Усилитель считывания
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМ. Кл. б 11 с 7061457968/18-24) иЗаявлено ОЗ,Ч 11.1970с присоединением зая Комитет по делам иаобретений и открыти при Совете Министров СССРриоритетпубликовано 05.Ч.1972. Бюллетень1 УДК 681,327.12(088.8) Дата опубликования исания 6 Х 1.19 Авторыизобретения Л. М. Блюмберг и Е. Б, Нусинов Заявител ИЛИТЕЛЬ СЧИТЫВАНИЯ 2 Изобретение относится к области вычислительной техники,Известен дифференциальный усилитель считывания, вьгполненный по каскадной схеме, в которой для уменьшения влияния емкости Ск коллектор-база транзисторов на входную дтсфференциальную емкость усилителя, т, е. для увеличения полосы пропускания усилителя, используется экранирующее действие дополнительных транзисторов в коллекторных цепях основных транзисторов. Однако такая схема для уменьшения входной емкости не пригодна при использовании низковольтных источников для питания усилителей.Цель изобретения состоит в создании схемы дифференциального усилителя считывания, позволяющей уменьшить напряжение источника питания коллекторных цепей, не увеличивая влияния емкости коллектор-база транзисторов на входную дифференциальную емкость и не требующей источников питания более высоковольтных, чем для некаскадных усилителей.Сущность изобретения состоит в том, что дополнительные коллекторные транзисторы включены таким образом, что вместо их экранирующего действия используется их компенсирующее действие.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого усилителя считывания. Дополнительные транзисторы 1 и 2 включены таким образом, что их коллекторы соединены соответственно с коллекторами основных транзисторов 3 и 4, а базы включены перекрестно, т, е. база транзистора 1 соединена с базой транзистора 4, а база транзистора 2 - с базой транзистора 3. Такое включение транзисторов 1 и 2 позволяет устранить влияние емкостей коллектор-база транзисторов 3 и 4, используя их не как экранирующие, а как компенсирующие. Это объясняется тем, что напряжение с коллектора транзистора 3 проходит на базу транзистора 4 через емкость коллектор-база транзистора 1 в противофазе напряжению, проходящему с коллектора транзистора 4 на его базу через емкость коллектор-база транзистора 4. Аналогичино, благодаря транзистору 2, компенсируется напряжение, проходящее с коллектора на базу транзистора 3. Использование для такой компенсации транзисторов, а не емкостей позволяет более точно скомпенсировать влияние емкостей Ск транзисторов 3 и 4, так как для компенсации используются те же переходы транзисторов 1 и 2, что и у входных транзисторов 3 и 4 и при том же напряжении. Транзисторы 1 и 2 подключены к раздель ным источникам токов, 1 и 12. Величины этих токов могут принимать любые значения, в ча337819 Составитель С, Белан Корректор Л. Орлова Редактор Е. Гончар Техред Л. Богданова Заказ 1541/14 Изд.682 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 стности, нулевые, т. е. транзисторы могут быть отключены от источников токов.Предлагаемое включение дополнительных транзисторов 1 и 2 не требует дополнительного напряжения для них по сравнению с некаскадной схемой и позволяет испосльзовать низковольтные источники питания. Предмет изобретенияУсилитель считывания на транзисторах для запоминающих устройств, содержащий дифференциальный усилитель постоянного тока с дополнительными транзисторами в цепях коллекторов транзисторов входного каскада, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, коллекторы транзи сторов входного каскада соединены с коллекторами дополнительных транзисторов, база первого входного транзистора соединена с базой второго дополнительного транзистора и база второго входного транзистора соединена 10 с базой первого дополнительного транзистора,а эмиттеры дополнительных транзисторов подключены к источникам тока.
СмотретьЗаявка
1457968
Л. М. Блюмберг, Е. Б. Нусинов
МПК / Метки
МПК: G11C 7/06
Метки: считывания, усилитель
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-337819-usilitel-schityvaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Усилитель считывания</a>
Усилитель на транзисторе
Номер патента: 731554
Опубликовано: 30.04.1980
МПК: H03F 1/32
Метки: транзисторе, усилитель
...увеличении скачком мощности, рассеиваемой в транзисторе 1, на выходе дат чика 6 и на выходе вычцтателя 4 появитсяположительный скачок напряжения, который интегрируется инерционной цепью 3, последняя регулируется так, чтобы ее постоянная времени была равной постоянной 20 времени процесса нагревания кристаллаполупроводника в транзисторе 1. Поэтому на выходе инерционной цепи 3 появится напряжение, изменяющееся с той же постоянной времени, что ц температура крцстал ла в транзисторе 1, то есть синхронно сией.Это напряжение подается в течение всего переходного процесса прогрева кристалла как дополнительное смещение на базу транзистора 1. Прп этом регулируется его вели чина и полярность. Таким образом, измене731554 3 Составитель Е,...
