Устройство для измерения температуры

Номер патента: 800695

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Боришпольский, Ершов, Кочан, Лапсинь, Мильченко, Олексюк, Поздняков, Саченко

МПК: G01K 7/13

Метки: влиянияизменения, компенсации, свободныхконцов, температуры, термопары

...и 10.Выходом устройства являются средняяточка резистивного делителя и диаго Ональ мостовой схемы, к которым подключаются термопара 11 и измерительный прибор 12.Устройство работает следующимобразом,При изменении температуры свободных концов термопары изменяетсясопротивление двух терморезисторов,благодаря чему на выходе устройствавозникает напряжение, находящеесяв непрямой зависимости от температу- ЗОры, Значение выходного напряженияустройства зависит с одной стороны,от степени разбаланса мостовой схеьи,а с другой стороны, от коэффициентаделения шунтирующей цепочки, в свою 35очередь также зависящего от температуры. Регулировка чувствительноститермочувствительного моста путем изменения сопротивления переменногорезистора 10 и регулировка...

Номер патента: 1023265

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Лисовский, Щеглов

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, легкого, магнитных, намагничивания, ориентации, оси, пленок, поля

...плоскости пленки,пленку устаавливают таким образом,цтобы. ось ее вращения совпадала сномалью к поверхности пленки, освещают пленку поляризованным светом ис помощью анализатора и микроскопанаблюдают зарождение доменной структуры, вращают пленку вокруг оси,совпадающей с нормалью к плоскостипленки, подбирают ориентацию и напряженность магнитного поля такимобразом, цтобы в момент зарождениядоменная структура имела полосовойхарактер, снимают зависимости продольной и поперечной (относительнооси вращения пленки) компонент напряженности магнитного поля, соответствующих моменту образования домен"ной структуры от угла поворота плен"гки, пред ста вляют полу ченную з ависимость в виде рядов Фурье и опреде,ляют константы и ориентацию...

Номер патента: 558241

Опубликовано: 15.05.1977

Автор: Шварц

МПК: G01W 1/16

Метки: атмосферы, переменный, поля, ротационный, ток, электрического

...поскольку основной вклад в О электрическое поле атмосферы вносится составляющими, имеющими частоту ниже 0,015 Гц,Целью изобретения является обеспечение возможности измерения переменной части электрического поля атмосферы с помощью электростатического флюксметра путем использования преобразователя с коэффициентом преобразования, зависящим от частоты.Это достигается тем, что в,предлагаемом преобразователе над измерительной и экранной пластинами устанавливается на изоляторах металлическая пластина (дополнительный экран), который соединяется с корпусом преобразователя через инерционное звено РС.Дополнительный экран экранирует преобразователь от внешнего электрического поля Е. Электрическое поле в простанстве между дополнительным экраном и...

Номер патента: 29184

Опубликовано: 28.02.1933

Автор: Лебедев

МПК: G01N 27/14

Метки: автоматической, других, критической, магнитной, модификации, немагнитную, отметки, переходу, прибор, соответствующей, стальных, температуры, ферромагнитных

...обыкновенный репродуктор 7, который, при помощи имеющегося у него установОчного винта, настраивают таким образом, что до введения замыкаемого материала 8 в трубку 1 репродуктор 7 молчит.В тот момент, когда материал 8 буЪет вложен в печь (а вместе . с тем и в трубку 7), магнитный поток прибора сильно изменит свою величину; это последнее скажется на электрическом сопротивлении разветвленной цепи, благодаря чему в репродуктор поступит большая сила тока и он загудит характер,ным для данного случая звуком (мембрана под действием переменного тока).163. При переходе материалом своей крити- Такой прибор можно закладывать и ческой температуры он потеряет свои во всякую пламенную печь, если это по- магнитные свойства, нарушенное равно-. чему-либо...

Номер патента: 720567

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Сковорода, Тимофеев, Швилкин

МПК: H01J 17/48

Метки: магнитное, плазмы, поле, помещенной, температуры, электронной

...вычисляют из следующей зависимости: 65 где 6 - коэФфициент поглощениямощности электромагнитнойволны в плазме,1 ЛВ -/1" (В 3 )производная магнитная поляВ по координатев точкеэкстремума;д - частота электромагнитнойволны ди = Ое зсю + Ю,Предлагаемый способ определения электронной температурыплазмы поясняется чертежом,где изображено изменение электронной циклотронной частоты цг в пространстве вдоль оси Е (линия А). Вектормагнитного поля награвлен по оси 7 .Фиг,1 соответствует минимуму магнитного поля; фиг,2 - максимуму, Плазмапомещается в магнитное поле с экстремумом, Вдоль оси Е сквозь плазмупропускается электромагнитная волнас частотой ы, представленная линией Б,Фиг,1 соответствует случаю,когда магнитное поле имеет минимумв точке...