваль, Никитин, Шорсткин, Якименко

МПК: B23B 41/00

Метки: осями, отверстий, параллельными, расточки

...отверстия 2. Устройство снабжено двумя базирующими оправками 3, каждая из которых содержит центрирующий элемент 4 с конической поверхностью и размещенные на ее концах цанги 5 и 6, предназначенные для закрепления базирующей оправки 3 с помощью конусов 7 и 8 в отверстиях 9 и 10 обрабатываемой детали 11.Базирующие оправки 3 выполнены разьемными. Соединение частей базирующих оправок 3 производится с помощью конических полумуфт 12 и 13. 25Базирующие оправки 3 установлены в корпусе 1 параллельно одна другой, при этом вх центрнрующие элементы 4 размещены в отверстиях 2 корпуса 1. Расточные оправки 14 установлены в направляющих 15 корпуса 1 с возможностью вращения и осевого З 0 перемещения. На концах расточных оправок 14 размещены резцовые...

Номер патента: 1569054

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Милютина, Янкелевич

МПК: B21D 22/02

Метки: гибки, отверстиями, параллельных, полках, штамп

...центрального стержня и плиты, фиксаторы для заготовки с конической рабочей поверхностью в верхней части, установленные на траверсах с толкателями. Толкатели имеют возможность взаимодействия верхними торцами с нижней поверхностью плиты прижима. Заготовка устанавливается на фиксаторы. При ходе вниз осуществляется прижим заготовки, Плита прижима взаимодействует с толкателями и опускает их вместе с фиксаторами. Затем происходит гибка изделия., Штамп позволяет получать изделия без искажения формы средней части за счет надежного фиксирования Я заготовки. 1 з.п,ф-лы, 3 ил. вого независимого переплите симметрично осификсаторы 5, смонтироствующей траверсе 6 спружиненными к нижнеустановлены с возможвия верхними торцамитью плиты 4 прижиманость...

Номер патента: 1571881

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Радзиевский, Эстерзон

МПК: B23B 35/00

Метки: осями, отверстий, параллельными, пересекающихся, растачивания, сквозных

СПОСОБ РАСТАЧИВАНИЯ СКВОЗНЫХ ПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ ОТВЕРСТИЙ С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМИ ОСЯМИ, при котором инструментам, установленным с противоположных сторон обрабатываемой детали, сообщают вращательное и поступательное перемещения, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества одновременно растачиваемых отверстий, перед обработкой инструмент режущей частью размещают в зазоре между отверстиями, перемещают на противоположную сторону детали и останавливают перед инструментами, предназначенными для расточки соседних отверстий, а после растачивания вращение инструментов останавливают, размещают их в зазоре между обрабатываемыми отверстиями и возвращают в исходное положение.

Номер патента: 1718487

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Архипенко, Большаков, Никитин

МПК: B23K 26/00

Метки: лазерной, отверстий, пробивки

...лучается пакетом импульсов лазера ЛТИ ( 1=1,064 мкм, мощность импульсов Ря 10 = 100 Вт, длительность импульсов т = 0,2мс, частота следования импульсов Р = 100 Гц, диаметр фокального пятна бф = 110 мкм,количество импульсов в пакете Й = 2), В слоемеди формируется отверстие,В 110 мкм, 15 Затем облучается первый слой диэлектрика излучением лазера ИЛГН( А = 10.6 мкм, Р = 40 Вт, т= 2 .мс, Р = 125 Гц дф ==120 мкм, ч = 3). В слое диэлектрика форми-"руется отверстие О 110 мкм, После этбгоизлучением лазера ЛТИоблучается второй слой меди при Р, = 110 Вт (увеличениемощности обеспечивает компенсацию потерь ее в стенках отверстий первых слоЕв),;Формируется отверстие во втором слое ме-25ди 9110 мкм и одновременно увеличивается диаметр отверстия в...