Импульсный усилитель на транзисторах
Номер патента: 362445
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Анпилов
Метки: импульсный, транзисторах, усилитель
...3 закрывается, так как на его базу25 поступает положительный потенциал с точки15 делителя через открытый переход эмиттерколлектор транзистора 2. Транзисторы 4 и 5открываются и через нагрузки 12 и 13 протекает рабочий ток от источника коллекторного30 питания,На чертеже изображена схем усилителя.Усилитель содержит входной кад на полевом транзисторе 1, кады на транзисторах 2 и 3 и кады на транзисторах 4 и 5, Д а импульсног ключевои касключевые касвыходные каслитель смещеИзвестен усилитель, состоящий из нескольких усилительных каскадов на транзисторах с непосредственными связями, источника напряжения смещения и делителей смещения. Для запирания каждого транзистора в таком усилителе необходим отдельный делитель напряжения смещения, а...
Усилитель-формирователь для оперативного запоминающего устройства на кмдп транзисторах
Номер патента: 999104
Опубликовано: 23.02.1983
Авторы: Баранов, Савостьянов
МПК: G11C 7/06
Метки: запоминающего, кмдп, оперативного, транзисторах, усилитель-формирователь, устройства
...останется открытым, Схема сохранит(запомнит) установившееся состояниепри любых изменениях информации на 16 входе, так как состояние информацион-.ного транзистора 11 не может повлиятьна уровень логического "0" на первомвыходе 5, соединенном с открытымтретьим транзистором 3;При подаче на информационный вход .13 логического ."0" инФормационныйтранзистор 14 закроется или подза"кроется в случае подачи на вход 13уровня логического "0", величина ко торого близка к порогу переключенияусилителя), Вэтом случае ток, протекающий через второй .транзистор 16обратной связи. и опорныйтранзистор17 (правое плечо усилитля) будетбольше и первый второй третий ичетвертый 1, 2,. 3 и.4 транзисторыустановятсяв состояние, когда навтором выходе 6 будет логический...
Управляемый стабилизатор тока, предназначенный для питания ot ис-точника входного напряжения c нуле-вой точкой
Номер патента: 802948
Опубликовано: 07.02.1981
Авторы: Готовцев, Малов, Науменко
МПК: G05F 1/56
Метки: входного, ис-точника, нуле-вой, питания, предназначенный, стабилизатор, точкой, управляемый
...инвертирующего уси- лителЯ и полЯРность напРЯжениЯ ОЗТ обратна полярности О 0Если управляемый ключ 13 разомкнут и его внутреннее сопротивление вели" ко, т.е. В+=о, то К пер= +1. При этом усилитель работает в режиме неинвертирующего усилителя, выходное напряжение на эталонном резисторе О как по знаку, так и по величине повторяет напряжение источника опорного напряжения О 0 пВеличина стабилизированного тока 1, протекающего через нагрузку ста3 см раь Ооп ЭТбилизатора тока, определяется следующим выражением:ооо ооо ооп Чоео "оооЗн Эе ОС(к 3+4Эъ 91Оо ( 2%1 РЭ где- ток, протекающий через этаЭТлонный Резистор РЭТ ,3 - ток обратной связи, протекающий через резистор 8; О- напряжение на резисторе 8 обратной связи Р,.Из приведенного выражения...
Синхронный детектор
Номер патента: 363178
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H03D 13/00
Метки: детектор, синхронный
...ца транзисторах 4, б, б, Параллельно базам транзисторов 1 и 2 непосредственно подсоединены базы транзисторов 5 и 4 соответственно. Коллекторы транзисторов 1 и 5, 2 и 4 соединены через конденсаторы 7 и 8. Вход эмиттерного повторителя на транзисторе 9 соединен с коллектором трацзистора 2, а выход - с базой этого же транзистора через конденсатор 10. Источник опорного синусоидальцого напряжения соединен с базой транзистора 1, а источник входного напряжения - с базами токостабилизирующцх транзисторов 3 и б через трансформатор 11 так, что напряжение ца них подается в противофазе.Синхроццьш детектор работает следующим образом.При подаче входного напряжения ца первичную обмотку трансформатора ц опорного напряжения на базу транзистора 1...
Предыдущий патент: Многопозиционная матрица управления
Следующий патент: 337820
Случайный патент: Способ стерилизации семян кукурузы